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(终稿)水平砷化镓单晶材料产业化新增项目建议书.doc(最终版) (终稿)水平砷化镓单晶材料产业化新增项目建议书.doc(最终版)

格式:word 上传:2022-06-25 07:33:45

《(终稿)水平砷化镓单晶材料产业化新增项目建议书.doc(最终版)》修改意见稿

1、“.....而进口产品价格昂贵,造成生产成本的提高。为缓解这种局面, 本公司在原有产品的基础上,组织研发人员进行了该产品研究开发工作,目前该 产品技术已基本成熟,关键问题已经解决,产品于年月通过了中国有色金属工业协会组织的科技成果鉴定,鉴定结果为该项目技术产品质量均达到 国际先进水平,同类商品国际市场占有率接近。 随着在各个应用领域用量的大幅度增长,本项目产品的市场越来越广 阔。为进步满足不断增长的国内外市场对该产品的需求,本企业计划投资扩大 生产规模,增加产量,提高市场占有率,实现产品产业化。 预期经济效益 本项目年达产,达产期年销售收入万元,年净利润万元,上 缴利税万元,利税率达到。 本企业实施该项目的优势 技术优势项目承担单位国瑞制造是本公司多年科研的结晶......”

2、“.....目前制作的加热体,截面区固液交界面区有特殊加热结构。 高温区各加热段设计合理,中温区有后加热体设置,其余各区设置合适在产品 试制过程中表明,该加热体非常适合水平砷化镓单晶生长。采用这种加热体,可 以很好调节固液界面形状及固液界面与生长方向的夹角,使其与所切割的晶片 目录 第章概述 项目提出背景 技术开发状况 现有产业规模 项目产品的主要用途性能 投资的必要性 预期经济效益 本企业实施该项目的优势 第二章技术可行性分析 项目技术路线工艺设备的合理性和成熟性关键技术的先 进性 产品技术性能水平与国内外同类产品的比较 项目承担单位在实施本项目中的优势 第三章项目成熟程度 产品检测鉴定及用户使用情况 产品质量价格性能等情况 核心技术的知识产权情况 第四章市场需求情况和风险分析 国内市场需求分析 核准通过,归档资料......”

3、“.....请勿外传,国际市场状况及本项目产品市场占有情况 风险因素及对策分析 第五章投资估算及资金筹措 项目投资估算 资金筹措方案 投资使用计划 第六章经济和社会效益产该产品的企业,使国内企业对该产品的需求主要依赖进口,造成 大量资金流向国外。本项目产品的研发工作正是在这背景下提出并开展的。 技术开发状况 水平砷化镓单晶材料产业化年被原国家计委批复为国家高技术产 业化示范工程项目,并于年通过中国有色金属工业协会组织的科技成果鉴 定,鉴定结果为该项目的技术产品质量达到了国际先进水平。本项目产品目 前关键技术已经突破,并开始批量生产,产品已成功进入国内外市场。 下步工作中,企业计划在进步综合优化现有工艺技术基础上,使单晶成品率由现在的增加到。。使 单晶成品率由现在的增加到,。以进步提高 产品的性价比从而增强其竞争力......”

4、“.....年该产品销售收入达 到万元,年产品销售收入达到万元,预计年销售收入可达 到万元,净利润达到万元。 项目产品的主要用途性能 本项目产品近年来大量用于红外波长和高亮度 即高亮度红橙黄色,是目前生产量和 需求量最大增长率最快的化合物半导体器件之。 主要技术与性能指标如下析 未来五年生产成本销售收入估算 财务分析 不确定性分析 财务分析结论 社会效益分析 第七章综合实力和产业基础 企业员工构成 企业负责人情况 企业新产品研发能力及内部管理体系 企业从事该产品生产的条件产业基础 第八章项目实施进度计划 第章概述 项目提出背景 砷化镓单晶是种重要的半导体光电子和高速高频用半导体微电子 材料,在国际上其产量仅次于硅。工艺是研究开发最早的单晶生长工艺, 也是目前生产量最大的工艺,单晶年产量占全世界单晶年产量的 年全球的单晶产量约......”

5、“.....技术含量高,批量生产工艺难度大,日本美国等少数 厂家在上世纪八十年代前后即开始批量生产,但其所使用的生产设备生产工 艺及晶片加工技术对外严格保密。 国际上单晶生产以日本住友电工公司为主,其产量约占全世界产量 的年为,所提供的晶片以,为主。 ,水平砷化镓单晶近年来大量用于红外和高亮度,是 目前生产量和需求量最大增长率最快的化合物半导体器件之。但是由于国内 目前还没有率。 本项目所设计的水平单晶炉是种多段式两温区炉,只有热场配置合理即温度梯 度合适才有可能生长出合格单晶,公司技术人员经过反复实验比较不断优化, 设计出了合理热场,优化了温度分布,为提高单晶生长成品率实现该工艺的产 业化创造了又个有利条件。本项目中,单晶生长采用两步法,即先合成多晶然后再次备料生长单 晶......”

6、“.....两 温区炉高温区温度为。中温区为。这种加热结构既 得到所需的温度分布,又可抑制生长过程中的污染。 污染是由于舟石英管都是石英即材料易于使并入熔体和单 晶中。抑制污染的机理是 在合成和晶体生长中,高温区发生熔体中的与石英反应 分别表示液固气相。 反应使进入,反应使部分与反应生成气相 逸出,二者差值,造成中的并入。 高温区的气相扩散到中温区发生如下反应 液界面也必须与生长方向成定角度。因为杂质主要是掺 杂剂的分凝是以固液界面为界线的,如果单晶生长过程中固液界面与生长 方向之间角度和所切晶片晶向与单晶生长方向之间角度不致,所切晶片上的载 流子浓度会形成浓度梯度,即得不到均匀分布,这会对在晶片上生长 外延材料及器件的成品率和性能造成不良影响。角度不致还有可能在晶体内部 出现热应力而导致晶体完整性差,使增大......”

7、“.....国内外在水平 单晶研究开发中,多年来都是使用管状加热炉。因此,固液界面只能与生 长方向垂直,无法得到所需要的偏角。 管状加热炉除了无法得到所需偏角以外,还很难调制固液界面本身 的平坦度,由于砷化镓热导率相对较低,在采用管状加热炉的情况下固液 界面四周的热环境是固定的,无法变动的,加上热辐射和固液界面的结晶潜 热难以导出,使熔体边缘温度低于中心处温度,往往使固液界面凹向熔体。 这种界面非常容易出孪晶,或使晶体的增大,降低成品率。 在单晶生长理论中,理想的固液界面形状应为平坦的或略为凸向熔体,做到 这点,加热体的设计和制造非常关键。 加热体是单晶生长的核心,对单晶生长影响非常大,是决定单晶生长成功与 否的关键因素之。该产品的设计 反应消耗了,使反应向右继续进行,加剧了向中 的并入。反应与温度关系密切,如将温度升到以上,反应基 本停止......”

8、“..... 我们对多段炉的设计,各段炉温的单独控制及其协调配合控制也进行 了反复实验研究并不断进行了优化,对提高单晶生长成品率发挥了重要作用。 单晶生长速度有时也称为结晶速度本工艺中视为石英反应管相对于加热 炉的相对移动速度是另个重要的技术参数因为熔体结晶的快慢与结晶潜 热的产生,正常传递密切相关,结晶速度控制不当,会严重干扰内加热炉所形 成的温度分布,进而影响单晶正常生长,本项目在对热场配置进行优化时,兼 顾了采用合适的结晶速度这重要参数。固液界面特种加热炉 可很好调整固液界面形状,这对生长不同晶向晶体降低位错密度,提高 成品率都十分重要。单晶生长过程中固液界面形状的控制是提高成品率的关键技 术。在水平单晶生长过程中,无法完全按器件制造所要求的晶向生长,即晶体生 长方向与晶片的晶向有定的夹角,这导致了水平单晶的切片......”

9、“.....为使所切晶片上电学参数尤其是载流子 浓度均匀分布,发 经验,拥有支由该领域知名专家教授及长期从事该项目研究的高工组成的研发 队伍,这支队伍对该项目产品拥有绝对技术优势。该项目技术路线设计合理,关 键技术已经突破,其余技术完全能够实现,项目产品目前已通过权威部门检测和 鉴定,鉴定结果为国际先进。项目目前已有部分产品销售国内外,用户中包括日 本住友电工公司韩国公司等世界知名企业和中科镓英公司等国内用 户,对该产品用户致反映良好。 营销优势公司位于廊坊市经济技术开发区,拥有水平生产厂房,公 司研发基地在北京有研总院。公司在水平生产技术方面处于国际先进水平, 公司是国内唯的批量生产水平晶片晶片的企业。 公司成立了由具有多年水平研究开发经验的专业人员组成的销售队 伍,这支队伍熟悉本项目产品各项性能指标,了解客户需求,比较利于开展工作。 同时......”

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