1、“.....所切晶片上的载 流子浓度会形成浓度梯度，即得不到均匀分布，这会对在晶片上生长 外延材料及器件中的并入。 高温区的气相扩散到中温区发生如下反应 反应消耗了，使反应向右继 分别表示液固气相。 反应使进入，反应使部分与反应生成气相 逸出，国家火炬计划产业化项目可行性建议书中文版高速下载控仪表 欧陆智能式温控仪和机械传动系统双向导轨和同步进电机带动精密丝杠组 合......”。

2、“.....凭借自身雄厚的实力和良好 的管理体制，在国内外用户中树立了良好的形象。这为本项目的顺利实施提供了 制度上的保障。 第二章技术可行性分析 项目技术路线工艺设备的合理性和度，包括人事管 理制度财务管理制度销售管理制度技术开发奖励制度等。实行物质奖励与 精神奖国家火炬计划产业化项目可行性建议书中文版高速下载管支撑石英反应管使石 英反应管长期处于高温下时膨胀度不至影响单晶生长反应管外径 扩大不超晶生长系统，该生长系统在国 际上未见成型产品，本项目单位根据多年工艺技术积累，选用精密的温国家火炬计划产业化项目可行性建议书中文版高速下载因此首先要 解决的是石英舟与熔体的粘舟问题。只有不粘舟才能保证单晶生长顺利，不出 多晶孪晶。生国家火炬计划产业化项目可行性建议书中文版高速下载曾是困扰单晶生长的个较 严重问题......”。

3、“.....碳舟虽可避免粘过。 石英舟的预处理技术 单晶生长是在密封于石英反应管中的石英舟中进行的，国家火炬计划产业化项目可行性建议书中文版高速下载年研究实践找到了解决粘接问题的良好方法，成为本公司项 独特的专有技术石英舟预处理技术，国家火炬计划产业化项目可行性建议书中文版高速下载长 完成后，单晶顺利脱舟。 纵向温度分布技术 通过中高温热场的合理配置，提高晶片的纵向均匀性，接问题，但 碳易大量掺入晶体成为有害杂质，从而使晶体报废。本项目承担单位国瑞 公司经多国家火炬计划产业化项目可行性建议书中文版高速下载合适才有可能生长出合格单晶，公司技术人员经过反复实验比较不断优化， 设计出了合理热场，优化了温国家火炬计划产业化项目可行性建议书中文版高速下载两步法，即先合成多晶然后再次备料生长单 晶，备好的多晶放入两温区多段加热炉中生长单晶谓之无砷端有利于提高成品率......”。

4、“.....只有热场配置合理即温度梯 度国家火炬计划产业化项目可行性建议书中文版高速下载曾是困扰单晶生长的个较 严重问题。很多单位曾试用过石英舟表面涂碳，碳舟虽可避免粘过。 石英舟的预处理技术 单晶生长是在密封于石英反应管中的石英舟中进行的，国家火炬计划产业化项目可行性建议书中文版高速下载装管脱氧封管多晶合成约小时多 晶清洁处理封管余掺杂剂放籽晶国家火炬计划产业化项目可行性建议书中文版高速下载 反应消耗了，使反应向右继 分别表示液固气相。 反国家火炬计划产业化项目可行性建议书中文版高速下载应使进入，反应使部分与反应生成气相 逸出，二者差值，造成国家火炬计划产业化项目可行性建议书中文版高速下载分布，固液界面也必须与生长方向成定角度。因为杂质主要是掺 杂剂的分凝是以固液界面为界线的......”。

5、“.....所切晶国家火炬计划产业化项目可行性建议书中文版高速下载按器件制造所要求的晶向生长，即晶体生 长方向与晶片的晶向有定的夹角，这导致了水平单晶的切片，般都要 斜切因而切片技术难度较大，为使所切晶片上电学参数尤其是载流子 浓度均匀分布，固液界面也必须与生长方向成定角度。因为杂质主要是掺 杂剂的分凝是以固液界面为界线的，如果单晶生长过程中固液界面与生长 方向之间角度和所切晶片晶向与单晶生长方向之间角度不致，所切晶片上的载 流子浓度会形成浓度梯度，即得不到均匀分布，这会对在晶片上生长 外延材料及器件中的并入。 高温区的气相扩散到中温区发生如下反应 反应消耗了，使反应向右继 分别表示液固气相。 反应使进入，反应使部分与反应生成气相 逸出，二者差值，造成 晶中。抑制污染的机理是 在合成和晶体生长中......”。

6、“.....两 温区炉高温区温度为。中温区为。这种加热结构既 得到所需的温度分布，又可抑制生长过程中的污染。 污染是由于舟石英管都是石英即材料易于使并入熔体和国家火炬计划产业化项目可行性建议书中文版高速下载 术。在水平单晶生长过程中，无法完全按器件制造所要求的晶向生长，即晶体生 长方向与晶片的晶向有定的夹角，这导致了水平单晶的切片，般都要 斜切因而切片技术难度较大，为使所切晶片国家火炬计划产业化项目可行性建议书中文版高速下载 术。在水平单晶生长过程中，无法完全按器件制造所要求的晶向生长，即晶体生 长方向与晶片的晶向有定的夹角，这导致了水平单晶的切片，般都要 斜切因而切片技术难度较大，为使所切晶片国家火炬计划产业化项目可行性建议书中文版高速下载 术。在水平单晶生长过程中，无法完全按器件制造所要求的晶向生长......”。

7、“.....这导致了水平单晶的切片，般都要 斜切因而切片技术难度较大，为使所切晶片上电学参数尤其是载流子 浓度均匀分布，固液界面也必须与生长方向成定角度。因为杂质主要是掺 杂剂的分凝是以固液界面整固液界面形状，这对生长不同晶向晶体降低位错密度，提高 成品率都十分重要。单晶生长过程中固液界面形状的控制是提高成品率的关键技 术。在水平单晶生长过程中，无法完全按器件制造所要求的晶向生长，即晶体生 长方向与晶片的晶向有定的夹角，这导致了水平单晶的切片，般都要 斜切因而切片技术难度较大，为使所切晶片上电学参数尤其是载流子 浓度均匀分布，固液界面也必须与生长方向成定角度。因为杂质主要是掺 杂剂的分凝是以固液界面为界线的，如果单晶生长过程中固液界面与生长 方向之间角度和所切晶片晶向与单晶生长方向之间角度不致，所切晶片上的载 流子浓度会形成浓度梯度，即得不到均匀分布......”。

8、“..... 高温区的气相扩散到中温区发生如下反应 反应消耗了，使反应向右继 分别表示液固气相。 反应使进入，反应使部分与反应生成气相 逸出，二者差值，造成 晶中。抑制污染的机理是 在合成和晶体生长中，高温区发生熔体中的与石英反应 生长技术。两 温区炉高温区温度为。中温区为。这种加热结构既 得到所需的温度分布，又可抑制生长过程中的污染。 污染是由于舟石英管都是石英即材料易于使并入熔体和单分布，为提高单晶生长成品率实现该工艺的产 业化创造了又个有利条件。 本项目中，单晶生长采用两步法，即先合成多晶然后再次备料生长单 晶，备好的多晶放入两温区多段加热炉中生长单晶谓之无砷端有利于提高成品率。 本项目所设计的水平单晶炉是种多段式两温区炉，只有热场配置合理即温度梯 度合适才有可能生长出合格单晶......”。

9、“..... 设计出了合理热场，优化了温度项技术主要是在适当的溶剂中进行 热处理，它可保证在长达天的单晶连续生长中，熔体与舟不粘接，单晶生长 完成后，单晶顺利脱舟。 纵向温度分布技术 通过中高温热场的合理配置，提高晶片的纵向均匀性，接问题，但 碳易大量掺入晶体成为有害杂质，从而使晶体报废。本项目承担单位国瑞 公司经多年研究实践找到了解决粘接问题的良好方法，成为本公司项 独特的专有技术石英舟预处理技术，该完成后，晶体易从舟中取出脱舟良好且生长的晶体完整 性好符合产品技术指标。这个问题曾是困扰单晶生长的个较 严重问题。很多单位曾试用过石英舟表面涂碳，碳舟虽可避免粘过。 石英舟的预处理技术 单晶生长是在密封于石英反应管中的石英舟中进行的，因此首先要 解决的是石英舟与熔体的粘舟问题。只有不粘舟才能保证单晶生长顺利，不出 多晶孪晶......”。