1、“.....由于晶圆片尺寸变大，周围环境温度的稍微变化都会引起晶圆片得膨胀和收。般采用自动套准技术，也称自对准技术。大尺寸硅片的加工目前生产上所用的晶圆片尺寸已经从向方向努力了。由于晶圆片尺寸变大，周围环境温度的稍微变化都会引起晶圆片得膨胀和收缩。硅的膨胀系数为，对于直径为的硅片，温度每变化，则产生的形变就有，这样要加工大尺寸晶圆片，对周围环境的温度控制要求十分严格，否则就是影响光刻质量。低缺陷在集成电路加工过程中，会产生些缺陷，即使这些缺陷尺寸小于图形的线条宽度，也会使集成电路失效。这些缺陷的引入是无法避免的，块集成电路的加工过程需要几十道工序，甚至上百道工序，每道工序都有可能引入缺陷，特别是光刻这道工序。由于缺陷会直接影响集成电路的成品率，因此在加工过程中尽量避免缺陷的产生，这对光刻来说更要引起重视。光刻胶的特性和配制光刻胶的性质光致抗蚀剂是种主要由碳氢等元素组成的高分子化合物......”。

2、“.....线型高分子化合物，其长链之间的结合力主要是靠化学键。由于分子间作用力比化学键的结合要弱的多，所以线型高分子化合物般是可溶性的，而体型高分子化合物往往是难溶性的。如果在高分子化合物内部存在不稳定的双键等可变因素的话，则在外界光或热的作用下，高分子化合物的分子结构就可能会在线型和体型之间发生变化。分子结构的变化，必然会引起高分子化合物的机械和物理性质的相应变化。例如，由可溶性变为不可溶性或者相反。光刻工艺就是利用光致抗蚀剂有这样内在的可变因素，在定条件下使部分高分子化合物由可溶性转变为不可溶性，或由不可溶性转变为可溶性，将掩模上的图形复印在光刻胶膜上。然后利用光刻胶膜对腐蚀液的抗蚀性，在硅片表面选择性地刻蚀或金属膜，实现定域扩散及金属膜布线的目的。光致抗蚀剂的种类根据光致抗蚀剂在曝光前后溶解性的变化，可以分为正性光刻胶和负性光刻胶两种。负性光致抗蚀剂曝光前光致抗蚀剂在有机溶剂中是可溶解的......”。

3、“.....这类抗蚀剂称为负性光致抗蚀剂，由此组成的光刻胶称为负性胶。目前，主要的负性光致抗蚀剂有聚肉桂酸酯类，聚酯类和环化橡胶类等。聚肉桂酸脂类聚肉桂酸脂类抗蚀剂的特点是在树脂分子的侧链上带有肉桂酰感光性官能团。典型的聚肉桂酸脂类抗蚀剂有聚乙烯醇脂又称，他是种浅黄色的纤维状固体，能溶解于丙酮，丁酮，环已酮等有机溶剂中。在紫外光的作用下，肉桂酰官能团发生二聚反应，引起聚合物分子间的交联，形成不溶于显影液的立体网状结构。光刻胶中加入适量的硝基苊，不仅扩大了感光波长范围，而且提高了光刻胶的感光灵敏度，缩短了暴光时间。聚乙烯醇肉桂酸脂经交联反应后生成的立体网状分子结构不再溶于有机溶剂，干燥后又能耐酸的腐蚀，光刻腐蚀后可以通过多种途径去除干净，因此在光刻技术中得到了广泛的应用。聚脂类聚脂类光致抗蚀剂的特点，是在树脂分子的侧链上含有共轭双键的感光性官能团，具有较强的感光灵敏度在感光性树脂分子的主链上含有极性基团......”。

4、“.....如和，有较好的粘附性。聚酯类光刻胶也可用硝基对半导体工艺中光刻技术的探讨苊作增感剂以缩短暴光时间。聚酯胶与聚乙烯醇肉桂酸酯比较，前者粘附性好，分辨率高，适合于刻蚀细线条。环化橡胶类环化橡胶类抗蚀剂的特点是，其交联反应由带有双感光性官能团的交联剂，在暴光后产生双自由基，和附近的环化橡胶分子相互作用，在聚合物分子链之间形成桥键，从而变成三维结构的不溶性物质。由于这类抗蚀剂和衬底材料有较强的粘附性，抗蚀能力也很强，特别适合于金属材料的刻蚀。但由于氧会使交联剂的光化学分解反应停留在中间阶段，即停留在生成的阶段而阻碍了交联反应的进行，因此暴光要在充氮或真空条件下进行。正性光致抗蚀剂曝光前对些溶剂是不可溶的，而暴光后却变成了可溶性的抗蚀剂称为正性光致抗蚀剂。暴光后，可用稀碱性水溶液进行显影。这时光照部分由于生成羧酸盐而溶解，而未受光照部分难溶，因而显出与掩膜版相同的正图象。正性抗蚀剂的抗碱性差而耐酸性好......”。

5、“.....为了避免钠离子对器件的不良影响，也可用有机碱性水溶液进行显影，如氢氧化四烷基铵水溶液等由于碱性显影液会受空气中的影响而变质，因此显影速率会随时间发生变化但正性光刻胶分辨率高，边缘整齐，反刻时易于套刻，是种重要的抗蚀剂。光刻胶的配制光刻胶的成份主要包括感光剂增感剂和溶剂。感光剂感光剂是光刻胶的核心部分，曝光时间光源所发射光线的强度都根据感光剂的特性选择决定的。增感剂感光剂的感光速度都较慢，生产上效率太低，因此向光刻胶中添加了提高感光速度的增感剂。溶剂感光剂和增感剂都是固态物质，为了方便均匀的涂覆，要将他们加入溶剂进行溶解，形成液态物质。溶剂的用量决定着光刻胶的稀稠，从而影响光刻胶膜的厚薄。光刻胶膜薄，曝光时光的散射和衍射作用影响较小，显影时间也缩短，因此光刻图形清晰，边缘整齐，有利于提高分辨率。但胶膜薄时影响较小，显影时间也缩短，因此光刻图形清晰，边缘整齐，有利于提高分辨率。但胶膜薄时......”。

6、“.....针孔密度会增加。所以，应根据各次光刻对分辨率和抗蚀性的要求来决定光刻胶的浓度。配比选择的般原则是在保证抗蚀能力的条件下，用较薄的胶膜，以提高分辨率。增感剂的用量，决定着光刻胶的感光灵敏度。光刻胶中加入适量增感剂，可以缩短暴光时间。增感剂用量过多，光在感光膜表面被强烈吸收，会造成内层光刻胶暴光不足，显影时出现浮胶。增感剂过多还会使胶膜变脆，增感剂在显影时被溶解还会使针孔密度增加。因此增感剂的用量必须适当。光刻胶的性能好坏与其配制有关。配制的原则是光刻胶既有良好的抗蚀力，又要有较高的分辨率化层刻蚀干净的光刻窗口内，还留有没有刻蚀干净的氧化局部区域，形成状不规则，习惯上称为小岛。小岛的存在，使扩散区域的局部点有氧化层，阻碍了杂质在该处的扩散而形成异常区，造成器件击穿特性变坏，反向漏电增加，甚至极时光照部分由于生成羧酸盐而溶解，而未受光照部分难溶，因而显出与掩膜版相同的正图象。正性抗蚀剂的抗碱性差而耐酸性好......”。

7、“.....为了避免钠离子对器件的不良影响，也可用有机碱性水溶的阶段而阻碍了交联反应的进行，因此暴光要在充氮或真空条件下进行。正性光致抗蚀剂曝光前对些溶剂是不可溶的，而暴光后却变成了可溶性的抗蚀剂称为正性光致抗蚀剂。暴光后，可用稀碱性水溶液进行显影。这物分子链之间形成桥键，从而变成三维结构的不溶性物质。由于这类抗蚀剂和衬底材料有较强的粘附性，抗蚀能力也很强，特别适合于金属材料的刻蚀。但由于氧会使交联剂的光化学分解反应停留在中间阶段，即停留在生成聚乙烯醇肉桂酸酯比较，前者粘附性好，分辨率高，适合于刻蚀细线条。环化橡胶类环化橡胶类抗蚀剂的特点是，其交联反应由带有双感光性官能团的交联剂，在暴光后产生双自由基，和附近的环化橡胶分子相互作用，在聚合，具有较强的感光灵敏度在感光性树脂分子的主链上含有极性基团，因而对些衬底材料，如和，有较好的粘附性......”。

8、“.....聚酯胶与网状分子结构不再溶于有机溶剂，干燥后又能耐酸的腐蚀，光刻腐蚀后可以通过多种途径去除干净，因此在光刻技术中得到了广泛的应用。聚脂类聚脂类光致抗蚀剂的特点，是在树脂分子的侧链上含有共轭双键的感光性官能团聚反应，引起聚合物分子间的交联，形成不溶于显影液的立体网状结构。光刻胶中加入适量的硝基苊，不仅扩大了感光波长范围，而且提高了光刻胶的感光灵敏度，缩短了暴光时间。聚乙烯醇肉桂酸脂经交联反应后生成的立体是在树脂分子的侧链上带有肉桂酰感光性官能团。典型的聚肉桂酸脂类抗蚀剂有聚乙烯醇脂又称，他是种浅黄色的纤维状固体，能溶解于丙酮，丁酮，环已酮等有机溶剂中。在紫外光的作用下，肉桂酰官能团发生二剂中是可溶解的，曝光后成为不可溶的物质，这类抗蚀剂称为负性光致抗蚀剂，由此组成的光刻胶称为负性胶。目前，主要的负性光致抗蚀剂有聚肉桂酸酯类，聚酯类和环化橡胶类等......”。

9、“.....实现定域扩散及金属膜布线的目的。光致抗蚀剂的种类根据光致抗蚀剂在曝光前后溶解性的变化，可以分为正性光刻胶和负性光刻胶两种。负性光致抗蚀剂曝光前光致抗蚀剂在有机溶反。光刻工艺就是利用光致抗蚀剂有这样内在的可变因素，在定条件下使部分高分子化合物由可溶性转变为不可溶性，或由不可溶性转变为可溶性，将掩模上的图形复印在光刻胶膜上。然后利用光刻胶膜对腐蚀液的抗蚀性，在的双键等可变因素的话，则在外界光或热的作用下，高分子化合物的分子结构就可能会在线型和体型之间发生变化。分子结构的变化，必然会引起高分子化合物的机械和物理性质的相应变化。例如，由可溶性变为不可溶性或者相两种。线型高分子化合物，其长链之间的结合力主要是靠化学键。由于分子间作用力比化学键的结合要弱的多，所以线型高分子化合物般是可溶性的，而体型高分子化合物往往是难溶性的。如果在高分子化合物内部存在不稳定缺陷会直接影响集成电路的成品率......”。