1、“.....般而言，掺杂物依照其带个被掺杂材料电荷正负被区分为受体与施体。施体原子带来价电子大多会与被掺杂材料原子产生共价键，进而被束缚。而没有和被掺杂材料原子产生共价键电子则会被施体原子微弱地束缚住，这个电子又称为施体电子。和本质半导体价电子比起来，施体电子跃迁至传导带所需能量较低，比较容易在半导体材料晶格中移动......”。

2、“.....虽然施体电子获得能量会跃迁至传导带，但并不会和本质半导体样留下电洞，施体原子在失去了电子后会固定在半导体材料晶格中。因此这种因为掺杂而获得多余电子提供传导半导体称为型半导体，和施体相对，受体掺杂后半导体称为型半导体。和分别代表着材料中多数载流子。相对，另种载流子就称为少数载流子......”。

3、“.....以个硅本质半导体来说明杂质影响。硅有四个价电子，常用于硅掺杂物有三价与五价元素。当只有三价元素掺杂至硅半导体中时，三价元素扮演受体角色。五价元素掺杂至硅半导体中，则五价元素扮演施体角色。因此，个硅半导体中掺杂了硼就是型半导体。若掺杂了磷就成为型半导体。载子浓度掺杂物浓度对于半导体最直接影响在于其载子浓度。在热平衡状态下......”。

4、“.....电子与电洞浓度相等，如下列公式所示如果我们有个非本质半导体，在热平衡状态下，其关系就变为是半导体内电子浓度，则是半导体电洞浓度，则是本质半导体载子数目。会随着材料或温度不同而改变。对于室温下硅而言，大约是。通常掺杂浓度越高，半导体导电性就会变得越好，原因是能进入传导带电子数量会随着掺杂浓度提高而增加......”。

5、“.....高掺杂浓度通常会在或是后面附加上标号，例如表示掺杂浓度非常高型半导体，反之例如−则代表轻掺杂型半导体。需要特别说明是即使掺杂浓度已经高到让半导体退化为导体，掺杂物浓度和原本半导体原子浓度比起来还是差距非常大。以个有晶格结构硅本质半导体而言，原子浓度大约是......”。

6、“.....掺杂浓度在以上半导体在室温下通常会被视为个简并半导体。重掺杂半导体中，掺杂物和半导体原子浓度比约是千分之，而轻掺杂则可能会到十亿分之比例。在半导体制程，掺杂浓度都会依照所制造出元件需求量身打造，以合于使用者需求。掺杂对搬到能带结构影响掺杂之后半导体能带会有所改变。依照掺杂物不同......”。

7、“.....施体原子会在靠近传导带地方产生个新能阶，而受体原子则是在靠近价带地方产生新能阶。假设掺杂硼原子进入硅，则因为硼能阶到硅价带之间仅有电子伏特，远小于硅本身能隙电子伏特，所以在室温下就可以使掺杂到硅里硼原子完全解离化。掺杂物对于能带结构另个重大影响是改变了费米能阶位置。在热平衡状态下费米能阶依然会保持定值......”。

8、“.....举例来说，个接面后其费米能阶必须保持在同样高度，造成无论是型半导体或是型半导体传导带或价带都会被弯曲以配合接面处能带差异。上述效应可以用能带图来解释，在能带图里横轴代表位置，纵轴则是能量。图中也有费米能阶，半导体本质费米能阶通常以来表示。在解释半导体元件行为时，能带图是非常有用工具。半导体材料制造为了满足量产上需求......”。

9、“.....因此包括掺杂物纯度以及半导体晶格结构品质都必须严格要求。常见品质问题包括晶格错位双晶面或是堆栈都会影响半导体材料特性。对于个半导体元件而言，材料晶格缺陷通常是影响元件性能主因。晶格越大，就越难达到其结构要求。当今量产过程使用晶锭直径在四至十二英寸之间目前用来成长高纯度单晶半导体材料最常见方法称为裘可拉斯基制程......”。