1、“.....使用下面技术进行了表征。晶体结构变化与方法所得薄膜起总结在图中，比较粉末样品和薄膜。氧化钼是稳定正交结构。图。比较得到氧化物粉末图谱和渗碳后纳米氧化膜底部和后顶部图谱。获得有价值氧化物和硬质合金。用射线衍射仪测定沉积氧化膜它是非晶，但是将它在空气中退火结晶时温度，在渗碳过程中，氧化膜转化过程中形态变化，如图所示。将薄膜样品与退火所得粉末样品相比较，表明多晶硅氧化钼在方向上择优生长。渗碳过程完成后，同样材料测定。再次观察粉末，样品与完全和质量。使用形成氧化物将产生在更广泛承印物上。薄膜通过催化条件转化为相。使用套分析技术可将整个过程中膜组成和结构演变进行了量化。试验氧化氮合成在混合在个电容耦合系统中使氧化钼薄膜沉积。采用类似反应化学方法，用类似气体混合物，已成功地应用于合成电致变色薄膜。钼六氟化硫......”。

2、“.....但是反应过程中产生氟自由基蚀刻膜是可逆。为了解决这问题，我们添加了氢高频电子流来除去氟原子形成。还提供氧气过量，以形成充分氧化膜。这里描述所有方法是在常温下进行，并且电压固定在。使用校准针阀控制生成，而电子质量流量控制器控制氧气和氢气流速。该反应沉积压力范围为−毫托取决于机械泵爱德华兹，控制。渗碳渗碳过程中进行在温度控制，控制空气留恋煅烧氧化钼粉公司，过程来验证初步研究通过条件。约粉末放在坩埚中通入空气在下煅烧，个小时可脱附任何水分气体。然后把空气流量调到原来。速度在混合在总流量，温度从分钟到分钟，并煅烧小时。渗碳后，密封样品冷却至室温，这也有助于钝化硬质合金前暴露在空气中流动。氧化膜被转化成钼硬质合金使用方法。描述椭偏光谱,被用来确定氧化膜厚度和折射率。在处折射指数范围内收集数据测量角度为在。射线衍射仪......”。

3、“.....射线光电子能谱,进行用铝射线源。分析室基压，并结合国家高分辨率光谱扫描时间秒。样品分析进行离子溅射处理，溅射时间为分钟，这被是消除不定型碳所需最小时间。薄膜形貌和表面粗糙度用场发射扫描电子显微镜，和原子力显微镜,来观察。结果与讨论氧化钼合成在这项工作中观察到相同在以前在里用法合成。沉积速率用第次实验流量。优化速度和质量重要价值要靠控制其合作试剂和之间比率。图显示了这些参数对沉积速率和折射率相互影响关系。首先，请注意，在所有实验中提供过剩氧气。氧气相对不敏感率为纳米分钟，下降比例略有增加图。可以采取折射率测量薄膜密度，它被证明它与氢含量相关。在处折射率值基本保持不变，而这值之间是薄膜竹篙折射率，此时提供是过剩。图。图表氧化钼增长率左轴和折射率右关系比值。渗碳相比之下......”。

4、“.....需要注意是比率不能小于。亚化学计量比原子浓度明显存在，这是有害薄膜生长。当过剩与发生反应形成水或可能在薄膜中影响氧化钼薄膜，它是电致变色反应结果。下面讨论薄膜沉积中使用比例和。使用来对膜组成和薄膜内结构进步观察。存在个值得关注问题。图显示高分辨率核心区域光谱。少量氟被检测到存在于沉积薄膜表面上。然而要使它彻底清除要使用溅射，检测薄膜内没有存在。薄膜成分要在膜区域进步研究，如图所示。光谱图中，通过无溅射作用清洗，自氧化含量大大减少。由于自旋轨道耦合引起双峰膜转变为和。在时轨道峰分开，并达到理论比例，表明是个单氧化状态。氢气不能用检测到，但莫其完全氧化状态中可以检测到氢存在。氧化钼与插片分析显示和氧化态是存在。此外，由于薄膜透明性，我们可以检测氧化膜纯度，由于是灰色，可以利用电致变色原理来检测。......”。

5、“.....经渗碳后薄膜高分辨率光谱图表总结文献报道各种价态形成规律如上所述在规格为硅片上沉积厚度为氧化钼薄膜。然后使用标准条件渗碳。薄膜保持硅衬底渗碳后，使用下面技术进行了表征。晶体结构变化与方法所得薄膜起总结在图中，比较粉末样品和薄膜。氧化钼是稳定正交结构。图。比较得到氧化物粉末图谱和渗碳后纳米氧化膜底部和后顶部图谱。获得有价值氧化物和硬质合金。用射线衍射仪测定沉积氧化膜它是非晶，但是将它在空气中退火结晶时温度，在渗碳过程中，氧化膜转化过程中形态变化，如图所示。将薄膜样品与退火所得粉末样品相比较，表明多晶硅氧化钼在方向上择优生长。渗碳过程完成后，同样材料测定。再次观察粉末，样品与完全,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,€,,,,,,,,,,,,,,,,,......”。

6、“.....,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,中文字毕业论文外文资料翻译题目合成薄膜出处合成薄膜†,†,†,†,‡,††‡和质量。使用形成氧化物将产生在更广泛承印物上。薄膜通过催化条件转化为相。使用套分析技术可将整个过程中膜组成和结构演变进行了量化。试验氧化氮合成在混合在个电容耦合系统中使氧化钼薄膜沉积。采用类似反应化学方法，用类似气体混合物，已成功地应用于合成电致变色薄膜。钼六氟化硫,分解容易，但是反应过程中产生氟自由基蚀刻膜是可逆。为了解决这问题，我们添加了氢高频电子流来除去氟原子形成。还提供氧气过量，以形成充分氧化膜。这里描述所有方法是在常温下进行，并且电压固定在。使用校准针阀控制生成，而电子质量流量控制器控制氧气和氢气流速。该反应沉积压力范围为−毫托取决于机械泵爱德华兹，控制......”。

7、“.....控制空气留恋煅烧氧化钼粉中文字毕业论文外文资料翻译题目合成薄膜出处合成薄膜†,†,†,†,‡,††‡,,摘要使用两步合成工艺制备化学计量比薄膜。在氢气，氧气氛围下采用等离子体增强气象化学法首先生成密集氧化钼薄膜。审查沉积速率和质量方面工作参数依赖。氧化膜厚度是纳米，在和气氛中，采用程序升温反应后生成钼硬质合金。用射线衍射线测得，在甲烷和氢气混条件下，当加热到氧化钼将完全转变成相。渗碳后生成基本硅衬底薄膜。用射线光电子能谱检测薄膜无杂质，此时是个单氧化状态。用显微镜观察发现，沉积氧化膜是没有什么特征，而碳化物薄膜是个复杂纳米结构。关键词薄膜硬质合金氧化物等离子体增强化学气相沉积催化剂介绍碳化钼是种在各种领域有很多潜在应用多用途材料。碳化钼具有类似于铂族金属催化性能，利用这种催化性能......”。

8、“.....合成各种烃，水煤气纸杯，制氢，酒精合成。制作薄膜过程中，过渡金属碳化物高硬度和热稳定性使他们合成耐磨材料。最近研究都集中在碳化钼光电特性范围内应用，包括镜子，渗透膜，互连，和电子场发射我们目是用价格低廉材料替代铂族金属来表面氢分离。这种材料合成薄膜将有利于催化剂性能基础研究。许多技术已被用于沉积碳化钼薄膜，包括化学气相沉积物理气相沉积和电化学沉积。是相当复杂，它有众多稳定和亚稳化合物和晶相。，相纯度控制直是个难题，和两种方法制备中，薄膜通常包含混合富含碳产物，它是个复杂依赖具体操作条件选测过程。与此相反，它催化应用制备所需粉末状相。，后来和他同事开发出种方法，加入稀释碳氢化合物并采用程序升温反应或混合物转换成高表面积密集氧化钼粉。转变为方法涉及晶格中氧碳替代，在反应过程中有原子微小位移......”。

9、“.....微孔状氧化物转换成碳化物。在适当条件下氧化钼被转换成过程中没有形成金属钼作为反应中间体。金属烧结，避免使用这种方法，在物催化剂催化剂条件下，它可以准备具有很高表面积平方米克。采用这方法，形成催化剂通过预氧化钼片渗碳涂料把它们应用到水煤气变换反应。本实验是合成纯相未来研究模型催化剂层薄膜。下面我们介绍个两步合成方法。首先，采用等离子体增强化学气相沉积法在混合物中使密集氧化钼薄膜沉积在硅片上。在这种化学反应中是很独特，以前含钼化合物反应是用或，来化学气相沉积。用参数来描述氧化物增长速度和质量。使用形成氧化物将产生在更广泛承印物上。薄膜通过催化条件转化为相。使用套分析技术可将整个过程中膜组成和结构演变进行了量化。试验氧化氮合成在混合在个电容耦合系统中使氧化钼薄膜沉积。采用类似反应化学方法，用类似气体混合物......”。