1、“.....根据图三计算出。表为半导体传感器检测和臭氧，二氧化氮，氯气，二氧化氯和氯化氢最低可检查浓度在临界浓度信号参数指数提供了传感器传感层与吸附分子之间相互作用。对于在真空中传感器传感层,该指数最大值是。这理论值得到出当氧化锌电导率在较低压力下氧化锌形成个表面化合物和形成个电子化导带。最近，这种方法适用于在低气压下对系列表面氧化物吸附游离氧化锌和氧化镍。相同样本，类似实验校氧气值，被证明是等同于公布数据。在空气中参数指数采取不同值不同传感器感应层和不同目标气体杂质，包括那些指数为甚至以上物，氯气，次氯酸和盐酸这些微量物质半导体传感器材料由以下氧化物为主,,都掺杂或者提纯。与型导电性金属氧化物传感器对，和微量杂质受体信号通常产生曝光不足，在气体中出现这些杂质使传感器电阻增加。可以由在不同浓度臭氧中和基传感器动力曲线例子证实。所有研究传感器产生信号完全可逆......”。

2、“.....实验证明和产生信号性质相似。通过研究传感器氧化铟或氧化锌为基础暴露产生特点信号表面，空气湿度，工作温度不同能使传感器产生不同信号，具体而言，传感器电阻可以减少或者增加。推断这种现象在发出和接收到信号与传感器吸附氢氧有关，随着二氧化氯对由于氯氢与氧传感器表面氧化结果出现。为了阐明这种氧化合适条件，我们计算了下，在转换过程中氧化НС在不同温度和湿度大气中氧气反应热力学平衡条件。这些计算表面在干燥室温和低温下，氯形成占主导地位，这是传感器电阻增加主要原因，所有要求增加空气湿度和工作温度减少传感器中转化为。因此，半导体传感器在空气中检测，需要同时检测空气湿度。值得注意是，传感器响应个特定方式加热中等二氧化氯含量导致传感器信号衰减或者完全消失，紫外线照射下呈现出特征信号非单调变化。原因是容易在加热或者紫外线照射下分解......”。

3、“.....最佳工作温度是指既能可以规模实现并使传感器灵敏工作温度。例如，在氧化铟情况传感层，在，和时达到最大灵敏度检测О，和，分别为，。在检测中，对受体信号观察到最大灵敏度为,发出信号在。然而，因为在较低温度下缓慢产生信号，对受体信号НС检测工作温度在。这种情况随着时间转移响应速度在传感器检测气体分解О,СО乃至于惰性材料表面理解不足。在这种情况下，困难在于创造个集中过程步，使其传递到传感器。与此同时和欠反应问题就得能有条不紊解决，这个时间常数估计为或几秒钟。实验测量吸附层中发生反应过程时间常数，气体分子扩散到整个传感层，并在传感器附近更换气体介质速率。为了提高传感器灵敏度，最后两个提到因素作用必须越小越好。在环境检测和控制气体排放过程中测定杂质气体浓度通常在秒后或者几分钟后才能出结果。在数十时间常数或者几秒或者十几分子内能检测出......”。

4、“.....在测量空气中杂质气体浓度动态模式下，在不到秒间隔内，传感器不应超过或几秒钟时间常数。由半导体传感器产生信号通常是目标含杂质非线性变化，对应函数是多项式或幂函数其中是从传感器在目标杂质存在稳态信号是在没有杂质传感器信号是在空气中气体杂质含量,和х无量纲参数，常数取决于对气体性质和传感器传感层。图显示了半导体传感器信号对臭氧浓度不同反应，和，由式处理，来自不同报告图数据显示臭氧热带气旋依赖关系式中参数х和列于表。图对些测试气体杂质浓度各种传感器灵敏度信号进行比较得出些依赖关系，以及用于测量低浓度，和传感器，这些传感器测量结果容易分析。表列出所有在信号噪声比等于气体中杂质最小浓度，以及在С信号比例，在工作区气体杂质允许高大浓度，和日平均浓度空气多个传感器采样。金属氧化物半导体传感器测定图，半导体传感器稳态信号产生与浓度关系臭氧，二二氧化氮，以及二氧化氯......”。

5、“.....传感器三氧化钨，工作温度氧化铟铁，氧化铟，氧化铁，三氧化钨二氧化铟，三氧化钨氧化铟氧化钼氧化铟二氧化锡及，氧化铟氧化铁，氧化铟铁及氧化锌，工作温度目标实质内容二氧化氯，氯气，氯气，盐酸。相关分析信号。我们数据表明。对于同样化学成分和气体制作传感器，不同作者给出表达式中参数和值相差很大。其原因是，传感器感应层参数其制备方法有所不同。在个宽泛浓度范围内，在臭氧环境下些不同化学成分半导体传感器显示出了最高敏感性。这种臭氧环境下高敏感性尤其会在低浓度中凸显。在浓度下，传感器在臭氧中敏感性大约超出了。当浓度大于等于时，传感器对臭氧二氧化氮，氧化铝敏感性变得可比较了以为基础传感器便是个例子。以或者为基础传感器对最不敏感。半导体传感器可以侦测到级别不纯净，和气体。对传感器检测已知杂质含量，进行校准相关实验。传感器气体杂质测量准确个先决条件是传感器信号校准稳定......”。

6、“.....这个比例系数表明了传感器实测浓度灵敏度是统。对目标物质浓度传感器信号非线性依赖使这参数价值不大。在这方面更为可贵是在参数中指数，表征校准必须在整个研究浓度范围内。如果此参数在传感器开发周期不变，将其中个目标杂质浓度为传感器标定特征后，后续控制就足够了。表传感器对空气中臭氧，二氧化氮，二氧化氯，氯气和盐酸浓度产生信号方程。根据图三计算出。表为半导体传感器检测和臭氧，二氧化氮，氯气，二氧化氯和氯化氢最低可检查浓度在临界浓度信号参数指数提供了传感器传感层与吸附分子之间相互作用。对于在真空中传感器传感层,该指数最大值是。这理论值得到出当氧化锌电导率在较低压力下氧化锌形成个表面化合物和形成个电子化导带。最近，这种方法适用于在低气压下对系列表面氧化物吸附游离氧化锌和氧化镍。相同样本，类似实验校氧气值，被证明是等同于公布数据......”。

7、“.....包括那些指数为甚至以上。各种载体上探头，火箭，飞机采用各种载体小型快速传感器，对中间层和上层大气气体组成检测被赋予很大期望。世纪年代以来开展相关研究表明，这种分析做法是完全可能。卡尔波夫物理化学研究所和应用地球化学研究所,,在研究用半导体传感器测量地球大气层上层氧原子浓度方面发展迅速，并设计了相应合作计划。对氧化锌传感器使用与锌原子掺杂氧化锌薄膜制备解决了氢原子氧原子选择性问题受体物种吸附中心年在伏尔加格勒附近进行了现场试验,。种Р气象火箭配备了原子氧传感器分析仪。图比较了利用半导体传感器测量地球大气层中原子氧浓度垂直剖面，与其他方法质谱法，共振光谱获取和银膜方法记录薄银膜电阻变化，由受体活性物种比如氧原子，臭氧计算得出模型比较。可以看出，这些数据吻合......”。

8、“.....实验使用半天时间，并揭示了种氧化铟为基础半导体传感器电阻变化和大气臭氧浓度明显相关性。图年月日近伏尔加格勒半导体传感器测量确定垂直剖面上层大气中原子氧浓度质谱共振光谱，银膜法和,模型计算，。汉斯福德等在英国剑桥大学中心大气科学学院开发并测试了用于测量大气臭氧垂直分布气体分析仪。当臭氧传感器送达个有三氧化钨感测层半导体仪器,这是目前由市科技提供。图给出了臭氧半导体传感器和个标准文书电化学电池，年月在阿伯里斯特威斯英国附近进行了用标准仪器和半导体传感器放入探头测量臭氧浓度试验。接受这种类型测量相关性观察仪器读数,被研究小组认为是相当乐观。本研究团队所开发另个方面是用于地面臭氧监测，也是用三氧化钨为基础传感器。该仪器与光谱仪上测量紫外线吸收进行了同步实验。在英国几个工业中心进行了为期天系列测量。在测量第天,通过之前和之后对臭氧浓度实地测量进行计算校准......”。

9、“.....得到该传感器初步特征,并在随后几天对数据进行进步校准。对于这种传感器这种稳定校准特性研究建议每星期次。在俄罗斯半导体对地面臭氧测量适用性是奥布霍夫大气物理研究所，俄罗斯科学院和联合研究重点。自年月，在气氛观测站已经建立了几大系列地面臭氧测量传感器与气体分析仪实验电路板原型，并在探索。在目前阶段，这些研究目是制定适当仪器和测量技术。在臭氧基础上开发半导体传感器是个新臭氧浓度测量仪半导体臭氧计，由和设计。图。三氧化钨传感器对于大气臭氧剖面记录年月日再阿伯里斯特威斯英国附近个臭氧探测数据与实线电化学气体分析仪和虚线半导体传感器获得。图由和半导体气体分析仪记录地面臭氧浓度日变化。等早期设计测试仪器实验电路模型报道,。被测试测量仪器与美国光学气体分析仪进行了同步。光学分析仪可以广泛用于国际网络站臭氧仪。比较不同测量数据图后有以下建议。首先......”。