1、“.....退火后，片沿外切方向切片并通过常规准备技术制作成样品。图在度时退火后堆垛层错传统图像。黑色箭头标志外延层表面，白色箭头指示是外延层和基体界面在没有表面损伤退火过样品里，发现在微米厚外延层横截图里，只有个或者两个堆垛层错。图显示了个没有表面损伤样品常规图像。从右下角向左上角蔓延暗线对应堆垛层错呈现叠加效果。在纳米层错片间平均距离，他们密度是微米。对应微米层厚表面结构，所有层错在相同距离终止。用于故意损伤表面层间层错密度远高于相应没有损伤层个数量级，我们可以想到大多数层错集中在表面并且通过界面在层间移动。传统电子显微镜简单所述结果无法毕业设计论文外文资料翻译学院系材料科学与工程学院专业材料科学与工程专业姓名学号外文出处，附件文资料翻译译文外文原文。指导教师评语签名年月日注请将该封面与附件装订成册。用外文写附件外文资料翻译译文退火过程中高掺杂的外延层里堆垛层错的形成，......”。

2、“.....卡耐基梅隆大学，匹兹堡机理。由机械变形所致堆垛层错形成在中能观察到。等人在度和度之间压缩型，超过度，已基面伯格斯矢量为位错运动变形。这些典型位错根据反应，被分成开头和结尾部分位错。在边界部分中心，没有硅原子就有碳原子，因此并将会有不同性质。在度时，边界部分平衡距离间被观察到在纳米到纳米之间。在度到度之间，只有硅中心部分位错在他们后面观察到宏观堆垛层错移动。对于边界部分移动，激活温度不同显然是由于位错中心不同结构所致。在硅中存在点缺陷贯通是另个堆垛层错形成机理。在硅氧化期间，氧原子已经被观察到代替硅原子进入间隙位置，该位置上，氧原子在硅氧化物界面附近面紧密排列形成额外层，这个额外面是外在弗兰克缺陷。等人根据理论计算等人根据实验结果，最近提出了个形成机理。这些作者认为堆垛层错可以在高度型掺杂中自发形成，因为晶体能降低自身能量通过电子随着堆垛层错进入量子阱状态方式......”。

3、“.....这些层错分布在整个晶体中，并通过高清晰被确认为双层肖克利堆垛层错。导致形成堆垛层错间隙贯通机理从层错结构方面考虑可以消除。等人计算了由于电子进入量子阱状态而得到能量增加，把其作为通过中性浓度条件温度和氮掺杂浓度个函数。计算结果表明，在典型设备加工温度下掺杂浓度比三剩以十十九次方更高晶体里，堆垛层错可以自发形成，这与等人观察致。然而，迄今为止对于是应力作用还是量子阱作用形成堆垛层错，还没有确凿实验证据。在这项研究中使用样品包括通过化学气相沉积生长大约微米厚型同质外延层。衬底向削减度。通过来确定自身结构是自由堆垛层错。小方片被切下并对通过研磨粉研磨无论是得到还是引入损伤表面进行退火。氩气气氛下度退火进行分钟。在退火和在形成任何面没有氧化标志保留干净表面，样品没有受到任何明显外部压力源。退火后，片沿外切方向切片并通过常规准备技术制作成样品......”。

4、“.....黑色箭头标志外延层表面，白色箭头指示是外延层和基体界面在没有表面损伤退火过样品里，发现在微米厚外延层横截图里，只有个或者两个堆垛层错。图显示了个没有表面损伤样品常规图像。从右下角向左上角蔓延暗线对应堆垛层错呈现叠加效果。在纳米层错片间平均距离，他们密度是微米。对应微米层厚表面结构，所有层错在相同距离终止。用于故意损伤表面层间层错密度远高于相应没有损伤层个数量级，我们可以想到大多数层错集中在表面并且通过界面在层间移动。传统电子显微镜简单所述结果无法面是外在弗兰克缺陷。等人根据理论计算等人根据实验结果，最近提出了个形成机理。这些作者认为堆垛层错可以在高度型掺杂中自发形成，因为晶体能降低自身能量通过电子随着堆垛层错进入量子阱状态方式。等人观察在氩气度高掺杂碳化硅晶体中堆垛层错带退火。这些层错分布在整个晶体中，并通过高清晰被确认为双层肖克利堆垛层错......”。

5、“.....等人计算了由于电子进入量子阱状态而得到能量增加，把其作为通过中性浓度条件温度和氮掺杂浓度个函数。计算结果表明，在典型设备加工温度下掺杂浓度比三剩以十十九次方更高晶体里，堆垛层错可以自发形成，这与等人观察致。然而，迄今为止对于是应力作用还是量子阱作用形成堆垛层错，还没有确凿实验证据。在这项研究中使用样品包括通过化学气相沉积生长大约微米厚型同质外延层。衬底向削减度。通过来确定自身结构是自由堆垛层错。小方片被切下并对通过研磨粉研磨无论是得到还是引入损伤表面进行退火。氩气气氛下度退火进行分钟。在退火和在形成任何面没有氧化标志保留干净表面，样品没有受到任何明显外部压力源。退火后，片沿外切方向切片并通过常规准备技术制作成样品。图在度时退火后堆垛层错传统图像。黑色箭头标志外延层表面，白色箭头指示是外延层和基体界面在没有表面损伤退火过样品里，发现在微米厚外延层横截图里......”。

6、“.....图显示了个没有表面损伤样品常规图像。从右下角向左上角蔓延暗线对应堆垛层错呈现叠加效果。在纳米层错片间平均距离，他们密度是微米。对应微米层厚表面结构，所有层错在相同距离终止。用于故意损伤表面层间层错密度远高于相应没有损伤层个数量级，我们可以想到大多数层错集中在表面并且通过界面在层间移动。传统电子显微镜简单所述结果无法区分两种可能形成机制压力相关和形层错成。在模型下，伴随高于三剩以十十九次方载流子浓度，层错可以在整个外延层里形成部分结构。对于应力作用形成层错，情况相当类似。高掺氮碳化硅预计将有比低掺杂碳化硅更小晶格参数，因为氮原子代替了碳原子而且氮原子半径比碳原子更小。因此，在低掺杂衬底沉积高掺杂层晶格应该是张紧，以便于衬底上形成统界面。由于外延层比衬底薄两个以上数量级，所以拉伸应力场只存在于外延层，且变形也限制在外延层。此外，要注意在拉伸状态下层中......”。

7、“.....所有位错应该有个在层里包含额外半平面边缘部分，来扩大从界面到层表。有相反伯格斯矢量标志位错会增加系统能量而不是降低它。我们通过射线衍射试图确定由于掺杂而引起晶格常数改变，但是结果低于检测限。基面反射显示只有个明确峰在半处很明显。这使得应力作用不可能形成层错。不过，可以想到，低于射线技术检测限应变可以使层错扩张，后来我们将试图消除这种可能性。在量子阱模式情况下，剪切方向和额外半面方向确实不重要，如果由于掺杂不同引起应变能量可以忽略，那么在高掺杂层里，用相同频率可以观察到这两个方向。事实上，如果在结构中观察到所有层错是同个类型，那么最早大多数应变自由层会通过插入或者额外材料去除来张紧。为了减小这种能量，模型应该在相同比列下产生两种类型层错。图个双重堆垛层错两个边界部分向下额外面高分辨图像。伯格斯线路和矢量用圆圈和箭头标记。由于基面倾向外延层表面度......”。

8、“.....通过高分辨，对大约种堆垛层错进行了研究。他们所有都有包含立方堆积顺序排列六层结构。这些结构与和等人报道致，对应于在两相邻基面上通过部分位错滑动形成双层堆垛层错。种堆垛层错末端通过高分辨被观察到，如图和所示两个例子。图显示是对肖克利层错两边界部分高分辨图像。图左边对应于层顶部，基面朝结构表面倾斜度，堆垛层错从图左边移动到右边。在图左边，可以看见对肖克利层错个堆垛序列。在右边，序列变成，对应于个单独肖克利层错。这意味着图像包含个双层错边界部分位错。图中绘制伯格斯线路显示该位错是伯格斯矢量为箭头所示个肖克利层错部分。额外半平面和位错是朝下向衬底。图表明同样堆垛层错高解析度图像就像图，其还包含另个双层层错复层。它在图中位于离显示区域纳米。在图中，堆垛序列由个单独肖克利层错变为完整序列。伯格斯线路表明在图中，部分位错也是个由相同伯格斯矢量肖克利部分层错......”。

9、“.....观察到所有双层堆垛层错末端由两个位于相邻基面边界部分。两个部分之间距离在到纳米间。在模型中，两部分不能太远，因为如果太远话，单独层错区域会变得更宽且这是不利。两部分不能太近，因为他们由同样伯格斯矢量，会相互排斥。两部分之间距离可能取决于这之间相互竞争因素。图向上额外面两边界部分高分辨图像。伯格斯线路和矢量用圆圈和箭头标记图显示了另对终止在外延层基体界面肖克利层错两个边界部分高解析度图像。图和取向和内容与图相似。在图中，对肖克利层错变成了随着图所示变成完整堆垛序列个单独肖克利层错。对于图两部分额外面位置与图不同两个平面向下指向表面，且他们存在外延里。这个单独观察由于掺杂不同所引起应力诱导作为形成层错动力。有人可能会问，但是，如果生长里缺陷形成局部应力诱导可能会有效。答案似乎是否定。研究中分析两个双层错只有纳米距离，他们有不同伯格斯矢量痕迹。因此......”。