1、“.....引起结泄露。这种泄露有助于带走注入到阱上电荷。为了使阱型外延层泄露器发挥正常作用，至少结部分外围不能用金属覆盖，并且距离要在阱之外至少处。每当插入泄露器时，应该告知电路设计者，这样就可以估计出他们对电路影响。多数情况下，泄露器不会影响电路，但是不可能概而论。少子注入结隔离依赖于反偏结来阻止不希望电流流动。耗尽区建立电场排斥多子......”。

2、“.....如果所有隔离结都正偏，就会向隔离区注入少子。这些载流子中有许多会发生复合，但是还有些会最终到达隔离其他器件耗尽区。影响如下图显示了标准双极电路剖面图。假设晶体管集电极连接到集成电路个管脚，外电路会偶尔受到瞬时干扰，从该管脚拉出电流。如果晶体管截止，则这种瞬变会将其隔离岛电位拉倒地以下，使集电极衬底结正偏并向衬底注入少子。多数载流子会复合......”。

3、“.....图少子渡越隔离区与穿过双击型晶体管少子流类似。被拉到地电位以下隔离岛作为横向晶体管发射区，隔离区和衬底作为该晶体管基区，任何其他反偏隔离岛可以作为集电区。每个反偏隔离岛对应于构成了独立寄生晶体管。这些寄生横向晶体管值很低，这是因为大部分少子在渡越时被复合。相邻隔离岛间寄生双极型晶体管值约为，而相距较远两隔离岛间寄生晶体管值甚至小于。即使如此低增益也能引起电路故障......”。

4、“.....如果与另个隔离岛相关寄生管值为，则该隔离岛将收集电流可轻易地干扰典型模拟电路工作。衬底接触本身不能阻止少子注入，因为少子运动是通过扩散而不是漂移实现。少子仅被反偏结收集。然而，衬底接触仍能提供多子来供给复合。因为多数少子在隔离区内复合，因此衬底接触对于防止衬底去偏置还是必要。在些情况下，少子注入会引起电路闩锁。早期工艺就受到这类弊病影响......”。

5、“.....下图显示了部分芯片剖面图，该芯片由支晶体管和支晶体管构成。除了这两支需要管外，版图中还包含两支寄生双极型晶体管。横向晶体管发射区由源区构成，基区由隔离区构成，集电区由阱构成。横向晶体管发射区由源区构成，基区由阱构成，集电区由隔离区构成。下图用更熟悉方式表示这两只寄生晶体管。在该电路图中，表示阱电阻，表示衬底电阻。两个电阻通常可确保两寄生晶体管为截止状态......”。

6、“.....两支寄体管都不会传导电流，集成电路也会按预期方式工作。当瞬时干扰使其中任何支晶体管开启时，流过该器件电流也将开启另支寄生管。然后每只晶体管为对方提供基极电流。当晶体管和值乘积大于时，这个过程会自维持。旦发生这种情况，称为电路发生闩锁，电路将直保持这种状态直到移除电源。集成电路实际上传到了大量电流，以至于过热自损。即使这种情况没有发生......”。

7、“.....并消耗过量电源电流。图有两种方式可以触发闩锁。如果晶体管源级被拉到低于地电位，他将向衬底注入少子，开启寄生管。然后该晶体管开启。或者，晶体管源级可能被拉到高于阱电位，他将向阱注入少子并开启寄生管，该晶体管然后开启。些作者通过把涉及到个区比作称为可控硅整流器四层器件来解释闩锁效应。电学方面，如上图所示耦合双击型晶体管等效。因此......”。

8、“.....阻止闩锁最明显方法是减小其中只或两寄生管值。如果值之积小于，则闩锁就不会发生。通常可通过增大版图间距，也就是增大寄生横向晶体管中型基区宽度来实现上述目。另种方法是可以增加只或两只寄生晶体管中性基区杂质浓度。这两种方法都可以增加支或两支晶体管数以减小积。尽管许多工艺声称不会发生闩锁，但这些保证只在相对较窄范围内成立。这种工艺固有机构虽然缺少足够增益来建立正反馈......”。

9、“.....收集到载流子仍然会引起电路故障，如果电路中存在正反馈，这些故障还会引起闩锁。这种现象重要性常常被低估。任何发生了预料之外少子注入集成电路都有可能发生闩锁。即使实际上并没有发生，发生故障。不仅是注入衬底电子，无意注入阱或隔离岛空穴也会产生潜在威胁。防护措施基本上讲......”。