1、“.....电路负载规格请查阅晶体管 制造商提供的资料。 ， ， 接地端。每个插脚均与固定接地端连接在起。 的工作频率可选本地振荡缓冲放大器单工作电源 振荡度移 相缓冲网络和锁相环。芯片内的本机振荡器只需外部变抗器电平调节箱 调谐本机振荡，使其输出驱动内部正交发生器，其内部集成缓冲放大器驱动芯片电路。 芯片主要特征包括由辅助设计软件升级更新......”。

2、“..... 两个外电路电阻阻值的大小变化可对输入噪声进行置换处理可经济的解决数字卫星 广播系统直接下变频可对集成最小元件高电平进行计算，使其输出驱动内部正交发生器，其内部集成缓冲放大器驱动芯片电路。相缓冲网络和锁相环。芯片内的本机振荡器只需外部变抗器电平调节箱 调谐本机振荡部分内容简介 电视接收机顶箱部件，是的更新，性能价格比高。直接调谐于基带信 号，它是个宽带下变频器，工作在频段。该芯片集成了具有增益 调节的低噪声放大器，下变频混合器，低通滤波器，本机振荡度移 相缓冲网络和锁相环。芯片内的本机振荡器只需外部变抗器电平调节箱 调谐本机振荡，使其输出驱动内部正交发生器，其内部集成缓冲放大器驱动芯片电路......”。

3、“..... 两个外电路电阻阻值的大小变化可对输入噪声进行置换处理可经济的解决数字卫星 广播系统直接下变频可对集成最小元件高电平进行计算 的工作频率可选本地振荡缓冲放大器单工作电源 输入频率范围芯片内集成求积分发生器双系数预定标器 芯片内集成晶体振荡放大器锁相环增益控制电荷泵输入电平∶ 每载波增益控制范围在波段内噪 声系数为三阶互调截点基带偏移校正自动装置。 优于功能在频段上改善前端获得的低噪 声系数在频段上有较高的输入三阶互调截点减少对下 变频器工作的干扰可使用外合成器。 图引脚封装形式 芯片封装与引脚功能 芯片封装采用引脚双列直插式封装形式，如图所示......”。

4、“..... ， ， 激励电源输入端。每引脚连接个低 噪声的电源。靠近接地的引脚端连接个旁路的积层 陶磁电容器。 外部旁路靠近地面的管脚端均连个的积层陶磁电容器到地提供内部偏移。 倒相输入到晶体振荡器。电路负载规格请查阅晶体管制 造商提供的资料。 不倒相输入到晶体振荡器。电路负载规格请查阅晶体管 制造商提供的资料。 ， ， 接地端。每个插脚均与固定接地端连接在起。同 时使用多路以减少可能存在或发生的自感应。 射频倒相输入。旁路射频输入接的电容同时串联 个电阻到地。 射频不倒相输入。的源极与个的积层陶 磁电容器连接。 基带偏移校正......”。

5、“..... 基带偏移校正。从到连接个 的积层陶磁电容器。 基带偏移校正。从到连接个 的积层陶磁电容器。 基带偏移校正。从到连接个 的积层陶磁电容器。 本机振荡器缓冲放大器选择。接地并选择预定 标器的输出功率。把与连接在起，选择 本地振荡器缓冲区输出。 当为低时，缓冲放大器射频启用输出。 充电泵增益选择。高阻抗数字输入。充电泵输出功率换 算工具。查看直流电电特性以提供可用增益设置。 缓冲放大器晶体振荡器输出功率。 充电泵增益选择。高阻抗数字输入。充电泵输出功率换 算工具。查看直流电电特性以提供可用增益设置。 为射频前端提供增益调节输入。高阻抗模拟输入......”。

6、“..... 为基带信号提供增益调节输入。高阻抗模拟输入，其输 入范围从到查看交流电电特性以提供传递函数。 续表引脚功能表 引脚 端序号符号功能简要说明 环路模式启动。高阻抗数字输入。低驱动到启 动射频输入缓冲放大器和禁止本地振荡器变频器。 高驱动使调谐器工作正常 基带滤波器截止校准。连接个摆动比率 限制时钟脉冲源。查看交流电电特性以提供传递函 数。 射频输入波段选择输入。高驱动启动 到频带。保持不连接启动到 频带。接地启动到 频带。 基带正交输出功率。接倒相输入的高速传动自 动控制。 基带正交输出功率......”。

7、“..... 基带同相输出功率，接倒相输入的高速传动自 动控制。 基带同相输出功率，接不倒相输入的高速传动 自动控制。 本地振荡器缓冲放大器分频器系数输入。高驱 动到启动分频电路本地振荡器缓冲区输出。接地到 启动分频电路缓冲区输出。 系数控制。控制在双重系 数预定标器的分频以上。逻辑低分频系数 为用于连接驱动差动信号与 。 系数控制。控制在双重系 ， ，  本地 振荡器衰 减 ， 本地 振荡器半 次谐波衰 减 ， 本地 振荡器耗 散功率 ......”。

8、“..... 基 带高通频率 截止频率范 围 由时钟信号控制 基带频 率响应 与理想阶巴特沃恩不符合 达到 截止频率准 确度 ， ， ......”。

9、“..... ，  滤波器 输入频带系 数与滤波器 输出频带噪 音系数 到 ， 到 正交增 益误差 测量于基带频率包 括来自基带滤器 影响 正交相 位误差 测量于基带频率包 括来自基带滤波器的影响 输出电 压摆幅 ， 晶体频 率范围 ， 调试时 间 ......”。