1、“.....图示已生成晶圆和图中用箭头标出。晶圆图示如图。显而易见，测量下部，顶部，顶部值得怀疑。在底部和顶部参数，也和样作为异常站点贡献，表示出问题。个合乎逻辑解释就是到晶圆上该站点有需要进步探讨问题，可能会影响产品产量或性能。虽然顶端尺寸也被特别指出，但是顶部和底部都被认为是共同时，整体站点贡献是正常。挑战与机遇电气参数建模为贯彻落实晶圆厂控制，发展基于物理器件模型映射到电气几何参数，如振动频率参数，擦除闪存时间，电阻值等是很重要。这个模型与用于控制器用来描述如关键尺寸，深度，厚度或工艺操作条件之间关系水平，从而改善进程，提高可用性，减少计量校准器和测试晶圆使用。需求档案晶圆厂宽控制设备模式数据滤波，平滑约束岛控制图作为工厂高层电气参数控制范围控制电化学沉积化学，力学，抛光。蚀刻照片沉积这种多层次控制框架类似于已经在炼油行业成功分层控制框架......”。

2、“.....除了干扰几乎没有动力学过程动态特性顶层是个多步操作控制，目是弥补以前步骤失误，不考虑绝对误差，只要分步进行计量测量结果是可用。这使其与模型预测控制缩小视野批处理不同。在化学和炼油过程中，顶级优化是实时优化，中等水平是全面动态。由于是个强大和成功技术，它已经在半导体行业扩展到调度和生产规划。该全工厂控制框架也参考框架，但重点是优化设备电气参数控制。电子测试数据用来改善设备模型之间电子测试数据和模型参数不匹配。参数评估进行后，估计参数被发送到工厂范围优化器，分配指标，以较低级别控制器，调节生产制造过程。随着新模型参数设置更新，该模型开始用于控制。运行控制算法近年来，运行控制技术已受到半导体制造业巨大关注。莫恩和赫维茨莫恩等定义了控制个离散过程和机械控制，其中就特定过程产物易地修改，以尽量减少过程中漂移，转变和可变性。为了修改配方......”。

3、“.....转移和其他变化，目前工具和晶圆州有必要进行估计。类广泛使用运行可以运行是在指数加权移动平均统计数字，估计过程扰动控制器。已经用于长时间质量监测目。其使用是作为控制近期应用。如需时间序列，其中表示运行数，给出了递推公式最有效个操纵控制变量是在诸如蚀刻时间，曝光时间，处理步骤，处理时间和平整时间。在这种情况下控制变量通常在何种程度下发展进程处理时间，如蚀刻和深入关键方面。前面介绍相乘模式不适合典型线性状态空间模型，但可以转换为线性状态与过程和测量空间模型，简单地由对数测量噪音。因此，本文提出所有控制算法适用于时间控制。故障检测与诊断数据处理工具例如温度，压力，气体流量等将被应用到单晶片或批量磁盘中。比如些典型加工服务，包括等离子体刻蚀，薄膜沉积，快速热退火，离子注入，化学机械研磨等。在大多数处理步骤中，每个感应器都收集晶圆磁盘或那些数据处理工具......”。

4、“.....如光发射光谱中实时数据，简易统计数字，其数据形式在每次运行结束时都可用。数据故障检测与诊断已成功应用于其他行业开发和应用中，。这些驱动故障检测技术是基于多元统计分析基础上来完成，如主成分分析和局部最小乘积数据和相关统计质量控制方法。这些监测方法最近项审查可参考。虽然半导体制造批处理性质为申请多路过程监控提供了很多机会，许多半导体计量数据组织形式被分成三个方面。其中个是计量，它三个方面是晶圆，站点和参数。批量数据也通常可以加工显示出批量，时间和参数工具图。多路已成功地应用于许多不同行业批量加工过程监控。在半导体制造领域等人提出了通过申请多路到等离子蚀刻机光发射谱来扩展数据观点。对于计量和处理工具监测，数据可以通过站点或时间每行代表个晶片上个站点或批处理个时刻或晶片每行代表个晶圆展开。在这项工作中，晶圆级故障检测与识别是必需，所以后者已被选为更好展开方法图......”。

5、“.....用站点或时间分析数据优点可以通过实现多块做法来体现。晶圆批次参数时间网站图组织网站水平和批量数据计量数据监测虽然加工业务创造了结构，但是计量业务使它们拥有了这些特点。计量测量些例子包括发展检验关键尺寸，最后检查关键尺寸和薄膜厚度。计量测量通常在半导体晶片上多点采样，在同点检测不同特征。故障检测和识别应用到站点级计量数据是为了验证整个晶圆表面建立在半导体晶片上结构是否都均匀在他们该在位置。作为个例子，我们使用进行故障检测并用来自得克萨斯州奥斯汀进行数据鉴定。在光阻材料发展起来之后，该是光阻材料图案宽度。如图所示，在各向同性发展表明各光阻底部和顶部之间差异很小。该数据集由片晶圆组成，每个晶圆顶部和底部各有个测点。图为分组所有个站点为两个参数合计，图重点考虑到每个站点参数......”。

6、“.....由提供数据显示，出现漂移在站点，和最强，而它是很难在点，和强烈漂移。随着了解每个站点在晶圆上位置，将有可能使用这些图和掩蔽工具来解决可能倾斜或焦点问题。水水水图使用故障检测，和乌拉圭回合。底部水顶部水图故障识别使用参数贡献网站网站网站水站网站网站网站网站网站网站水水水水水水水水水图故障识别使用网站贡献虽然跟踪块是好贡献，影响了大批晶圆做法，但是也必须考虑个问题是如何在个单晶片上集成，这个目标还有待验证。为了演示此功能，图示已生成晶圆和图中用箭头标出。晶圆图示如图。显而易见，测量下部，顶部，顶部值得怀疑。在底部和顶部参数，也和样作为异常站点贡献，表示出问题。个合乎逻辑解释就是到晶圆上该站点有需要进步探讨问题，可能会影响产品产量或性能。虽然顶端尺寸也被特别指出......”。

7、“.....整体站点贡献是正常。挑战与机遇电气参数建模为贯彻落实晶圆厂控制，发展基于物理器件模型映射到电气几何参数，如振动频率参数，擦除闪存时间，电阻值等是很重要。这个模型与用于控制器用来描述如关键尺寸，深度，厚度或工艺操作条件之间关系，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，，水平，从而改善进程，提高可用性，减少计量校准器和测试晶圆使用。需求档案晶圆厂宽控制设备模式数据滤波，平滑约束岛控制图作为工厂高层电气参数控制范围控制电化学沉积化学，力学，抛光。蚀刻照片沉积这种多层次控制框架类似于已经在炼油行业成功分层控制框架，但存在重大分歧最低级控制主要是批量操作中层控制，除了干扰几乎没有动力学过程动态特性顶层是个多步操作控制，目是弥补以前步骤失误，不考虑绝对误差，只要分步进行计量测量结果是可用。这使其与模型预测控制缩小视野批处理不同。在化学和炼油过程中......”。

8、“.....中等水平是全面动态。由于是个强大和成功技术，它已经在半导体行业扩展到调度和生产规划。该全工厂控制框架也参考框架，但重点是优化设备电气参数控制。电子测试数据用来改善设备模型之间电子测试数据和模型参数不匹中文字毕业设计论文外文资料翻译学院专业过程装备与控制工程姓名学号外文出处，附件外文资料翻译译文外文原文。指导教师评语签名年月日用外文写附件外文资料翻译译文半导体制造过程控制和监测工厂全框架摘要半导体行业已经开始了从毫米到毫米晶片技术过渡，以提高制造效率，降低制造成本。这些技术变革展出现了优化设计下代工厂控制系统独特机会。本文首先提出为毫米设备和计量工具和材料处理高度自动化系统在全工厂范围分层控制框架。现有相关运行技术在工厂控制范围内通过了审查和分析。过程和计量数据监测，通过是举例来说明。缺失部分，作为未来研究和发展方向而被指出。结束语附在文章末尾......”。

9、“.....以提高生产效率，降低制造成本。随着这种转变，毫米资金开支为毫米倍。个生产毫米厂费用超过亿美元，而毫米晶圆厂费用超过亿。其他技术变革包括•单晶片加工能力，而不是批量业务营运能力•全自动化物料处理系统跨海湾和内湾运输•综合计量，以便及时控制•过程控制和故障诊断高度自动化。由于新时代工厂资本高度密集，工厂关键是保持高效率运作，减少设备停机时间，优化高品质产品产量。国际技术路线图明确说明工厂信息和控制系统是项重要技术，是减少周期时间提高利润。技术变革预示着为新时代工厂优化设计过程控制系统独特机会。缺乏现场传感器提供反馈控制和优化晶圆状态实时信息是半导体制造控制业长久挑战。但幸运是，近期计量技术发展提供了改进及时性和测量数据作用性机会。通常个现代化工厂......”。