1、“.....两个重参杂的区形成源区和漏区，个重参杂的多晶硅导电作为栅是构成的基本元件。半导体的表面场效应型半导体图型半导体表面电荷减少图表面电荷减少形成耗尽层图形成耗尽层耗尽层高阻区形成反型层图提高抗辐射能力垂直结构提高密度及避免效应第部分晶体管的工作原理与组成的单元硅栅兰宝石上，晶体管晶体管逻辑集成注入逻辑在工艺下氮反相器在双极型工艺下射极耦合逻辑电流型开关逻辑饱和区漏电流饱和原因其电流表达式近似等于......”。

2、“.....其阻值深三极管区的线性工作当漏电压大于会怎样实际上不会遵从抛物线特性，且相对恒定，这时器件工作在与漏源电压关系右图给出了不同时的得到的与的关系，每条抛物线的极值发生在峰值电流为当较小时，有这种关子为电子，所以有负号对于半导体，是半导体载流子迁移率，为电场由于，电子迁移率用表示我们得到对应的边界条件是两边积分沿沟道方向是常数，得到这里的是有效沟道长度......”。

3、“.....沟道电势将从源极的变到漏极的，删于沟道之间的局部电势差将从变到，因此沿沟道的电荷密度表示为为点的沟道电势。电流可表示为载流动速度是源和漏等压时的沟道电荷其次，考虑源和漏都接地的，反型层中的电荷密度是多少我们认为时开始反型，所以时，沟道中电荷密度单位长度电荷，其值等于的因素删电极材料删氧化层质量，厚度衬底参杂浓度导通现象类似于，但其所有极性都相反特性的推导首先，分析个载有电流的半导体棒沿电流方向的电荷密度是,电荷移层下的衬底区。注意这种结构的源和漏是相同的。源漏方向的尺寸叫删长......”。

4、“.....由于在制是耗尽区电荷，是单位面积删氧化层电容是半导体衬底费米势影响阈值电压体管结构图器件被制作在型衬底或上，两个重参杂的区形成源区和漏区，个重参杂的多晶硅导电作为栅，层薄二氧化硅层使删和衬底隔离。器件的有效作用就发生在删氧化的基本元件。半导体的表面场效应型半导体图型半导体表面电荷减少图表面电荷减少形成耗尽层图形成耗尽层耗尽层高阻区形成反型层图形成反型层反型层二晶体管的结构个典型的晶提高密度及避免效应第部分晶体管的工作原理，是构成提高密度及避免效应第部分晶体管的工作原理......”。

5、“.....两个重参杂的区形成源区和漏区，个重参杂的多晶硅导电作为栅，层薄二氧化硅层使删和衬底隔离。器件的有效作用就发生在删氧化层下的衬底区。注意这种结构的源和漏是相同的。源漏方向的尺寸叫删长，与之垂直方向的细的尺寸叫做栅宽，由于在制是耗尽区电荷，是单位面积删氧化层电容是半导体衬底费米势影响阈值电压的因素删电极材料删氧化层质量......”。

6、“.....但其所有极性都相反特性的推导首先，分析个载有电流的半导体棒沿电流方向的电荷密度是,电荷移动速度是源和漏等压时的沟道电荷其次，考虑源和漏都接地的，反型层中的电荷密度是多少我们认为时开始反型，所以时，沟道中电荷密度单位长度电荷，其值等于源和漏不等电压时的沟道电荷当漏极电压大于时，沟道电势将从源极的变到漏极的，删于沟道之间的局部电势差将从变到，因此沿沟道的电荷密度表示为为点的沟道电势。电流可表示为载流子为电子，所以有负号对于半导体，是半导体载流子迁移率，为电场由于......”。

7、“.....得到这里的是有效沟道长度。管漏电流与漏源电压关系右图给出了不同时的得到的与的关系，每条抛物线的极值发生在峰值电流为当较小时，有这种关系表明源漏之间可以用个线性电阻表示，其阻值深三极管区的线性工作当漏电压大于会怎样实际上不会遵从抛物线特性，且相对恒定，这时器件工作在饱和区漏电流饱和原因其电流表达式近似等于......”。

8、“.....提高抗辐射能力垂直结构提高密度及避免效应第部分晶体管的工作原理，是构成的基本元件。半导体的表面场效应型半导体图型半导体表面电荷减少图表面电荷减少形成耗尽层图形成耗尽层耗尽层高阻区形成反型层图形成反型层反型层二晶体管的结构个典型的晶体管结构图器件被制作在型衬底或上，两个重参杂的区形成源区和漏区，个重参杂的多晶硅导电作为栅，层薄二氧化硅层使删和衬底隔离。器件的有效作用就发生在删氧化层下的衬底区。注意这种结构的源和漏是相同的......”。

9、“.....与之垂直方向的细的尺寸叫的基本元件。半导体的表面场效应型半导体图型半导体表面电荷减少图表面电荷减少形成耗尽层图形成耗尽层耗尽层高阻区形成反型层图形成反型层反型层二晶体管的结构个典型的晶层下的衬底区。注意这种结构的源和漏是相同的。源漏方向的尺寸叫删长，与之垂直方向的细的尺寸叫做栅宽，由于在制是耗尽区电荷，是单位面积删氧化层电容是半导体衬底费米势影响阈值电压动速度是源和漏等压时的沟道电荷其次，考虑源和漏都接地的，反型层中的电荷密度是多少我们认为时开始反型，所以时，沟道中电荷密度单位长度电荷......”。