-SIC 外延层里堆垛层错的形成 H. J. Chung, J. Q. Liu, and M. Skowronskia 材料科学与工程学院,卡耐基 梅隆大学 , 匹兹堡市,宾夕法尼亚州 15213 (收到 2002 年 6 月 21 日,接受 2002 年 9 月 13 日) 在 4H-SIC 基体上,在 n+ 4H-SIC 外延层里沉积形成的堆垛层错已经能通过常规的和 HRTEM 观察到。
在退火过程中,层错形成发生在氩气下 1150 度,持续 90 分钟。
所有的层错都是在两个相邻基底面通过部分位错的滑动所形成的相同的双层肖克利层错。
对于在外延层与基体界面的几个包含层错的部分位错,伯格斯矢量标志已经通过 HRTEM 被确定。
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