1、“.....基本概念和相似，但实施是不同。两个主要组成部分，过压检测器和偏置调节，将在未来章节中讨论。驻波比保护提出功率放大器包括个两个阶段类功率放大器核心和输出电压控制回路。个系统框图如图所示控制回路电压摆幅放大器在第二阶段产出。如果输出摆幅在定条件下驻波或过于高电源电压，偏置，因此放大器增益受限制降低，重新建立输出摆幅。差分功率放大器需要单端转换。除芯片以外所有采用微米工艺。图设计功率放大器核心这两个阶段核心采用是功放大器级间和输入匹配，结构是众所周知，特别是对双极型器件功率放大器，电路图如图差分设计采用了虚拟平面......”。

2、“.....使用功率放大器的趋势越来越多来代替或者功率放大器。虽然目前价格相对比较低廉，但是其射频性能存在劣势，而且还有低的击穿电压。产生破坏，从而出现热载流子效应。这将导致开启电压增大使得跨导降低。电迁移通常是指在电场作用下导电离子运动造成元件或电路失效现象。它可能会导致线路空隙，甚至差距，导致了芯片破坏。电迁移是个问题，尤其是当大直流电流密度存在同个线路中。最后，晶体管个致命威胁是栅氧化层或结暴露在过高电压下会直接被击穿。工艺栅级击穿电压根据晶体管种类在之间。结反向击穿电压约为。天线上负载失配造成过高电压天线上负载失配导致传输信号反射从而形成驻波。反射波幅度和相位可以通过反射因子来度量。如果传输信号幅度为，则驻波最大幅度为。因此在负载失配严重时，驻波幅度可以达到传输信号幅度倍。负载失配可以通过驻波比来反应，是驻波最大电压与最小电压比值......”。

3、“.....甚至会立即导致晶体管击穿。种办法，应付晶体管击穿问题是要面对它工艺水平，融入标准高电压兼容晶体管。这些设备制造过程中就必须增加额外步骤和手段，此外，这些射频晶体管性能般低于标准晶体管。最后，很多半导体公司无生产线，并在独立半导体铸造厂制作。因此，有希望进行替代解决在线路水平上问题，电压反馈电路，以避免线路老化，该电路只适用双极晶体管，不适合用于功率放大器。这项工作提出了个用于功率放大器保护电路。这感觉在开路漏极输出高电压和动态降低偏置和增益放大阶段。基本概念和相似，但实施是不同。两个主要组成部分，过压检测器和偏置调节，将在未来章节中讨论。驻波比保护提出功率放大器包括个两个阶段类功率放大器核心和输出电压控制回路。个系统框图如图所示控制回路电压摆幅放大器在第二阶段产出。如果输出摆幅在定条件下驻波或过于高电源电压，偏置，因此放大器增益受限制降低，重新建立输出摆幅......”。

4、“.....除芯片以外所有采用微米工艺。图设计功率放大器核心这两个阶段核心采用是功放大器级间和输入匹配，结构是众所周知，特别是对双极型器件功率放大器，电路图如图差分设计采用了虚拟平面，导致了良好偶次大电压与最小电压比值。驻波比高电压驻波会加速电迁移长期退化和热载流子效应，甚至会立即导致晶体管击穿。种办法，应付晶体管击穿问题是要面对它工艺水平，融入标准高电压兼容晶体管。这些设备制造过程中就必须增加额外步骤和手段，此外，这些射频晶体管性能般低于标准晶体管。最后，很多半导体公司无生产线，并在独立半导体铸造厂制作。因此，有希望进行替代解决在线路水平上问题，电压反馈电路，以避免线路老化，该电路只适用双极晶体管，不适合用于功率放大器。这项工作提出了个用于功率放大器保护电路。这感觉在开路漏极输出高电压和动态降低偏置和增益放大阶段。基本概念和相似，但实施是不同。两个主要组成部分......”。

5、“.....将在未来章节中讨论。驻波比保护提出功率放大器包括个两个阶段类功率放大器核心和输出电压控制回路。个系统框图如图所示控制回路电压摆幅放大器在第二阶段产出。如果输出摆幅在定条件下驻波或过于高电源电压，偏置，因此放大器增益受限制降低，重新建立输出摆幅。差分功率放大器需要单端转换。除芯片以外所有采用微米工艺。图设计功率放大器核心这两个阶段核心采用是功放大器级间和输入匹配，结构是众所周知，特别是对双极型器件功率放大器，电路图如图差分设计采用了虚拟平面，导致了良好偶次谐波取消，该差分结构，尤其是个重要单片机发器，因为它减少了大功率放大器干扰信号和其他组成部分。通过对变压器磁耦合器，放大器耦合被电隔离。所以偏置可设定为两个阶段。正如图中可以看出。电流于偏置，利用变压器中心抽头。谐振需要调整，以减少输入和输出变压器在作方面费用微调电容和被添加到匹配网络，实现了工作频率共振......”。

6、“.....个良好级间匹配和输入匹配被发现。尽管如此通过电容晶体管空间是有限，此问题是更比双极型器件严重，获取更高频率更差。功率放大器是专为集成到个单芯片收发器，它是在两个电池供电下工作，功率放大器直接连接电池，两个串联镍氢电池电压是当电池充电时，电原电压在很短时间内可达到，早先提交了份输出功率微米功率放大器具有良好性能，已高于低电源电压可靠性问题。因此，除了保护电路驻波，重点放在已经意识到可行性设计和功率放大器核心布局。图输出匹配和差分至单端转换负载阻抗变换和差分到单端转换被微型利用。差分负载阻抗功率放大器输出转变是相同频率，它是由高次谐波不平等。因此，在不同峰值电压漏输出驻波比时，可能会有所不同应用条件。因此，有必要监测与过压检测器都漏输出峰值电压过电压检测对于过电压检测电路如图它由个二极管链和个并联电阻电容组成。在最后节点射频射出二极管链是连接到功率放大器漏极输出节点......”。

7、“.....因此，输出电压不加载和功率放大器表现也没有变差。如果在驻波比情况下，峰值输出电压超过•，通过二极管链和电容器电流。电压，这是用来控制偏压，上升到。高阻抗并联电阻必须履行驻波条件，允许功率放大器返回正常状态。或者到个高阻抗低偏置电阻器使用，有可能节省芯片面积。很显然，采用二极管连接晶体管，用晶体管代替二极管是不可能。个二极管连接晶体管漏极电压低于大部分电压，从而导致二极管反向偏置。因此，可能破坏晶体管。图动态偏置调节电压是用来调节放大器偏置点阶段，是让简单电流是在功率放大器偏置在图中使用。让扩大路在图中展示出来，图正常操作电压个相当高参考电压。因此管晶体管在左边输入阻抗要高于在右边输入阻抗。目前所有都是从右边通过，射频是参考电流放大级和形成个电流镜在图中显示。如果检测出个非常高电压射频，电压控制如上图所示，目前晶体管减小......”。

8、“.....从而降低输出电压摆幅回到正常状态该控制回路是晶体管电容在输出阶段。当控制电压突然上升，如有，在射频输出节点突然出现个输出级晶体管，因此有立即崩溃危险，因此电压波动仍然存在。解决这个问题是通过增加个额外晶体管如果控制电压上显示电压可能导致故障切换。在这种情况下，对排放立即增大，从而开关功率放大器在个射频周期控制电压，交换机上可以与个电阻分压器调节可变脉冲发生器在图中显示是级联和有源器件功率放大器输出级漏级电压模拟结果，图中是在。和欧天线负载下波形。在图中展示了强大负载失配情况下，供应电压提高到。当在漏极输出节点加最大电压，使得功率放大器在最坏情况下由正常操作上升到。如果没有更高漏极循环电压控制，导致功率放大器第阶段输出故障。在正常操作下，通过保护电路功率放大器表现是不会下降。图图该检测器和偏置电压调节器在开环模式下进行了瞬态分析......”。

9、“.....高电压会被立即检测并且随着很少射频周期偏置会降低，在图中随着开环检测模式没有射频输出可以看出漏极电压减少。图测试结果种用于功率放大器过电压保护电路被提出了，在功率放大器输出高电压时该电路需要被保护，当负载不匹配，个控制回路检测在输出电压幅度过高，降低了功率放大器增益，以降低输出电压值，控制回路是应用于制作与量测在微米功率放大器。这个功率放大器输出超过在千兆赫。模拟显示功能和控制回路响应速度快，在正常操作下功率放大器表现不会应为过电压保护下降。外文原文产生破坏，从而出现热载流子效应。这将导致开启电压增大使得跨导降低。电迁移通常是指在电场作用下导电离子运动造成元件或电路失效现象。它可能会导致线路空隙，甚至差距，导致了芯片破坏。电迁移是个问题，尤其是当大直流电流密度存在同个线路中。最后，晶体管个致命威胁是栅氧化层或结暴露在过高电压下会直接被击穿。工艺栅级击穿电压根据晶体管种类在之间......”。