1、“.....放臵在测试台上,测试台周倒入液氮少。工艺优化,减少工艺损伤导致芯片碎裂的现象通过优化切割工序的工艺参数磨料的选取等,降低芯片崩边的概率在减薄过程中,控制磨盘的转速压力,避免磨料堆积,可有效减少减薄引入的工艺损伤。结果通过对底部填充材料的择优选择固化过程的优化,控制芯片切割中的进刀速线边缘产生微小崩边的情况时有发生。崩边意味该处芯片有损伤,抗应力强度变差,在热冲击下有可能最先裂开,成为裂纹的起源点。该诱因对应类裂纹。图次热冲击后芯片表面形貌减少碎裂采取的措施底部填充工艺优化,减少热失配应力根据硅以及铟的热膨胀系数,同时针减薄过程中的工艺损伤,主要源于减薄压力通过磨料堆积形成的大颗粒传递到芯片表面,在很小的区域内形成很大的压强,导致芯片表面损伤芯片减薄后,需通过溶液腐蚀去除表面损伤层。腐蚀过程中,由于材料缺陷应力等原因,会出现个小区域腐蚀速度很快,形成较深的焦平面器件碎裂机理研究原稿......”。

2、“.....主要源于减薄压力通过磨料堆积形成的大颗粒传递到芯片表面,在很小的区域内形成很大的压强,导致芯片表面损伤芯片减薄后,需通过溶液腐蚀去除表面损伤层。腐蚀过程中,由于材料缺陷应力等原因,会出现个小区域腐蚀速度很快,形成为面阵探测器中铟柱焊点距对称中心轴的距离,和分别是和的热膨胀系数,为降温范围,在降温范定的情况下,热膨胀失配位移正比于焊点距对称中心距离与相邻材料热膨胀系数差的乘积。对于芯片和读出电路中间有填充胶的情况,填充胶加入后起到了很好的很好的支撑和束缚作用,减少了铟柱的形变,但原本分布在焊点上的应力会被填充胶转移到芯片上,造成应力集中。芯片已被减薄至,加上材料易于解理的特性,将导致芯片沿解理面碎裂。该诱因可对应类裂纹。芯片背减薄采用化学机械减薄,也是芯片在热冲击下碎裂的另主要因素。试验设计选择减薄后的焦平面阵列芯片,放臵在测试台上,测试台周倒入液氮......”。

3、“.....导致局部温度过低引起表面碎裂,产生无效数据,将包护罩围绕焦平面阵列芯片周。中国空空导弹研究院河是芯片在热冲击下碎裂的另主要因素。试验结果按照上述试验方法,对焦平面阵列芯片进行热冲击试验,对产生裂纹的位臵形状进行统计裂纹贯穿光敏芯片个角,并呈定的角度裂纹出现在芯片中间区域裂纹自边缘延伸图裂纹位臵及形状碎裂机理分析导致热冲击下洛阳航空工业档案馆北京摘要在混成式焦平面器件制造过程中,热冲击引起的芯片碎裂是造成器件失效的主要原因,其较高的碎裂概率严重制约焦平面器件成品率。焦平面器件碎裂机理研究原稿。对于单个铟柱热失配位移公式上式中,为热膨胀失配位移,中国空空导弹研究院河南洛阳航空工业档案馆北京摘要在混成式焦平面器件制造过程中,热冲击引起的芯片碎裂是造成器件失效的主要原因,其较高的碎裂概率严重制约焦平面器件成品率。试验设计选择减薄后的焦平面阵列芯片,放臵在测试台上,测试台周倒入液氮进刀速度......”。

4、“.....减少热失配应力,避免生产过程中引入的工艺损伤,降低了焦平面器件碎裂的概率结论对元焦平面阵列芯片进行液氮冲击,得到了典型的芯片碎裂的信息,并对裂纹产生的机理进行了初步分析,为探测器在减少碎裂现象而进行,切割线边缘产生微小崩边的情况时有发生。崩边意味该处芯片有损伤,抗应力强度变差,在热冲击下有可能最先裂开,成为裂纹的起源点。该诱因对应类裂纹。图次热冲击后芯片表面形貌减少碎裂采取的措施底部填充工艺优化,减少热失配应力根据硅以及铟的热膨胀系数,支撑和束缚作用,减少了铟柱的形变,但原本分布在焊点上的应力会被填充胶转移到芯片上,造成应力集中。芯片已被减薄至,加上材料易于解理的特性,将导致芯片沿解理面碎裂。该诱因可对应类裂纹。芯片背减薄采用化学机械减薄,洛阳航空工业档案馆北京摘要在混成式焦平面器件制造过程中,热冲击引起的芯片碎裂是造成器件失效的主要原因......”。

5、“.....焦平面器件碎裂机理研究原稿。对于单个铟柱热失配位移公式上式中,为热膨胀失配位移减薄过程中的工艺损伤,主要源于减薄压力通过磨料堆积形成的大颗粒传递到芯片表面,在很小的区域内形成很大的压强,导致芯片表面损伤芯片减薄后,需通过溶液腐蚀去除表面损伤层。腐蚀过程中,由于材料缺陷应力等原因,会出现个小区域腐蚀速度很快,形成移,为面阵探测器中铟柱焊点距对称中心轴的距离,和分别是和的热膨胀系数,为降温范围,在降温范定的情况下,热膨胀失配位移正比于焊点距对称中心距离与相邻材料热膨胀系数差的乘积。对于芯片和读出电路中间有填充胶的情况,填充胶加入后起到了焦平面器件碎裂机理研究原稿的计改进工艺优化提供理论依据,同时该项工作为焦平面探测器有限元应力分析模型的建立提供了验证数据。随着焦平面探测器向阵列规模发展,芯片碎裂将是未来焦平面探测器研制中必须解决的关键问题......”。

6、“.....减薄过程中的工艺损伤,主要源于减薄压力通过磨料堆积形成的大颗粒传递到芯片表面,在很小的区域内形成很大的压强,导致芯片表面损伤芯片减薄后,需通过溶液腐蚀去除表面损伤层。腐蚀过程中,由于材料缺陷应力等原因,会出现个小区域腐蚀速度很快,形成大幅减少。工艺优化,减少工艺损伤导致芯片碎裂的现象通过优化切割工序的工艺参数磨料的选取等,降低芯片崩边的概率在减薄过程中,控制磨盘的转速压力,避免磨料堆积,可有效减少减薄引入的工艺损伤。结果通过对底部填充材料的择优选择固化过程的优化,控制芯片切割中的进工艺优化提供理论依据,同时该项工作为焦平面探测器有限元应力分析模型的建立提供了验证数据。随着焦平面探测器向阵列规模发展,芯片碎裂将是未来焦平面探测器研制中必须解决的关键问题,而更加深入的芯片碎裂机理研究工作则意义重大亟待开展关同时针对焦平面工艺要求,经过对比选择......”。

7、“.....对器件进行除湿对胶进行除气,减少胶在填充过程中产生空洞气泡的概率选择合适的固化条件,减少由于固化引入的应力。后续生产过程中,器件经受了封装时的烘烤和热冲击,碎裂现象洛阳航空工业档案馆北京摘要在混成式焦平面器件制造过程中,热冲击引起的芯片碎裂是造成器件失效的主要原因,其较高的碎裂概率严重制约焦平面器件成品率。焦平面器件碎裂机理研究原稿。对于单个铟柱热失配位移公式上式中,为热膨胀失配位移,较深的腐蚀坑,而腐蚀坑区域的厚度会更薄,抗应力更差,很容易成为裂纹的起源点,在此处形成裂纹并延伸。该诱因对应类裂纹。英寸的晶片完成极管阵列制备铟柱制备等工序后,通过线切割锯分割出只用于倒焊互连的芯片。由于线切割锯的控制精度转速等因素影很好的支撑和束缚作用,减少了铟柱的形变,但原本分布在焊点上的应力会被填充胶转移到芯片上,造成应力集中。芯片已被减薄至,加上材料易于解理的特性......”。

8、“.....该诱因可对应类裂纹。芯片背减薄采用化学机械减薄氮,为防止液氮飞溅至芯片表面,导致局部温度过低引起表面碎裂,产生无效数据,将包护罩围绕焦平面阵列芯片周。除热冲击下由于热失配造成的应力应变导致芯片碎裂外,在焦平面芯片制造过程中会造成工艺损伤,如切割崩边减薄导致表层损伤过深的腐蚀坑等,也词焦平面碎裂热冲击引言红外探测器在军用和民用领域具备广阔的市场,其中制冷红外探测器由于稳定性好制造工艺成熟,在精确制导武器系统机载光电设备等方面有着广泛的应用。焦平面器件碎裂机理研究原稿。对于单个铟柱热失配位移公式上式中,为热膨胀失配位焦平面器件碎裂机理研究原稿,减薄过程中的工艺损伤,主要源于减薄压力通过磨料堆积形成的大颗粒传递到芯片表面,在很小的区域内形成很大的压强,导致芯片表面损伤芯片减薄后,需通过溶液腐蚀去除表面损伤层。腐蚀过程中,由于材料缺陷应力等原因,会出现个小区域腐蚀速度很快,形成度......”。

9、“.....减少热失配应力,避免生产过程中引入的工艺损伤,降低了焦平面器件碎裂的概率结论对元焦平面阵列芯片进行液氮冲击,得到了典型的芯片碎裂的信息,并对裂纹产生的机理进行了初步分析,为探测器在减少碎裂现象而进行的计改很好的支撑和束缚作用,减少了铟柱的形变,但原本分布在焊点上的应力会被填充胶转移到芯片上,造成应力集中。芯片已被减薄至,加上材料易于解理的特性,将导致芯片沿解理面碎裂。该诱因可对应类裂纹。芯片背减薄采用化学机械减薄对焦平面工艺要求,经过对比选择,选取种双组分的环氧胶作为底部填充材料在底部填充过程中,对器件进行除湿对胶进行除气,减少胶在填充过程中产生空洞气泡的概率选择合适的固化条件,减少由于固化引入的应力。后续生产过程中,器件经受了封装时的烘烤和热冲击,碎裂现象大幅减腐蚀坑,而腐蚀坑区域的厚度会更薄,抗应力更差,很容易成为裂纹的起源点,在此处形成裂纹并延伸。该诱因对应类裂纹......”。