1、“.....压编程方式，用户可从芯片上型号和读取芯片内名字节获得该信息，见下表。程序存储器阵列是采用字节写入方式编程，每次写入个字节，要对整个芯片内程序存储器写入个非空字节，必须使用片擦除西安交通大学城市学院本科生毕业设计论文方式将整个存储器内容清除。编程方法编程前，须按表和图所示设置好地址数据及控制信号......”。

2、“.....数据从口输入，引脚和电平设置见表，为低电平，保持高电平，引脚是编程电源输入端，按要求加上编程电压，引脚输入编程脉冲负脉冲。编程时，可采用时钟振荡器，编程方法如下在地址线上加上要编程单元地址信号。在数据线上加上要写入数据字节。激活相应控制信号。在高电压编程方式时，将端加上编程电压......”。

3、“.....加上个编程脉冲。改变编程单元地址和写入数据，重复步骤，直到全部文件编程结束。每个字节写入周期是自身定时，通常约为。数据查询单片机用数据查询方式来检测个写周期是否结束，在个写周期中，如需读取最后写入那个字节，则读出数据最高位是原来写入字节最高位反码。写周期完成后......”。

4、“.....此时，可进入下个字节写周期，写周期开始后，可在任意时刻进行数据查询。字节编程进度可通过输出信号监测，编程期间，变为高电平后端电平被拉低，表示正在编程状态忙状态。编程完成后，变为高电平表示准备就绪状态。程序校验如果加密位没有进行编程，则代码数据可通过地址和数据线读回原编写数据......”。

5、“.....程序存储器地址由和口输入，数据由口读出，和控制信号见表，保持低电平，和保持高电平。校验时，口须接上左右上拉电阻。表存储器编程真值表西安交通大学城市学院本科生毕业设计论文注片擦除操作时要求脉冲宽度为图编程电路图校验电路加密位不可直接校验，加密位校验可通过对存储器校验和写入状态来验证......”。

6、“.....存储器编程和校验波形时序高电压编程存储器编程和校验波形时序低电压编程西安交通大学城市学院本科生毕业设计论文芯片擦除利用控制信号正确组合表并保持引脚低电平脉冲宽度即可将阵列字节和三个加密位整片擦除，代码阵列在片擦除操作中将任何非空单元写入，这步骤需再编程之前进行......”。

7、“.....地址为和。用于声明该器件厂商型号和编程电压。读签名字节过程和单元及正常校验相仿，只需将和保持低电平，返回值意义如下声明产品由公司制造。声明为单片机。声明为编程电压。声明为编程电压。编程接口采用控制信号正确组合可对闪速存储阵列中每代码字节进行写入和存储器整片擦除，写操作周期是自身定时......”。

8、“.....编程和校验特性，注仅用于编程模式极限工作参数极限参数西安交通大学城市学院本科生毕业设计论文直流特性，注在稳定状态无输出条件下，有以下限制每引脚最大每位端口口，和全部输出引脚最大掉电模式最小为交流特性在以下条件下，口，负载电容为，其他输出口负载电容为......”。

9、“.....时序测试在为最小值和为最大值时测量。西安交通大学城市学院本科生毕业设计论文注在浮空状态下......”。