1、“.....这时就能达到个比较理想的收尾效果，而且能够探讨晶体生长工艺成晶率与质量的关联性晶体学论文，引起多晶或孪晶的产生，影响成品率的提高。通过多炉次试验，使用标称水含量为的时晶体生长的成晶率比较稳定，而且高于其他几种规格。表为各种水含量规格的多炉次试验所生长的晶锭的表面，此种状态不仅影响了所生产的单晶的质量......”。

2、“.....影响炉次间产品参数的致性使用水含量为的进行晶率，使掺硅砷化镓单晶生长的成晶率达到以上，有效地降低了生产成本。图为使用水含量为的所得的砷化镓晶锭。图本实验晶体生长用石英真空系统试验结果与分析水含量对成晶率摘要的吸水性特别强，水含量不同，其与坩埚浸润状态也会有所不同，与坩埚壁的浸润状态对晶体生长能否成功非常重要。同时......”。

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4、“.....使掺硅砷化镓单晶生长的成晶率达到以上，有效地降低了生产成本。参考文献赵巧云砷化镓材料发展状况概述电子测试，周春锋，林健，理的添加量及水含量，提高了砷化镓晶体生长的成晶率，使掺硅砷化镓单晶生长的成晶率达到以上，有效地降低了生产成本。探讨晶体生长工艺成晶率与质量的关联性晶体学论文探讨晶体生长工艺成晶率与质量的关联性晶体学论文健，郭鑫......”。

5、“.....闵乃本晶体生长的物理基础上海上海科学技术出版社，兰天平质量对晶体生长工艺成晶率的影响天津科技论文。表本试验所得部分晶体参数结论通过对掺硅砷化镓晶体生长工艺中所使用的液封剂的水含量及添加量对砷化镓晶体生长成晶率影响的试验分析，确定合理的添加量及水含量，有图为使用水含量为的所得的砷化镓晶锭。摘要的吸水性特别强，水含量不同......”。

6、“.....与坩埚壁的浸润状态对晶体生长能否成功非常重化学计量比，从而影响成晶。本文通过对水含量及添加量对成晶率的影响进行了试验分析，以期确定出合理的水含量及添加量。探讨晶体生长工艺成晶率与质量的关联性晶体郭鑫，等晶体中残留杂质碳和硼的控制半导体技术，闵乃本晶体生长的物理基础上海上海科学技术出版社，兰天平质量对晶体生长工艺成晶率的影响天津科技......”。

7、“.....确定合理的添加量及水含量，有效地提。同时，添加量的多少也会影响晶体生长中熔体的化学计量比，从而影响成晶。通过对晶体生长工艺中所使用的液封剂的水含量及添加量对砷化镓晶体成晶率影响的试验分析......”。

8、“.....影响成品率的提高。通过多炉次试验，使用标称水含量为的时晶体生长的成晶率比较稳定，而且高于其他几种规格。表为各种水含量规格的多炉次试验统计情况晶锭的表面，此种状态不仅影响了所生产的单晶的质量，而且水含量较高时生成体单晶中的杂质浓度也会相应增加，影响炉次间产品参数的致性使用水含量为的进行晶体生长，高所得晶体的质量，最终理想的收尾见图......”。

9、“.....图本实验晶体生长用石英真空系统试验结果与分析水含量对成晶率的影响在试统计情况。根据所使用的坩埚的直径大小计算出能够正好完全覆盖熔体尾部而又不影响空间砷蒸气与熔体交换所需的使用量。通过工艺实验对理论计算进行必要修正，确定出了该晶体生体生长，所得晶锭表面的麻坑基本消失，但在晶锭的肩到等径部的位置仍有许多沟道使用水含量为的......”。