1、“.....先计算了本征的电子结构态密度和差分电荷密度分布图能带结构的计算结果表明的带隙较大，价带顶部要高于费米能级，属于直接带隙的型半导体类型导带底的态密度变化较小，说明导带底的电子有效质量较小价态顶态密度变化较慢，价态中空穴有效质量大的价态由的下价态和的上价态组成，在价态顶有兼并的重空穴和自旋和面体的键长是相似的，因此内部偶极矩很小掺杂的体系中，键的电荷集居数相较于键的电荷集居数而言没有明显影响，但是离子掺杂导致键的电荷集居数远小于本征体中键的电荷集居数，这意味着离子的掺杂对面体的结构几乎没有影响，而对面体的结构影响比较大，从而导致晶胞体积增加掺杂的体系中，键的电荷集居数和稍大于键的电荷集居数，表明和离子之间的相互作用探讨共掺杂的光学性质及晶体电子结构无机化学论文的面体环境中优化结果表明......”。

2、“.....多面体中不同的和键表明和面体结构是扭曲的，这与实验结果致图本征掺杂和共掺杂晶体结构表显示掺杂导致晶胞体积稍微增大，掺杂结构中，引入的离子键合到个和两个离子上，晶格常数均增大且不相等离子共掺杂系统，相对本征晶体而言体积变化最为明显体系结合能反映出晶体在进行几何优化后结构半导体材料中得到了广泛的应用，如，共掺杂其吸收边呈现出显著的红移，并对其在可见光下进行了良好的改性，制备出了具有良好的改性活性的光学材料故在本文中，我们利用第性原理，先从理论上揭示离子掺杂对晶体电子结构和光学性质影响，分析离子对光电性能的调制，再讨论离子共掺杂对晶体电子结构和光学性能产生的影响模型和计算方法基于第性原理平面波赝势方法，利用局域密度近似交换关联大地限制了其实际应用前景然而其宽带隙的特点也给人们提供了丰富的调制手段，在理想的可见光区......”。

3、“.....可以将晶体对紫外光响应扩展到可见光区域锰离子作为稀土离子的替代物，许多研究人员通过实验的方法已经研究了活化剂对晶体的光学调制行为，发现在中，由于的能量从摘要采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法对本征，掺杂，共掺杂超晶胞进行了几何结构优化，计算了掺杂前后体系的晶格常数能带结构态密度和光学性质结果表明，离子掺入后，离子轨道与离子轨道之间有强烈的轨道杂化效应，掺杂系统不稳定，而离子共掺后，离子和离子之间的吸引作用克服了离子之间的排斥作用，能够明显地提高掺杂浓度和体系的稳定性光学性质计算结果表明，离子与离子共掺杂能改善离子间的排斥作用，可提高掺杂浓度和系统稳定性，离子与离子共掺杂可实现型的高浓度掺杂光学性质分析中，离子与离子共掺杂能够改善电子在低能区的光学跃迁特性......”。

4、“.....对低频电磁波吸收增加参考文献赵淑婷，李文琪，牟博石，等绿色磷光粉的制备和长余辉性能发光学报，杨扬，丛妍，朱子茂，等纳米棒的制备及发光性质无机化学学报，张晓旭，马梅，张文蕾，等共掺杂锐钛矿相的的介电函数阈能约为，这是基本吸收边，当光子能量高于的值迅速上升的介电函数虚部有两个特征峰，峰与峰分别对应能量为与对应直接跃迁阈，是电子向态跃迁峰是态密度图中上价带相对较弱的峰代表的能态与导带能态间电子跃迁所致掺入离子后，在，之前的两个介电峰峰值增强，峰是价带电子向杂质带跃迁引起的，主要是态与态跃迁的结果，这表明离子掺杂引起能级间跃迁电子数目上升掺入离子后峰值降低，这表明离子掺杂对降低离子的受主特性，在费米能级附近，离子轨道与离子轨道杂化被增强离子不是型材料的有效复合中心，主要起到对离子的激活作用共掺杂后离子与离子的吸引作用可克服离子间的互相排斥......”。

5、“.....离子与离子共掺杂可实现型的高浓度掺杂共掺杂的光学性质分析在线性响应范围内，介电函数ε可以用来表征固体宏观光学响应特性通过对介电常数ε特点的分析，可以掌握电磁辐射在介质构态密度分布和电子差分密度图图揭示和离子共掺杂后，导带分布表现出了较高的弥散性，而这种弥散性分布主要来源于态的电子价带顶分布于费米能级之上，这主要来源于离子的态的贡献图表明，离子态密度峰值略有升高，价带和导带均向低能级方向移动相对于本征晶体，离子态密度峰值有所降低，价带和导带几乎没有移动离子的态劈裂成两个独立的峰，其中个峰进入费米能级离子的态位于费米能级之上与共掺杂探讨共掺杂的光学性质及晶体电子结构无机化学论文电子结构及光学性质的第性原理研究原子与分子物理学报，吴成国，武文远，龚艳春，等高压下带隙变化的第性原理研究物理学报，代武春，伏春平，孙凌涛......”。

6、“.....蔡宏宇，吴海涛，吴成国，何苏红共掺杂晶体电子结构和光学性质的研究原子与分子物理学报，基金陆军工程大学基础学科培育基金重点项目探讨共掺杂的光学性质及晶体电子结构无机化学论文对应，与本征介电函数虚部相比，共掺后吸收峰增强结论基于密度泛函理论对本征，离子单掺杂以及共掺杂电子结构和光学性质进行了计算与分析结果表明掺杂后晶格体积增大，系统能量降低离子单掺杂及离子共掺杂后仍属于直接带隙半导体离子掺入后离子电子与邻近的离子电子之间有强烈的轨道杂化效应，掺杂系统不稳定，较难实现理想的型晶体离子共掺杂后，离子与离子的吸引作用克服了为共有化电子，进而使其带隙变窄，实现了对晶体带隙的调制图掺杂晶体态密度分波态密度和差分电荷密度分布掺杂电子结构分析氮元素是常用来实现型掺杂的杂质，为此我们在优化后计算了掺杂的电子结构图表明掺杂使得的导带向低能端有较明显的移动......”。

7、“.....同时这也有利于电子和空穴由价带顶向导带底的跃迁图揭示了掺杂最主要的影响来源于价带顶，费米能级附近形成了的电学性质有定的抑制作用在低能区，共掺杂的光跃迁强度大于未掺杂，表明共掺杂可改善低能区的光学跃迁，增强电子在可见光区的光学跃迁图是掺杂前后的吸收谱，结果表明，本征晶体在可见光区无光吸收，因其禁带宽度大于可见光的光子能量掺入后，因为禁带中引入了杂质能级，增强了晶体在可见光区的光吸收本征吸收主峰的能量为，掺入后于低能区出现新吸收峰，与介电函数虚部在低能区的变化中的传播规律，了解其能带结构和其它光谱性质之间的联系介电常数可表示为εεε，其中图晶体介电常数和光学吸收谱下载原图其它光学常数求解如下吸收系数式中εε分别为介电函数实部和虚部，为自由电子质量，为电子电量，为入射光子频率图为与共掺杂前后的介电函数虚部ε，ε是联系带间跃迁微观物理过程与固体电子结构的桥梁......”。

8、“.....ε曲线介电峰的来源可通过能带结构与态密度解释从图可以看出，本征晶体费米能级进入价带顶，使其价带顶附近存在多余的空穴，与价带顶形成杂质能级，且杂质能级具有较强的局域态，这主要由和离子的态与离子态轨道杂化形成图共掺杂晶体态密度分波态密度和差分电荷密度分布图差分电荷密度分布表明，由于离子电负性比离子强，离子态电子偏向与离子成键，进而键增强键减弱，离子价电荷分布偏向离子而偏离离子，因此离子与间离子轨道交叠区域和费米能级处态密度重叠减小的局域态密度峰，该态密度峰来自掺杂离子的态，它排斥上的价态电子，使其向高能端移动离子态打破了晶体价带顶的轨道杂化，而且离子态电子比离子的态少个电子，因此掺杂可以在的价带顶形成更多的空穴，从而提高晶体的型导电能力图显示离子掺杂对各离子周围环境影响不大......”。

9、“.....在导带底附近存在多余的电子，说明掺杂可获得型晶体材料但杂质能级中电子间的互相作用导致其局域在导带底附近，费米能级附近电子增加，离子间排斥作用增强，从而导致晶体的体积增大图中电子密度差分分布直观地表明了离子掺杂中引起了各个离子周围电子环境的变化，离子的引入促进各离子间形成更多的共有化区域，特别是造成了离子和离子间轨道重叠，这有利于更多的电子脱离离子束缚，使得更多的电子成道耦合所分裂出的劈裂带由图的分波态密度可知，价态顶主要有离子的态组成，导带主要是和的态组成图中的差分电荷密度分布表明，和离子之间的相互作用明显的强于与离子，键表现出明显的离子键特征，而键之间体现出共价键的特性表中电子集居数分布也证明了这样的特点掺杂电子结构分析图为优化后的掺杂晶体结构的能带结构及分波态密度从图可知......”。