1、“.....二种添加剂由于功能不同而加以区分，我们从理论上分析了和添加剂的作用机理。的添加促进了晶粒的长大，进步减小了晶界击穿电压。特别是毫微米级胶体添加剂的使用，为低电压压敏电阻器的制造提出了新的方法。此外，烧结温度对压敏电阻的电性能也有着重要影响。般，低电压压敏陶瓷的适当烧结温度不应超过。这些影响为研究低电压压敏电阻提供了有效合理的方法。关键词压敏电阻器性能发展添加剂晶粒生长压敏电阻是种多功能新型陶瓷材料,它是以为主体,添加若干其它氧化物主要为过渡金属氧化物改性的烧结体材料。由于它具有性价比高非欧姆特性优良响应时间快漏电流小通流容量大等优点,因此被广泛应用于电子设备和电力系统及其它领域。随着电子产品的小型化集成化,对低压压敏电阻的需求量越来越大。基本性能压敏电阻的高非线性系数特点与它的烧结体的显微结构有关......”。

2、“.....。压敏电阻的化学性能纯具有线性特性的非化学计量型半导体。为了使它具有非线性，在中引入各种氧化物。这些氧化物中最主要的是，被认为是压敏电阻的组成成分，不加它的话很难获得压敏电阻。这些氧化物的引入,在晶粒和晶粒边界处形成原子缺陷,施主或类施主缺陷支配着耗尽层,而受主或类受主缺陷支配着晶粒边界状态。根据对中缺陷平衡的研究，已经发现缺陷向边界层不相等的迁移能够形成缺陷引起的势垒。压敏电阻的物理性能压敏电阻器的非线性是种晶粒边界现象,即在相邻晶粒耗尽层中存在的多数电荷载流子电子的势垒,认为肖特基势垒最像微结构中晶粒边界势垒。晶粒边界上的负表面电荷电子捕获是由晶界两侧晶粒的耗尽层中正电荷来补偿的。热电子发射和隧道效应是主要的传输机制。压敏电阻的电气性能从压敏电阻器伏安特性来看,在正常工作电压下,它的电阻值很高,几乎是兆欧级漏电流是微安,而随电压加大,阻值急剧下降,在浪涌电压冲击时......”。

3、“.....甚至欧姆,可见阻值随电压而变化。图示出了典型压敏陶瓷的特性曲线,其特性可分个区域小电流区中电流区及大电流区回升区。其中小电流区和大电流区的特性接近线性,而中电流区是以高的非线性系数和宽的电流范围可在电流的个数量级上扩展为特点的。压敏电阻的微观结构般认为,在压敏电阻瓷中,除主晶相晶粒与晶界相外,还有其它物质相,例如还显存在着富铋相尖晶石相焦绿石相等见图。相是构成压敏电阻的主晶相,尖晶石相是不连续的,它对陶瓷的非线性不起直接的作用,但由于该相与及富铋相在高温下共存,所以它对成分向各相的分配起作用,使富铋相具有个特定的组成,又由于它在晶粒边界凝结,故能抑制晶粒的生长焦绿石相也是不连续的,对陶瓷的非线性不起作用,但在高温烧结时,它能与作用生成富铋相富铋相有产生高值的作用。二添加剂的作用添加的作用是压敏陶瓷中不可缺少的添加剂。因为的熔点比和其它添加剂的熔点低得多......”。

4、“.....此液相推动其它氧化物均匀地分布在晶粒和晶界中,而冷却时由于离子半径远比大,不能进入晶粒而偏析在晶界,导致各种添加剂都向晶界偏聚,形成个很薄的界面,使晶界势垒很高,从而提高了压敏电阻器的非线性系数,使耐电流通流能力提高,。低压系晶界上富相分布是非连续的,个晶粒接触区晶界宽度约为,这薄层起表面态作用,对非线性特性有重要影响。但若添加量过大,方面使晶界加宽,另方面使尖晶石钛酸铋的量增加,影响非线性的发挥,导致非线性的减弱,使非线性系数和耐电流通流能力降低。烧结温度对低压压敏陶瓷的电学性能有显著的影响。从和分析可以发现,因的熔点较低,过高的烧结温度会使原子大量的挥发,方面使压敏陶瓷产生大量的气孔,从而使其结构均匀性变差,最终导致样品的电学性能变坏另方面,该相与材料的漏电流和非线性系数有关,随着烧结温度的升高,低压陶瓷的压敏场强下降,但增加,减小。通常,对于低压压敏陶瓷......”。

5、“.....的作用压敏电阻器的压敏电压与每个晶粒的电压降两电极间平均晶粒数晶粒直径和烧结体厚度的关系如下使压敏电阻器低压化的传统方法是将元件厚度减薄。元件厚度减薄后,不但元件的机械强度降低,而且通流容量减小。我们的目标是研制低压高能压敏电阻器即要求值单位厚度的压敏电压值低,漏电流小的压敏电阻器。由上式可见,欲制得低压高能压敏电阻器,关键是制得晶粒较大性能满足要求的烧结陶瓷。且晶粒的电阻率较低。由此可见,促进晶粒增大,即增大是降低压敏电压制作低压压敏电阻器的有效途径。在,掺杂的压敏陶瓷中,和认为的加入提高了富铋液相与相的反应活性,通过相界反应影响晶粒生长。在液相烧结的初期阶段,迅速溶解在富铋的液相中,与液相发生反应而晶粒在液相中的溶解度大于在液相中的溶解度,使得在液相中的溶入析出传质速度快,因而导致晶粒的生长速度加快,晶粒生长动力学指数较小。在约时发生分解并与反应由于尖晶石相的形成......”。

6、“.....通过颗粒阻滞机理抑制压敏瓷的晶粒边界迁移,从而使压敏瓷的晶粒生长速度减慢,晶粒生长动力学指数增大,。因此,烧成温度超过后,晶粒生长速度相对变慢。添加的中的或以替代方式进入晶格位置,离子在晶格位置电离成价或二价的有效施主中心,它必然会导致耗尽层中的施主浓度的增加,根据等人提出的分立双肖特基势垒模型,当施主浓度增加后,在相同势垒高度下受主态密度相同,耗尽层宽度将会减小,从而导致隧道击穿距离相对偏短。加偏压后,界面态上的电子到达导带能级的概率增加,隧道击穿的概率也相应增加,晶界击穿电压和下降。同时,添加后,受主密度减小,为满足中性的要求,耗尽层宽度也相应减小,从而导致晶界击穿电压和元件的下降。添加剂对压敏陶瓷的电位梯度影响最大,可作为晶粒助长剂,其作用机理在于固相传质。因为的离子半径为,为,比的半径小,但又相近,所以将以或替位式地进入晶粒,引起晶格畸变而使,活化......”。

7、“.....周围出现定数量的氧缺位。这种氧缺位非常有利于质点扩散的进行,促进固相传质,而且在含系,压敏陶瓷中与形成低共熔型液相。这种液相有润湿粘结和拉紧作用,不但强化了粉粒之间的接触,使对扩散传质的作用大大加强,促进了晶粒的生长,同时在晶格位置中它被电离成价或二价的有效施主,使耗尽层中有效施主浓度增加,降低了势垒高度,从而使压敏陶瓷的压敏电位梯度减小,非线性系数亦相应减小。压敏电阻中的原子根据不同的环境,可以放出个电子成为,也可以放出个电子成为,而离子极不稳定,很容易再放出个电子成为离子。因此,位于晶界处形成个电子陷阱,在电场的作用下释放电子,使漏电流增加,降低了电流的非线性特性,值下降。掺后，因晶粒成长速度加快，晶粒内的缺陷增多，也可导致漏电流的增加。另种情况，在烧成后未退火的陶瓷中，大部分存在于晶界相中，少量则溶于富相中。退火过程中离子扩散到晶粒表面......”。

8、“.....离子在晶粒表面的固溶，增大了位于晶粒表面的电子耗尽层中有效施主的浓度，使得晶界势垒势垒的高度下降，引起陶瓷非线性系数的降低和漏电流的增大。有报道，掺入适量的硼并在下进行热处理，可改善小电流特性和非线性，减小漏电流，提高稳定性。据研究，对于低压压敏电阻而言，纳米级添加剂的效果相对较好，但其如何均匀分散不团聚又是个不容忽视的问题。纳米级胶体添加剂的产生为压敏电阻的低压化提供了个新的途径和方法。三发展我国压敏电阻器始于年，已有近年的发展历史，其规模性生产是近几年才有所发展的，产品的性能和产量已基本能满足国内自身的需要，但与国际同行业相比仍存在定的差距，如日本松下德国西门子美国日本北陆等公司的年产量都超过亿只，市场上的后起之秀是中国的台湾，总产量达月，而国内产量上亿只的生产厂家很少，只有两家。另外设备普遍老化，自动化程度低，个别厂家近乎手工作坊，产品档次低，质量差......”。

9、“.....技术创新势在必行，主要围绕以下个方面是紧跟市场发展潮流，不断开发具有市场潜力的适销对路的高科技新产品二是依据自身技术创新的能力和优势，积极部署前沿性技术的研究，密切关注市场需求，瞄准国际电子技术发展的趋势，努力做到研究开发的新技术新产品适度起前三是开展与先进国家和地区的产销研合作，迅速扩大产量，缩短与国外的差距。压敏电阻材料主要有以下几个发展方向陶瓷粉体制备技术的研究。粉体是构成陶瓷的起点，尤其是像压敏电阻这样的高新技术陶瓷，对粉体的特征如纯度形貌粒度分布比较敏感。因此，为了制备性能更优的材料，有必要通过对粉体材料进行改进来改善压敏陶瓷性能，并实现优化前提下的标准化生产，提高批次稳定性和产品致性。粉体的制备方法分为干法和湿式化学合成法，国内在压敏陶瓷制粉技术方面除了引进日本公司的喷雾造粒技术外，在湿式合成粉料技术方面的研究很少。但是干法工艺不易保证成分准确均匀......”。