晶锗展现出高电阻系数和温度系数。
在室温下,其电阻温度系数(TCR)约为/K,其电阻系数约为Ω/m。
若不考虑其电阻值,在K到K之间对温度测量发现,非晶锗电导率受一个变量范围跳跃过程控制[]。
在室温下,TCR只随着温度有轻微变化,因而减轻了环境温度对其产生影响,其布置图如图所示,图中锗膜厚度为nm,℃时电阻值为KΩ。
而且,现已被证明,这一特点长期稳定度优于.年增长率。
利用这种热敏电阻技术已经可以实现把一个带宽为Hz噪声等效成μK温度差[]。
相比之下,Jhone噪音只能将分辨率限制在.μK。
实验.传感器安装为了研究这种传感器在多种典型环境中性能,把它黏贴在不同封装结构上。
而且,为了能够在风洞实验和其它测量实验中进行自由校准,芯片被安装在了厚度为.mm印刷电路板(PCB)上,并且与其表面齐平,如图所示。
图安装在柔性PCB上传感器横截面示意图为了能够达到此目,柔性印刷电路板采用压花模具制作而成。
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