1、“.....与其他方法质谱法，共振光谱获取和银膜方法记录薄银膜电阻变化，由受体活性物种比如氧原子，臭氧计算得出模型比较。可以看出，这些数据吻合。高田纯次在年用个半导体传感器测量大气臭氧浓度同时用光谱仪上同步测量紫外吸收。实验使用半天时间，并揭示了种氧化铟为基础半导体传感器电阻变化和大气臭氧浓度明显相关性。图年月日近伏尔加格勒半导体传感器测量确定垂直剖面上层大气中原子氧浓度质谱共振光谱，银膜法和,模型计算，。汉斯福德等在英国剑桥大学中心大气科学学院开发并测试了用于测量大气臭氧垂直分布气体分析仪。当臭氧传感器送达个有三氧化钨感测层半导体仪器,这是目前由市科技提供。图给出了臭氧半导体传都是非常经济实用。国内储水式唯缺点，是会造成对电能过度消费。希勒等人指出，这样水加热系统，历来都是过度设计，以确保有足够热水可用。市场上恒温器设定点大多数是在和之间，因此可安装。此外......”。

2、“.....恒温器设定点应由用户调整更高，从而增加存储水热容量。当冷水进入存储热水区时候，个较高温度设定值也会对它产生影响，而在水温较低情况下，混水水温受冷热水比例不同而产生偏移影响。因此，通常做法是在设计这种时，假设只有热水中储罐可用于在个可接受温度水平，即设置在或更高。为了克服冷水和存储热水之间混合问题，建议方案是将两个串联使用，其中每个单罐加热器容量和额定功率减半。当然，水加热系统，包括串联连接两个在气氛观测站已经建立了几大系列地面臭氧测量传感器与气体分析仪实验电路板原型，并在探索。在目前阶段，这些研究目是制定适当仪器和测量技术。在臭氧基础上开发半导体传感器是个新臭氧浓度测量仪半导体臭氧计，由和设计。图。三氧化钨传感器对于大气臭氧剖面记录年月日再阿伯里斯特威斯英国附近个臭氧探测数据与实线电化学气体分析仪和虚线半导体传感器获得。图由和半导体气体分析仪记录地面臭氧浓度日变化......”。

3、“.....。被测试测量仪器与美国光学气体分析仪进行了同步。光学分析仪可以广泛用于国际网络站臭氧仪。比较不同测量数据图后有以下建议。首先，当臭氧浓度产生变化时半导体臭氧仪产生信号通过记录下。其次，半导体传感器在灵敏度和时间分辨率方面优于光学气体分析仪。例如，图显示了臭氧浓度离散频谱以及半导体臭氧仪生成个此浓度范围内连续变化信号见图项。传感器分析仪户外应用所带来困难之是，他们特性受气象影响，最重要是，空气温度和湿度影响。等表明，轻微水分由氧化锌为基础半导体传感器产生信号。这个问题值得更详细检查。整体而言，传感器气体分析仪可以很好用于检查大气气体成分和空气质量。小结空气质量管理现状可以主要概括为由半导体化学感应器整合到分析应用中所带来光明未来和其现今仍不太可能被应用事实之间矛盾。尽管如此，大量研究动作正在进行，并研究出更多气体分析方法，为未来半导体化学传感器发展做出贡献。参考文献......”。

4、“.....目是为了分析汽车尾气。当然，对臭氧传感器研究原因主要是源自于其高需求。与此同时，重要是与臭氧接触后半导体传感器产生较大和完全可逆信号，可以可靠地计量精度高信号。同时，简单化商业生产优质臭氧传感器可以使些实验被很容易进行。用于检测臭氧，氮氧化物，氯气，次氯酸和盐酸这些微量物质半导体选材料对于非侵略性气体，也可以用其他金属，例如镍铬合金。该传感器特点是由化学成分和感测层材料晶体结构，以及由所有传感器组件属性，包括基体材料，材料加热器几何形状和测量电极，以及传感器设计特点所决定。气体中杂质导致半导体传感器电阻感应层产生相互关联设置。这些措施包括电子化处理，表面和体吸附物种扩散，并收取样本之间多晶颗粒载体转移。因此，半导体气体传感器响应阐述是通过理论相互关联分子过程及半导体表面电子进程。大多数情况下，化学吸附电子理论是用于此目......”。

5、“.....。用渗透理论和表面陷阱和传导障碍模型计算微晶颗粒间电荷转移。传感层中扩散用多相催化方法阐述。吸附相扩散和微晶间电荷转移用特定晶体结构和传感层形态学来阐述。尽管进行了广泛研究工作，传感器设计所要求特点似乎不可能在目前得到完全实现。到目前为止，该传感器特性和制备条件互连唯特殊方面都得到了阐明。传感器设计意味着在特定条件特定参数下对传感器层参数和准备仿真。图空气中可变臭氧浓度产生半导体传感器信号。传感器三氧化钨，工作温度二三氧化钨三铟氧化铁，。半导体金属氧化物传感器对大气中和微量元素检测在致力于半导体传感器出版物尤其是最近期中，大部分是关于臭氧传感器见，例如些二氧化氮，〜少部分是氧化氮，氯，只有很少出版物是关于二氧化氯，和氯化氢，。应该指出氮氧化合物传感器研究都是在相当说明在表内填写不下可附另页本个令人印象深刻特征属性归功于以下变换两个属性置换和置换可交换......”。

6、“.....另方面，置换只改变个像素位置其值不变。因此，两者之间转换关系可𝑎𝑚𝑛,𝑎𝑖𝑗∈定义𝑎𝑗𝑖然后给出转换定义𝐺𝑚𝐺𝑚让让𝑎𝑚𝑐𝑚𝑐𝑎容易证明转换有如下性质∈需要指出是，从所有从加法运算其实是转换。转换在变换中，代表盒置换。有很多方法来构造盒，其中混沌做法是个很好选择。例如，唐等人提出了个基于离散逻辑映射和映射设计盒方法。之后，陈等人提出另种方法来构造盒，具有更好性能。该过程描述如下步骤选择过研究传感器氧化铟或氧化锌为基础暴露产生特点信号表面，空气湿度，工作温度不同能使传感器产生不同信号，具体而言，传感器电阻可以减少或者增加。推断这种现象在发出和接收到信号与传感器吸附氢氧有关，随着二氧化氯对由于氯氢与，工作温度氧化铟铁，氧化铟，氧化铁，三氧化钨二氧化铟，三氧化钨氧化铟氧化钼氧化铟二氧化锡及，氧化铟氧化铁，氧化铟铁及氧化锌......”。

7、“.....氯气，氯气，盐酸。相关分析信号。我们数据表明。对于同样化学成分和气体制作传感器，不同作者给出表达式中参数和值相差很大。其原因是，传感器感应层参数其制备方法有所不同。在个宽泛浓度范围内，在臭氧环境下些不同化学成分半导体传感器显示出了最高敏感性。这种臭氧环境下高敏感性尤其会在低浓度中凸显。在浓度下，传感器在臭氧中敏感性大约超出了。当浓度大于等于时，传感器对臭氧二氧化氮，氧化铝敏感性变得可比较了以为基础传感器便是个例子。以或者为基础传感器对最不敏感。半导体传感器可以侦测到级别不纯净，和气体。对传感器检测已知杂质含量，进行校准相关实验。传感器气体杂质测量准确个先决条件是传感器信号校准稳定，也就是说在传感器运行时参数х和不变。这个比例系数表明了传感器实测浓度灵敏度是统。对目标物质浓度传感器信号非线性依赖使这参数价值不大。在这方面更为可贵现场试验,。种Р气象火箭配备了原子氧传感器分析仪......”。

8、“.....涉及到检测，和浓度。通过半导体传感器检测目标杂质敏感性反应使其适合衡量卫生区和检测大气中臭氧水平最高允许浓度。对用半导体气体传感器气体分析仪在开放环境中测定气体杂质实例加以说明。简介在世纪年代研究工作集中于为什吗半导体电物理特性影响气体吸附。从那时起半导体工程取得了重大进展但也提出来反问题，即从检测半导体电物理特性变化检测气体杂质。然而，相对于半导体器件被立即纳入科学和技术各个领域半导体传感器，它经历了个漫长过程，即从实验室模型到大规模生产。这领域进步很大程度上归功于由领导卡尔波夫物理研究所所进行研究活动。这些研究主要是集中在发生在半导体金属氧化物表面发生基本物理化学反应和高灵敏度传感器物理应用这些研究大部分调查结果汇总见。为此，在实验室中些经过独特设计独无二仪器被使用......”。

9、“.....适合进行大规模生产商业技术也有了很大进步。这些成果使得多种感应器商业化生产达到了极限。主要金属氧化物半导体感应器制造商是英国公司和日本公司。它们主要缺点是半导体传感器选择性差，但它们所具有优点，即灵敏度高，灵捷性，体积小和大规模生产成本低，仍然使它们在气体分析应用中具有很强竞争力。至于半导体传感器选择性，很多研究都在努力提高半导体气体选择性，这个问题在许多应用中得到解决,。半导体传感器提供了太多保证，特别是在污染监测点，通过长期检测，反映在大气中微量杂质在认为排放量情况下，以控制工业区和住宅区空气质量。最近，移动空气质量监测站申请数量在不断增加，这需要廉价便携式气体分析仪设备。在这里，分析设计测量空气中微量和半导体传感器是非常必要。其在大气中含量增加，由于汽车尾气排放和热电联产电站化学工业，微电子，有色冶金，НС，漂白设施，废水和污水处理厂......”。