1、“.....其中信越瓦克和四家销售额占世界硅片销售额以上，决定着国际硅材料价格和高端技术产品市场，其中以日本硅材料产业最大，占据了国际硅材料行业半壁江山。在集成电路用硅片中，英寸硅片占主流，约，英寸硅片占。当硅片直径从英寸到英寸时，每片硅片芯片数增加倍，成本约降低，因此，国际大公司都在发展英寸硅片，年产量将达到亿平方英寸，将占总产量左右。砷化镓单晶材料砷化镓是微电子和光电子基础材料，为直接带隙，具有电子饱和漂移速度高耐高温抗辐照等特点，在超高速超高频低功耗低噪声器件和电路，特别在光电子器件和光电集成方面占有独特优势。目前，世界砷化镓单晶总年产量已超过吨日本年砷化镓单晶生产量为吨。用于大量生产砷化镓晶体方法是传统法液封直拉法和法水平舟生产法。国外开发了兼具以上种方法优点法垂直梯度凝固法法垂直布里支曼法和法蒸气压控制直拉法，成功制备出英寸大直径单晶。其中以低位错密度方法生长英寸导电砷化镓衬底材料为主......”。

2、“.....使全球砷化镓晶片市场以年增长率迅速形成数十亿美元大市场，预计未来年砷化镓市场都具有高增长性。日本是最大生产国和输出国，占世界市场美国在年成功地建成了条英寸砷化镓生产线，在砷化镓生产技术上领先步。日本住友电工是世界最大砷化镓生产和销售商，年产单晶。美国公司是世界最大材料生产商。世界单晶主要生产商情况见表。国际上砷化镓市场需求以英寸单晶材料为主，而英寸单晶材料产量和市场需求快速增加，已占据以上市场份额。研制和小批量生产水平达到英寸。近年来，为满足高速移动通信迫切需求，大直径英寸发展很快，英寸厘米长及英寸厘米长和英寸半绝缘砷化镓也在日本研制成功。磷化铟具有比砷化镓更优越高频性能，发展速度更快，但研制直径英寸以上大直径磷化铟单晶关键技术尚未完全突破，价格居高不下。宽禁带氮化镓材料国外对研究早在五十年代末和六十年代初就已开始了。到了八十年代中期......”。

3、“.....并促成了在年建立专门研究半导体公司。九十年代初，美国国防部和能源部都把集成电路列为重点项目，要求到年在武器系统中要广泛使用器件和集成电路，从此开始了有关材料和器件系统研究，并取得了令人鼓舞进展。即目前为止，直径具有良好性能半绝缘和掺杂材料已经商品化。美国政府与西屋西子公司合作，投资万美集成发展。微电子技术发展主要途径是通过不断缩小器件特征尺寸，增加芯片面积以提高集成度和信息处理速度，由单片集成向系统集成发展。等半导体单晶材料向着大尺寸高均质晶格高完整性方向发展。椎英吋硅芯片是目前国际主流产品，椎英吋芯片已开始上市，芯片椎英吋已进入大批量生产阶段，并且正在向椎英吋生产线过渡对单晶电阻率均匀性杂质含量微缺陷位错密度芯片平整度表面洁净度等都提出了更加苛刻要求。二在以为代表第代第二代半导体材料继续发展同时......”。

4、“.....三继经典半导体同质结异质结之后，基于量子阱量子线量子点器件设计制造和集成技术在未来年间，将在信息材料和元器件制造公司销量占硅片总销量以上，其中信越瓦克和四家销售额占世界硅片销售额以上，决定着国际硅材料价格和高端技术产品市场，其中以日本硅材料产业最大，占据了国际硅材料行业半壁江山。在集成电路用硅片中，英寸硅片占主流，约，英寸硅片占。当硅片直径从英寸到英寸时，每片硅片芯片数增加倍，成本约降低，因此，国际大公司都在发展英寸硅片，年产量将达到亿平方英寸，将占总产量左右。砷化镓单晶材料砷化镓是微电子和光电子基础材料，为直接带隙，具有电子饱和漂移速度高耐高温抗辐照等特点，在超高速超高频低功耗低噪声器件和电路，特别在光电子器件和光电集成方面占有独特优势。目前......”。

5、“.....用于大量生产砷化镓晶体方法是传统法液封直拉法和法水平舟生产法。国外开发了兼具以上种方法优点法垂直梯度凝固法法垂直布里支曼法和法蒸气压控制直拉法，成功制备出英寸大直径单晶。其中以低位错密度方法生长英寸导电砷化镓衬底材料为主。移动电话用电子器件和光电器件市场快速增长要求，使全球砷化镓晶片市场以年增长率迅速形成数十亿美元大市场，预计未来年砷化镓市场都具有高增长性。日本是最大生产国和输出国，占世界市场美国在年成功地建成了条英寸砷化镓生产线，在砷化镓生产技术上领先步。日本住友电工是世界最大砷化镓生产和销售商，年产单晶。美国公司是世界最大材料生产商。世界单晶主要生产商情况见表。国际上砷化镓市场需求以英寸单晶材料为主，而英寸单晶材料产量和市场需求快速增加，已占据以上市场份额。研制和小批量生产水平达到英寸。近年来，为满足高速移动通信迫切需求，大直径英寸发展很快......”。

6、“.....磷化铟具有比砷化镓更优越高频性能，发展速度更快，但研制直径英寸以上大直径磷化铟单晶关键技术尚未完全突破，价格居高不下。宽禁带氮化镓材料国外对研究早在五十年代末和六十年代初就已开始了。到了八十年代中期，美国海军研究局和国家宇航局与北卡罗来纳州大学签订了开发材料和器件合同，并促成了在年建立专门研究半导体公司。九十年代初，美国国防部和能源部都把集成电路列为重点项目，要求到年在武器系统中要广泛使用器件和集成电路，从此开始了有关材料和器件系统研究，并取得了令人鼓舞进展。即目前为止，直径具有良好性能半绝缘和掺杂材料已经商品化。美国政府与西屋西子公司合作，投资万美元开了英寸纯度均匀低缺陷单晶和外延材料。另外，制造器件工艺如离子注入氧化欧姆接触和肖特基接触以及反应离子刻蚀等工艺取得了重大进展，所以促成了器件和集成电路快速发展。由于器件优势和实际需求，它已经显示出良好应用前景......”。

7、“.....这要求器件和电路能够适应这种需要，而各类器件都显示良好温度性能。具有较大禁带宽度，使得基于这种材料制成器件和电路可以满足在到条件下工作需要，目前有些研究水平已经达到工作温度，并正在研究更高工作温度器件和集成电路。二我国半导体材料现状中国半导体材料行业经过四十多年发展已取得相当大进展，先后研制和生产了英寸英寸英寸英寸和英寸硅片。随着半导体分立元件和硅光电池用低档和廉价硅材料需求增加，中国单晶硅产量逐年增加。据统计，年我国半导体硅材料销售额达亿元，年均增长。单晶硅产量为，抛光片产量万平方英寸，主要规格为英寸，英寸正片已供应集成电路企业，英寸主要用作陪片。单晶硅出口比重大，出口额为万美元，占总销售额，较年增长了。目前，国外英寸生产线正向我国战略性移动，我国新建和在建英寸生产线有近条之多，对大直径高质量硅晶片需求十分强劲......”。

8、“.....基本依赖进口，中国硅晶片技术差距和结构不合理可见斑。在现有形势和优势面前发展我国硅单晶和技术面临着巨大机遇和挑战。年国内从事硅单晶材料研究生产企业约有家，从业人员约人，主要研究和生产单位有北京有研硅股杭州海纳半导体材料公司宁波立立电子公司洛阳单晶硅厂万向硅峰电子材料公司上海晶华电子材料公司峨眉半导体材料厂河北宁晋半导体材料公司等。其中，有研硅股在大直径硅单晶研制方面直居国内领先地位，先后研制出我国第根英寸英寸和英寸硅单晶，单晶硅在国内市场占有率为。年国内硅单晶产量达吨左右，销售额突破亿元，平均年增长率为，预计年我国硅单晶产量可达吨左右。中国从上世纪年代初开始研制砷化镓，近年来，随着中科镓英半导体有限公司北京圣科佳电子有限公司相继成立，中国化合物半导体产业迈上新台阶，走向更快发展道路。中科镓英公司成功拉制出中国第根公斤英寸法大直径砷化镓单晶信息产业部所生长出中国第根英寸砷化镓单晶......”。

9、“.....并已连续生长出根英寸砷化镓单晶西安理工大在高压单晶炉上称重单元技术研发方面取得了突破性进展。中国材料单晶以英寸为主，英寸处在产业化前期，研制水平达英寸。目前英寸以上晶片及集成电路晶片主要依赖进口。砷化镓生产主要原材料为砷和镓。虽然中国是砷和镓资源大国，但仅能生产品位较低砷镓材料以下纯度，主要用于生产光电子器件。集成电路用砷化镓材料砷和镓原料要求达，基本靠进口解决。中国国内开展材料和器件方面研究工作比较晚，和国外相比水平还比较低。国内已经有些单位在开展材料研究工作。到目前为止，英寸英寸碳化硅衬底及外延材料已经商品化。目前研究重点主要是英寸碳化硅衬底制备技术以及大面积低位错密度碳化硅外延技术。目前国内进行碳化硅单晶研制单位有中科院物理所中科院上海硅酸盐研究所山东大学信息产业部所等，进行碳化硅外延生长单位有中科院半导体所中国科技大学以及西安电子科大......”。