1、“.....表明系统热力学条件稳定重现性好。平均速率米秒是计算出测量值。在这两项实验中多晶硅锭生长过程界面曲率都是中心到两侧大约高度差别凸形界面。图依据公式计算出在多晶硅锭生长方向碳含量分布碳氧含量如图，由于氧偏析和在凝固过程超过它在硅中溶解度使氧含量在晶体生长方向上是增加。这导致沉淀，并且使这两个多晶硅锭碳含量测量值偏离真实碳浓度，这是由于傅立叶变换红外光谱只能测量替代位碳浓度。这两个多晶硅锭碳分布是很相似，在硅锭中心部位浓度大约都是。假定碳分凝系数是，则碳浓度可以通过方程计算出来。假设开始碳浓度为，实测碳浓度和用出处太阳能级多晶硅的长晶速率和杂质分布，摘要在工业规模的多晶铸锭炉中，定向凝固法铸造多晶硅的长晶速率是由固液界面位置变化情况决定的。两个实验让硅从底部以接近平直的固液界面垂直向上生长，凝固完后以不同的速率冷却。发现米秒的平均凝固速率和从坩埚底部温度的计算值相吻合......”。

2、“.....在第项研究中，定向凝固完成后迅速关闭电源，导致在小时内使加热器温度由到迅速降低。在第二项实验中，凝固完成后控制冷却速率为进行冷却。在温度为时关闭电源。特征描述对从每炉取出样品进行进步分析。多晶硅中心部分保留用作试样加工，并且对多晶硅中心外进行进步检测。图片显示是检测样品。首先将个两厘米厚样品切割然后经过进步加工成厚度约为毫米样品。样品高度和多晶硅锭高度是等价，因此对多晶硅锭性能随生长方向变化进行了研究。切割过程中去除样品底部部分。傅立叶变换红外光谱仪用来测量多晶硅锭中碳氧含量。傅立叶变换红外光谱仪可测量替代位氧浓度和间隙氧浓度分别从和到它们在硅中最大溶解度。这些测量是在个表面抛光厚样品上进行，并用标准测量在来两个多晶硅锭生长方向进行碳氧含量测量。准稳态光电导衰减仪被用来测量多晶硅锭中少子寿命，这些测量是在厚样品上进行。图从上面观察用于进步分析多晶硅锭试样位置......”。

3、“.....石墨中热传导结果凝固假设热量是从坩埚底部辐射出去，则凝固界面位置可以通过个样品热传导模型计算出来。当假设所有界面具有相同区域图在固体硅，石英坩埚以及坩埚底部石墨绝缘材料热传导可以用表来表示。图系统温度和厚度变化曲线图凝固高度计算值和测量值随时间变化曲线联立公式并且假设可以得出下面公式在凝固过程中假定热传导系数是不同，冷却温度是用热电偶测量。经过结晶固态硅热传导可以表达为是硅热焓，是硅密度，是硅摩尔质量，是硅长晶速率，假设公式公式，则下面公式可以计算出多晶硅长晶速率在假设熔体没有过热情况下公式是忽略第二种情况简化，。在公式中。石英坩埚导热系数是不定，并且是不变。它也表明了热传导系数是由坩埚涂层厚度和密度决定事实。因此，在两种不同传导计算中很难量化和长晶速率。当假设坩埚热传导系数是时计算晶体生长高度与凝固过程测量值是相符合，如图所所测得凝固程度随时间变化在两个实验中是很相似......”。

4、“.....平均速率米秒是计算出测量值。在这两项实验中多晶硅锭生长过程界面曲率都是中心到两侧大约高度差别凸形界面。图依据公式计算出在多晶硅锭生长方向碳含量分布碳氧含量如图，由于氧偏析和在凝固过程超过它在硅中溶解度使氧含量在晶体生长方向上是增加。这导致沉淀，并且使这两个多晶硅锭碳含量测量值偏离真实碳浓度，这是由于傅立叶变换红外光谱只能测量替代位碳浓度。这两个多晶硅锭碳分布是很相似，在硅锭中心部位浓度大约都是。假定碳分凝系数是，则碳浓度可以通过方程计算出来。假设开始碳浓度为，实测碳浓度和用米厚样品切割然后经过进步加工成厚度约为毫米样品。样品高度和多晶硅锭高度是等价，因此对多晶硅锭性能随生长方向变化进行了研究。切割过程中去除样品底部部分。傅立叶变换红外光谱仪用来测量多晶硅锭中碳氧含量。傅立叶变换红外光谱仪可测量替代位氧浓度和间隙氧浓度分别从和到它们在硅中最大溶解度......”。

5、“.....并用标准测量在来两个多晶硅锭生长方向进行碳氧含量测量。准稳态光电导衰减仪被用来测量多晶硅锭中少子寿命，这些测量是在厚样品上进行。图从上面观察用于进步分析多晶硅锭试样位置。表热量分别在硅坩埚，石墨中热传导结果凝固假设热量是从坩埚底部辐射出去，则凝固界面位置可以通过个样品热传导模型计算出来。当假设所有界面具有相同区域图在固体硅，石英坩埚以及坩埚底部石墨绝缘材料热传导可以用表来表示。图系统温度和厚度变化曲线图凝固高度计算值和测量值随时间变化曲线联立公式并且假设可以得出下面公式在凝固过程中假定热传导系数是不同，冷却温度是用热电偶测量。经过结晶固态硅热传导可以表达为是硅热焓，是硅密度，是硅摩尔质量，是硅长晶速率，假设公式公式，则下面公式可以计算出多晶硅长晶速率在假设熔体没有过热情况下公式是忽略第二种情况简化，。在公式中。石英坩埚导热系数是不定，并且是不变......”。

6、“.....因此，在两种不同传导计算中很难量化和长晶速率。当假设坩埚热传导系数是时计算晶体生长高度与凝固过程测量值是相符合，如图所所测得凝固程度随时间变化在两个实验中是很相似，表明系统热力学条件稳定重现性好。平均速率米秒是计算出测量值。在这两项实验中多晶硅锭生长过程界面曲率都是中心到两侧大约高度差别凸形界面。图依据公式计算出在多晶硅锭生长方向碳含量分布碳氧含量如图，由于氧偏析和在凝固过程超过它在硅中溶解度使氧含量在晶体生长方向上是增加。这导致沉淀，并且使这两个多晶硅锭碳含量测量值偏离真实碳浓度，这是由于傅立叶变换红外光谱只能测量替代位碳浓度。这两个多晶硅锭碳分布是很相似，在硅锭中心部位浓度大约都是。假定碳分凝系数是，则碳浓度可以通过方程计算出来。假设开始碳浓度为，实测碳浓度和用公式描绘出浓度分布剖面图是相吻合......”。

7、“.....定向凝固排杂效应，与从熔体表面蒸发效应。在两块多晶硅锭中都是底部氧浓度相当高并且从底部到顶部是减少，如图所示。导致硅锭下面部分浓度高原因是从坩埚向熔体中氧扩散。由于凝固过程减小了石英坩埚和熔体接触面，并且在固体硅中缓慢氧扩散提供了较少空位。在凝固过程中氧从熔体表面蒸发并且这种蒸发效应是个恒定常数。因此在多晶硅生长方向上氧将是个减少趋势。缓慢冷却多晶硅锭具有高氧浓度主要是由较差坩埚涂层质量引起较多氧扩散到硅中引起。图氧含量沿多晶硅锭生长方向分布曲线图少子寿命估算值沿多晶硅锭生长方向分布曲线寿命测试用于估算界面再结晶时间少数载流子寿命如图所示。采用缓慢冷却多晶硅锭少数载流子寿命是快速冷却多晶硅锭少数载流子寿命五分之。讨论采用石英棒测试固液界面位置可能会增加熔体中氧浓度。这些实验也证明了涂层对氧浓度巨大影响。凝固完成后通过目测多晶硅锭显示多晶硅锭周围坩埚碎片具有很高氧浓度......”。

8、“.....这表明在实验过程中坩埚和熔硅之间有直接接触，导致了多晶硅锭中氧浓度等级提高。傅立叶变换红外光谱仪测试值是由样品电阻率决定。对于电阻率为欧姆到欧姆之间型半导体适合用傅立叶变换红外光谱测试。这个偏差在定程度上影响着结果，但杂质分布情况和在两个多晶硅锭之间比较提供有价值信息。快速冷却和缓慢冷却样品少子寿命测试值存在着很大差异。最高少子寿命是在缓慢冷却多晶硅锭中发现。这是和预期快速冷却速度将会产生更多应力进而产生更多位错是相反。比较图和图我们会发现，如果不顾多晶硅锭顶部几乎样氧浓度，它们少子寿命偏差是不同。然而，缓慢冷却多晶硅锭较低电子寿命并不是由高氧浓度导致。这些实验中用石英坩埚般含有，并且表明铁对多晶硅锭少子寿命有很大程度上影响。缓慢冷却多晶硅锭具有较低少子寿命个原因也许是因为较多氧从石英坩埚中扩散到硅中。同样，较差涂层质量导致更多氧从坩埚中扩散到熔体......”。

9、“.....在两个多晶硅锭中氧含量检测应该进行来确定这点。在实验中，多晶硅凝固后设定冷却速率为常用值，但是实际冷却速率会有所降低，原因是系统中热量不可能那么快排出。当在温度下退火小时可降低多晶硅锭中位错密度。实验用种更加标准冷却曲线比较了用快速冷却铸造多晶硅锭和缓慢冷却铸造多晶硅锭少子寿命，它看起来凝固后快速冷却速度并不会降低电子寿命。然而，进步实验需进行来支持这理论。图较差坩埚涂层引起粘锅结论用于太阳能电池片制造硅是用定向凝固法生长。在多晶铸锭炉中有着稳定热力学条件情况下，两个实验中多晶硅长晶高度随时间变化函数是很相似。平均凝固速率确定是大约是米秒，这个速率与从坩埚底部温度测量值计算吻合较好。凝固过程中固液界面曲率是稍凸。在多晶硅锭生长方向上发现碳含量是逐渐增加，这是由于氧分凝引起。并且在多晶硅锭中间部分碳浓度为。在两个多晶硅锭中碳分布是很相似......”。