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doc (外文翻译)半导体制造过程控制和监测工厂全框架(译文) ㊣ 精品文档 值得下载

🔯 格式:DOC | ❒ 页数:22 页 | ⭐收藏:0人 | ✔ 可以修改 | @ 版权投诉 | ❤️ 我的浏览 | 上传时间:2022-06-25 05:37

《(外文翻译)半导体制造过程控制和监测工厂全框架(译文)》修改意见稿

1、以下这些语句存在若干问题,包括语法错误、标点使用不当、语句不通畅及信息不完整——“.....在半导体制造领域等人提出了通过申请多路到等离子蚀刻机光发射谱来扩展数据观点。对于计量和处理工具监测,数据可以通过站点或时间每行代表个晶片上个站点或批处理个时刻或晶片每行代表个晶圆展开。在这项工作中,晶圆级故障检测与识别是必需,所以后者已被选为更好展开方法图。正如后面将要讨论,用站点或时间分析数据优点可以通过实现多块做法来体现。晶圆批次参数时间网站图组织网站水平和批量数据计量数据监测虽然加工业务创造了结构,但是计量业务使它们拥有了这些特点。计量测量些例子包括发展检验关键尺寸,最后检查关键尺寸和薄膜厚度。计量测量通常在半导体晶片上多点采样,在同点检测不同特征。故障检测和识别应用到站点级计量数据是为了验证整个晶圆表面建立在半导体晶片上结构是否都均匀在他们该在位置。作为个例子,我们使用进行故障检测并用来自得克萨斯州奥斯汀进行数据鉴定......”

2、以下这些语句存在多处问题,具体涉及到语法误用、标点符号运用不当、句子表达不流畅以及信息表述不全面——“.....以提高制造效率,降低制造成本。这些技术变革展出现了优化设计下代工厂控制系统独特机会。本文首先提出为毫米设备和计量工具和材料处理高度自动化系统在全工厂范围分层控制框架。现有相关运行技术在工厂控制范围内通过了审查和分析。过程和计量数据监测,通过是举例来说明。缺失部分,作为未来研究和发展方向而被指出。结束语附在文章末尾。年由有限公司出版关键词半导体制造波段范围内控制电气参数控制运行控制故障检测和分类计量数据监控导言半导体行业已开始从毫米技术过渡到毫米转换,以提高生产效率,降低制造成本。随着这种转变,毫米资金开支为毫米倍。个生产毫米厂费用超过亿美元,而毫米晶圆厂费用超过亿。其他技术变革包括•单晶片加工能力,而不是批量业务营运能力•全自动化物料处理系统跨海湾和内湾运输•综合计量,以便及时控制•过程控制和故障诊断高度自动化......”

3、以下这些语句在语言表达上出现了多方面的问题,包括语法错误、标点符号使用不规范、句子结构不够流畅,以及内容阐述不够详尽和全面——“.....图为分组所有个站点为两个参数合计,图重点考虑到每个站点参数。这展开参数网站时间网站时间网站时间网站时间晶圆批次晶圆批次网站时间参数图展开网站水平和批量数据顶部顶部底部底部光刻胶多晶硅图发展检查关键尺寸个图可以很容易地识别基于晶片位置问题。由提供数据显示,出现漂移在站点,和最强,而它是很难在点,和强烈漂移。随着了解每个站点在晶圆上位置,将有可能使用这些图和掩蔽工具来解决可能倾斜或焦点问题。水水水图使用故障检测,和乌拉圭回合。底部水顶部水图故障识别使用参数贡献网站网站网站水站网站网站网站网站网站网平控制涉及工具参数自动反馈控制。下个层次是控制采用综合或内嵌计量,以达到特定目。第三个层次是控制岛屿从多个步骤来执行前馈和反馈控制以及工具性能匹配。层次结构顶层是电气参数控制或工厂范围控制,通过重新计算对下级最优目标来实现预期电气性能。设备漂移,计量漂移......”

4、以下这些语句该文档存在较明显的语言表达瑕疵,包括语法错误、标点符号使用不规范,句子结构不够顺畅,以及信息传达不充分,需要综合性的修订与完善——“.....故障检测与诊断数据处理工具例如温度,压力,气体流量等将被应用到单晶片或批量磁盘中。比如些典型加工服务,包括等离子体刻蚀,薄膜沉积,快速热退火,离子注入,化学机械研磨等。在大多数处理步骤中,每个感应器都收集晶圆磁盘或那些数据处理工具。这个数据可以制造出先进传感器平台,如光发射光谱中实时数据,简易统计数字,其数据形式在每次运行结束时都可用。数据故障检测与诊断已成功应用于其他行业开发和应用中,。这些驱动故障检测技术是基于多元统计分析基础上来完成,如主成分分析和局部最小乘积数据和相关统计质量控制方法。这些监测方法最近项审查可参考。虽然半导体制造批处理性质为申请多路过程监控提供了很多机会,许多半导体计量数据组织形式被分成三个方面。其中个是计量,它三个方面是晶圆,站点和参数。批量数据也通常可以加工显示出批量,时间和参数工具图......”

5、以下这些语句存在多种问题,包括语法错误、不规范的标点符号使用、句子结构不够清晰流畅,以及信息传达不够完整详尽——“.....层次结构顶层是电气参数控制或工厂范围控制,通过重新计算对下级最优目标来实现预期电气性能。设备漂移,计量漂移,和物质补偿变化是在反馈水平,从而改善进程,提高可用性,减少计量校准器和测试晶圆使用。需求档案晶圆厂宽控制设备模式数据滤波,平滑约束岛控制图作为工厂高层电气参数控制范围控制电化学沉积化学,力学,抛光。蚀刻照片沉积这种多层次控制框架类似于已经在炼油行业成功分层控制框架,但存在重大分歧最低级控制主要是批量操作中层控制,除了干扰几乎没有动力学过程动态特性顶层是个多步操作控制,目是弥补以前步骤失误,不考虑绝对误差,只要分步进行计量测量结果是可用。这使其与模型预测控制中文字毕业设计论文外文资料翻译学院专业过程装备与控制工程姓名学号外文出处,附件外文资料翻译译文外文原文......”

6、以下这些语句存在多方面的问题亟需改进,具体而言:标点符号运用不当,句子结构条理性不足导致流畅度欠佳,存在语法误用情况,且在内容表述上缺乏完整性。——“.....该是光阻材料图案宽度。如图所示,在各向同性发展表明各光阻底部和顶部之间差异很小。该数据集由片晶圆组成,每个晶圆顶部和底部各有个测点。图为分组所有个站点为两个参数合计,图重点考虑到每个站点参数。这展开参数网站时间网站时间网站时间网站时间晶圆批次晶圆批次网站时间参数图展开网站水平和批量数据顶部顶部底部底部光刻胶多晶硅图发展检查关键尺寸个图可以很容易地识别基于晶片位置问题。由提供数据显示,出现漂移在站点,和最强,而它是很难在点,和强烈漂移。随着了解每个站点在晶圆上位置,将有可能使用这些图和掩蔽工具来解决可能倾斜或焦点问题。水水水图使用故障检测,和乌拉圭回合。底部水顶部水图故障识别使用参数贡献网站网站网站水站网站网站网站网站网站网,,,,,,平控制涉及工具参数自动反馈控制。下个层次是控制采用综合或内嵌计量,以达到特定目......”

7、以下这些语句存在标点错误、句法不清、语法失误和内容缺失等问题,需改进——“.....调节生产制造过程。随着新模型参数设置更新,该模型开始用于控制。运行控制算法近年来,运行控制技术已受到半导体制造业巨大关注。莫恩和赫维茨莫恩等定义了控制个离散过程和机械控制,其中就特定过程产物易地修改,以尽量减少过程中漂移,转变和可变性。为了修改配方,处理过程中漂移,转移和其他变化,目前工具和晶圆州有必要进行估计。类广泛使用运行可以运行是在指数加权移动平均统计数字,估计过程扰动控制器。已经用于长时间质量监测目。其使用是作为控制近期应用。如需时间序列,其中表示运行数,给出了递推公式最有效个操纵控制变量是在诸如蚀刻时间,曝光时间,处理步骤,处理时间和平整时间。在这种情况下控制变量通常在何种程度下发展进程处理时间,如蚀刻和深入关键方面。前面介绍相乘模式不适合典型线性状态空间模型,但可以转换为线性状态与过程和测量空间模型,简单地由对数测量噪音。因此......”

8、以下文段存在较多缺陷,具体而言:语法误用情况较多,标点符号使用不规范,影响文本断句理解;句子结构与表达缺乏流畅性,阅读体验受影响——“.....从而改善进程,提高可用性,减少计量校准器和测试晶圆使用。需求档案晶圆厂宽控制设备模式数据滤波,平滑约束岛控制图作为工厂高层电气参数控制范围控制电化学沉积化学,力学,抛光。蚀刻照片沉积这种多层次控制框架类似于已经在炼油行业成功分层控制框架,但存在重大分歧最低级控制主要是批量操作中层控制,除了干扰几乎没有动力学过程动态特性顶层是个多步操作控制,目是弥补以前步骤失误,不考虑绝对误差,只要分步进行计量测量结果是可用。这使其与模型预测控制缩小视野批处理不同。在化学和炼油过程中,顶级优化是实时优化,中等水平是全面动态。由于是个强大和成功技术,它已经在半导体行业扩展到调度和生产规划。该全工厂控制框架也参考框架,但重点是优化设备电气参数控制。电子测试数据用来改善设备模型之间电子测试数据和模型参数不匹配。参数评估进行后,估计参数被发送到工厂范围优化器,分配指标......”

9、以下这些语句存在多方面瑕疵,具体表现在:语法结构错误频现,标点符号运用失当,句子表达欠流畅,以及信息阐述不够周全,影响了整体的可读性和准确性——“.....工厂关键是保持高效率运作,减少设备停机时间,优化高品质产品产量。国际技术路线图明确说明工厂信息和控制系统是项重要技术,是减少周期时间提高利润。技术变革预示着为新时代工厂优化设计过程控制系统独特机会。缺乏现场传感器提供反馈控制和优化晶圆状态实时信息是半导体制造控制业长久挑战。但幸运是,近期计量技术发展提供了改进及时性和测量数据作用性机会。通常个现代化工厂,在半导体制造持续挑战控制是至关重要现场传感器提供缺乏,晶圆实时状态信息反馈控制和优化。最近,推进计量技术提供了个机会,改善及时性和实用性测量数据。通常个现代化工厂具有相当多测量数据可供分析和控制在工具层面,实时数据反映了设备健康状况和提供反馈并实时控制综合测量和在线测量数据几何尺寸可进行后期处理,有轻微计量延迟样品和最终电气测试电子测试提供数据与中期或长期电性能时间延迟......”

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