1、“..... 目前产品已经进入国际市场，被日本住友电工集团韩国公司等世界 知名企业应用。日本住友电工集团向对外来产品要求极为严格，本公司产品能够大量进入该集团，说明本产品极具竞争力。 管理优势我公司拥有支素质高业务精专业搭配合理的管理队伍， 的公司员工具有大专以上学历。管理团队知识层次高，具有高度的凝聚力勇于 开拓的创新性和丰富的管理经验。高素质的员工群体现代科学的管理方式可 靠的质量保证体系的完美结合，使产品质量得到充分保证。公司在日常生产和管 理中，注重提升员工的质量意识，在员工头脑中筑起了质量保证的长城。公司的 质量控制管理体系严格按照施行，公司已于年通过该认证。 公司按照建立现代企业制度的要求，制定了整套完备的管理制度，包括人事管 理制度财务管理制度销售管理制度技术开发奖励制度等。实行物质奖励与 精神奖励相结合......”。

2、“.....短期激励与 长期激励相结合的综合激励方式。自公司成立以来，凭借自身雄厚的实力和良好 的管理体制，在国内外用户中树立了良好的形象。这为本项目的顺利实施提供了 制度上的保障。 第二章技术可行性分析 项目技术路线工艺设备的合理性和成熟性关键技术 的先进性 项目技术路线 多晶合成单晶生长晶体加工 工艺流程为装管脱氧封管多晶合成约小时多 晶清洁处理封管余掺杂剂放籽晶装入单晶炉单晶生长天 熔料接籽晶走车生长单晶降温出炉晶体测试 工艺及设备的合理性和成熟性自行设计的单晶生长系统 本项目研发生产采用自行设计的水平砷化镓单晶生长系统，该生长系统在国 际上未见成型产品，本项目单位根据多年工艺技术积累，选用精密的温控仪表 欧陆智能式温控仪和机械传动系统双向导轨和同步进电机带动精密丝杠组 合，可保证在长达天的单晶生长过程中温控精度......”。

3、“.....采用优质管支撑石英反应管使石 英反应管长期处于高温下时膨胀度不至影响单晶生长反应管外径 扩大不超过。 石英舟的预处理技术 单晶生长是在密封于石英反应管中的石英舟中进行的，因此首先要 解决的是石英舟与熔体的粘舟问题。只有不粘舟才能保证单晶生长顺利，不出 多晶孪晶。生长完成后，晶体易从舟中取出脱舟良好且生长的晶体完整 性好符合产品技术指标。这个问题曾是困扰单晶生长的个较 严重问题。很多单位曾试用过石英舟表面涂碳，碳舟虽可避免粘接问题，但 碳易大量掺入晶体成为有害杂质，从而使晶体报废。本项目承担单位国瑞 公司经多年研究实践找到了解决粘接问题的良好方法，成为本公司项 独特的专有技术石英舟预处理技术，该项技术主要是在适当的溶剂中进行 热处理，它可保证在长达天的单晶连续生长中，熔体与舟不粘接，单晶生长 完成后，单晶顺利脱舟......”。

4、“.....提高晶片的纵向均匀性，有利于提高成品率。 本项目所设计的水平单晶炉是种多段式两温区炉，只有热场配置合理即温度梯 度合适才有可能生长出合格单晶，公司技术人员经过反复实验比较不断优化， 设计出了合理热场，优化了温度分布，为提高单晶生长成品率实现该工艺的产 业化创造了又个有利条件。本项目中，单晶生长采用两步法，即先合成多晶然后再次备料生长单 晶，备好的多晶放入两温区多段加热炉中生长单晶谓之无砷端生长技术。两 温区炉高温区温度为。中温区为。这种加热结构既 得到所需的温度分布，又可抑制生长过程中的污染。 污染是由于舟石英管都是石英即材料易于使并入熔体和单 晶中。抑制污染的机理是 在合成和晶体生长中，高温区发生熔体中的与石英反应 分别表示液固气相。 反应使进入，反应使部分与反应生成气相 逸出，二者差值，造成中的并入......”。

5、“.....使反应向右继续进行，加剧了向中 的并入。反应与温度关系密切，如将温度升到以上，反应基 本停止，从而可抑制反应向右方进行故将该温区温度维持在以上。 我们对多段炉的设计，各段炉温的单独控制及其协调配合控制也进行 了反复实验研究并不断进行了优化，对提高单晶生长成品率发挥了重要作用。 单晶生长速度有时也称为结晶速度本工艺中视为石英反应管相对于加热 炉的相对移动速度是另个重要的技术参数因为熔体结晶的快慢与结晶潜 热的产生，正常传递密切相关，结晶速度控制不当，会严重干扰内加热炉所形 成的温度分布，进而影响单晶正常生长，本项目在对热场配置进行优化时，兼 顾了采用合适的结晶速度这重要参数。固液界面项 独特的专有技术石英舟预处理技术，该项技术主要是在适当的溶剂中进行 热处理，它可保证在长达天的单晶连续生长中，熔体与舟不粘接......”。

6、“.....单晶顺利脱舟。 纵向温度分布技术 通过中高温热场的合理配置，提高晶片的纵向均匀性，有利于提高成品率。 本项目所设计的水平单晶炉是种多段式两温区炉，只有热场配置合理即温度梯 度合适才有可能生长出合格单晶，公司技术人员经过反复实验比较不断优化， 设计出了合理热场，优化了温度分布，为提高单晶生长成品率实现该工艺的产 业化创造了又个有利条件。本项目中，单晶生长采用两步法，即先合成多晶然后再次备料生长单 晶，备好的多晶放入两温区多段加热炉中生长单晶谓之无砷端生长技术。两 温区炉高温区温度为。中温区为。这种加热结构既 得到所需的温度分布，又可抑制生长过程中的污染。 污染是由于舟石英管都是石英即材料易于使并入熔体和单 晶中。抑制污染的机理是 在合成和晶体生长中，高温区发生熔体中的与石英反应 分别表示液固气相。 反应使进入......”。

7、“.....二者差值，造成中的并入。 高温区的气相扩散到中温区发生如下反应 反应消耗了，使反应向右继续进行，加剧了向中 的并入。反应与温度关系密切，如将温度升到以上，反应基 本停止，从而可抑制反应向右方进行故将该温区温度维持在以上。 我们对多段炉的设计，各段炉温的单独控制及其协调配合控制也进行 了反复实验研究并不断进行了优化，对提高单晶生长成品率发挥了重要作用。 单晶生长速度有时也称为结晶速度本工艺中视为石英反应管相对于加热 炉的相对移动速度是另个重要的技术参数因为熔体结晶的快慢与结晶潜 热的产生，正常传递密切相关，结晶速度控制不当，会严重干扰内加热炉所形 成的温度分布，进而影响单晶正常生长，本项目在对热场配置进行优化时，兼 顾了采用合适的结晶速度这重要参数。固液界面特种加热炉 可很好调整固液界面形状，这对生长不同晶向晶体降低位错密度......”。

8、“.....单晶生长过程中固液界面形状的控制是提高成品率的关键技 术。在水平单晶生长过程中，无法完全按器件制造所要求的晶向生长，即晶体生 长方向与晶片的晶向有定的夹角，这导致了水平单晶的切片，般都要 斜切因而切片技术难度较大，为使所切晶片上电学参数尤其是载流子 浓度均匀分布，固液界面也必须与生长方向成定角度。因为杂质主要是掺 杂剂的分凝是以固液界面为界线的，如果单晶生长过程中固液界面与生长 方向之间角度和所切晶片晶向与单晶生长方向之间角度不致，所切晶片上的载 流子浓度会形成浓度梯度，即得不到均匀分布，这会对在晶片上生长 外延材料及器件的成品率和性能造成不良影响。角度不致还有可能在晶体内部 出现热应力而导致晶体完整性差，使增大，从而降低成品率。国内外在水平 单晶研究开发中，多年来都是使用管状加热炉。因此，固液界面只能与生 长方向垂直，无法得到所需要的偏角......”。

9、“.....还很难调制固液界面本身 的平坦度，由于砷化镓热导率相对较低，在采用管状加热炉的情况下固液 界面四周的热环境是固定的，无法变动的，加上热辐射和固液界面的结晶潜 热难以导出，使熔体边缘温度低于中心处温度，往往使固液界面凹向熔体。 这种界面非常容易出孪晶，或使晶体的增大，降低成品率。 在单晶生长理论中，理想的固液界面形状应为平坦的或略为凸向熔体，做到 这点，加热体的设计和制造非常关键。 加热体是单晶生长的核心，对单晶生长影响非常大，是决定单晶生长成功与 否的关键因素之。该产品的设计和制造是本公司多年科研的结晶。本公司在炉 体结构的设计保温层的设置和配置加热区段设置加热区域设置等方面均取 得了很大进步。目前制作的加热体，截面区固液交界面区有特殊加热结构。 高温区各加热段设计合理，中温区有后加热体设置，其余各区设置合适在产品 试制过程中表明......”。