1、“.....在理想意义上可控硅整流器，就像是个二极管不会在任何个方向进行，直到它被打开或关闭。注相似个二极管，但添加了终端，叫做门。如果是向前偏见，否则就无法行为。现在，假设个电压，就放在阴极门。会有些积极电压值触发电压其中可控硅将开始进行阳极阴极和行为像个正常二极管。即使门电压拿走，它也会继续进行这样个二极管，这是，旦打开，将为零，无论门。只有这样，才能把可控硅回关是有正向偏压条件下带走。这意味着电压必须跌破可控硅正向压降，使低于最低值，电流下降称为维持电流，或从阳极阴极必须实际极性相反。认为可控硅不能轻易被关闭事实限制了它在直流应用到那些下面些减少持有正向电流值方法可以提供案件。在交流电路中，可控硅整流器自动打开时，在每半个周期交流电压施加到可控硅极性就会相反。可控硅特点及规格如下最大正向电流。有个最大电流可控硅可以放在正向电流中，不会损坏。此值各不相同，从几百毫安还有千余毫安放大器......”。

2、“.....个二极管，有个额外相反偏差电压电压那能适用于控硅整流器无损害。他们值不同，几个伏特到几千伏特触发电压。最低栅极电压来驱动不同可控硅导通类型之间大小，从几伏到触发电流。有个最低触发电流，在提供电压源前必须可以被关闭。几个值有所不同，从几毫安到几百毫安保持电流。这是指最低阳极对阴极电流必要可控硅保持在正向导电状态进行。该值从到毫安。操作个变化中可控硅是以半波运行直流电压操作。触发电压是由些电路研制生产在定外加交流信号选择阶段脉冲。因此，在可控硅打开个重复方式，如图所示。关闭，当然，在每半个周期当极性反转。通过改变部分正半周时，触发应用，有效直流电压值应用于负载可提高。当然，这可能是此直流电压半波整流电路最大有效值。如果需要更多电源，可选用可控硅全波桥式电路。触发电压，现在必须在每半个周期产生并应用到可控硅触发门终端。在过程控制应用中......”。

3、“.....改变了在该脉冲被应用到门，从而改变了通电载入时间。加到负载上电压脉动直流。此配置不能用于带负荷操作，需要交流电压。触发控制在过程控制应用，电路控制信号转换成合适触发信号传送到是必需。这样电路通常是由电子系统组成，该系统使用控制电压决定交流负载电压。控制信号电压通过个指示灯来提供相应驱动器晶体管，从而确保了电源电路控制电路隔离。在低基数驱动电容充电慢，直到不会达到周期后期可控硅触发电压因此低负荷功率。个大控制信号提供在高调速系统中，电容器收取速率将要快得多。然后，可控硅将打开更长周期，将提供更多能力来承担负载。电力电子技术,,,,,,,,,,,,,教师评语教师签名年月日隔离是免费寄生设备，如二极管。部分硅控整流器已成为大功率电器重要组成部分和信号调理控制部分。在些方面，它是个固态继电器替换品，虽然在些方面还有些差距。在理想中标准二极管，是个单向传导电流器件......”。

4、“.....就像是个二极管不会在任何个方向进行，直到它被打开或关闭。注相似个二极管，但添加了终端，叫做门。如果是向前偏见，否则就无法行为。现在，假设个电压，就放在阴极门。会有些积极电压值触发电压其中可控硅将开始进行阳极阴极和行为像个正常二极管。即使门电压拿走，它也会继续进行这样个二极管，这是，旦打开，将为零，无论门。只有这样，才能把可控硅回关是有正向偏压条件下带走。这意味着电压必须跌破可控硅正向压降，使低于最低值，电流下降称为维持电流，或从阳极阴极必须实际极性相反。认为可控硅不能轻易被关闭事实限制了它在直流应用到那些下面些减少毕业论文设计外文翻译题目电力电子技术二系部名称专业班级学生姓名学号指导教师教师职称年月日电力电子技术二部分晶闸管在晶闸管工作状态，电流从阳极流向阴极。在其关闭状态，晶闸管可以阻止正向导电，使其不能运行。可触发晶闸管能使导通状态正向电流在短时间内使设备处于阻断状态......”。

5、“.....旦设备开始进行，闸极电流将被隔离。晶闸管不可能被闸关闭，但是可以作为个二极管。在电路中，只有当电流处于消极状态，才能使晶闸管处于关闭状态，且电流降为零。在设备运行时间内，允许闸在运行控制状态直到器件在可控时间再次进入正向阻断状态。在逆向偏置电压低于反向击穿电压时，晶闸管有微乎其微漏电流。通常晶闸管正向额定电压和反向阻断电压是相同。晶闸管额定电流是在最大范围指定和它是有能力进行平均电流。同样对于二极管，晶闸管在分析变流器结构中可以作为理想设备。在个阻性负载电路中应用中，可以控制运行中电流瞬间传至源电压正半周期。当晶闸管尝试逆转源电压变为负值时，其理想化二极管电流立刻变成零。然而，按照数据表中指定晶闸管，其反向电流为零。在设备不运行时间中，电流为零，重要参数变也为零，这是转弯时间区间从零交叉电流电压参考......”。

6、“.....只有在这个时间，设备才有能力阻止它不是处于正向电压导通状态。如果个正向电压应用于晶闸管这段时间已过，设备可能因为过早地启动并有可能导致设备和电路损害。数据表指定晶闸管通过反向电压在这段期间和超出这段时间外个指定电压上升率。这段期间有时被称为晶闸管整流电路周期。根据使用要求，各种类型晶闸管是可得到。在除了电压和电流额定率，转弯时间，和前方电压降以及其他必须考虑特性包括电流导通上升率和在关闭状态下降率控制晶闸管阶段。有时称为晶闸管转换器，这些都是用来要是整顿阶段，如为直流和交流电机驱动器和高压直流输电线路应用电压和电流驱动。主要设备要求是在大电压电流导通状态或低通态压降中。这类型晶闸管生产晶圆直径到厘米，其中平均电流目前大约是，阻断电压为之逆变级晶闸管。这些设计有小关断时间，除了低导通状态电压，虽然在设备导通状态电压值较小，可设定为和。他们关断时间通常在几微秒范围到之间......”。

7、“.....这些会被束脉冲光纤触发使其被引导到个特殊敏感晶闸管地区。光化晶闸管触发，是使用在适当波长光对硅产生多余电子空穴。这些晶闸管主要用途是应用在高电压，如高压直流系统，有许多晶闸管被应用在转换器阀门上。光控晶闸管已经发现等级，有，导通状态电压光触发毫瓦功率要求。还有其它些晶闸管，如辅助型关断晶闸管关贸总协定，这些晶闸管其他变化，不对称硅可控和反向进行，晶闸管。这些都是应用。部分功率集成电路功率集成电路种类现代半导体功率控制相当数量电路驱动，除了电路功率器件本身。这些控制电路通常由微处理器控制，其中包括逻辑电路。这种在同芯片上包含或作为功率器件来控制和驱动电路将大大简化了整个电路设计和扩大潜在应用范围。这样整合将会产生个更便宜和更可靠电源控制系统。总来说，将减少复杂性较少独立电路和使用这类功率集成电路系统组件。这样整合已经被证明有很多应用......”。

8、“.....高电压集成电路能够和离散模块。功率集成电路领域，特别是智能交换机和，被认为是和目前水平相差约伏或更少。离散模块涵盖更广泛电压电流范围。智能开关垂直电力及其他组件设备，而无需动力装置垂直过程顺序是可行。如片上过流和过温传感器，以及驱动部分都是可用，可以包含例子。结形成漂移地区和区域始终是反向偏置，如果垂直功率场效应管漏极是相对于电源，从而积极为这个路口提供了电气隔离之间横向和纵向场效应管。高电压集成电路都采用传统逻辑设备制造过程，但些修改，使横向高电压设备也可兼容低电压设备。两个简单例子，每个在其中各种设备之间实现了电气隔离方式不相同，有更多复杂性。离散模块是由多个芯片安装在个共同绝缘基板，密封成个包。他不包括各种芯片垂直器件，驱动电路芯片和控制电路芯片甚至个控制器，以及其他可能功能。尽管这种方法并不是个完全集成制造方法，但是我们有潜力......”。

9、“.....石化商业化所面临挑战使用整合电力电子电路面临几个经济和技术方面挑战。技术问题包括。电气隔离从低电压元件高压元件热管理功率器件，通常工作在更高温度下成套设备高压导线上互连芯片运行在低电压设备或低电压地区制造过程中必须提供设备和组件完整范围除了晶体管二极管电阻电容此外，功率集成电路使用面临许多经济问题。这些包括。大量前期开发成本之前，任何生产运行成本差异三种类型需要大批量应用到恢复大开发费用。在解决挑战研究进展低压设备与来自高压元素，也可以实现介电分离结分离或自己分离。介质隔离能实现两种方式。隔离主要由蚀刻切片或晶圆片上面生长着层二氧化矽。其次，把矽沉积在二氧化硅中。沉积下来硅退火后，高温，在再结晶过程中，可以用于制作低压设备。介质隔离是免费寄生设备，如二极管。部分硅控整流器已成为大功率电器重要组成部分和信号调理控制部分。在些方面，它是个固态继电器替换品......”。