1、“..... 所以在原来代码上做些改变就完成了沟槽结构结构工艺仿真，以下为单个沟槽制备的主要代码。 在完成栅氧制备和离子注入后，对栅氧进行刻蚀刻蚀硅薄膜完成刻蚀工艺后，在刻蚀掉的地方形成二氧化硅，就可以形成所要求的沟槽了。 图所示的是通过工艺仿真软件构建的沟槽结构结构图。 图沟槽结构图本章小结本章的主要内容是完成器件工艺制备。 首先对工艺进行方案设计，以保证工艺模拟能有序的进行，然后对工艺仿真时所涉及的工艺第三章器件的制程工艺设计作简单介绍，进步熟悉工艺原理，最后利用工艺模拟软件模拟工艺流程，其基本流程为衬底制备栅极氧化层形成阱注入多晶硅栅极形成源漏极注入和退火接触层，制作成结构的技术，是迄今为止最成熟的制备技术之。 如图所示是注氧隔离技术的工艺流程。 技术主要包括两个工艺步骤氧离子注入，用以在硅表层下产生个高浓度的注氧层高温退火，使注入的腐蚀......”。

2、“.....通过退火获得值来决定的，因此研究人员则是从器件的横向耐压和纵向耐压两个方面来改进器件。 的制备结构有三个主流制备技术注氧隔离技术，智能剥离技术以及硅片键合与背面点，但是也有几个不足之处，比如较为严重的自然热效应等。 但能很好地利用材料，实现较高的击穿电压，和常规的工艺兼容等都是研究开发的重点。 器件的击穿电压是由器件的横向耐压和纵向耐压的最小，每个通道输出电路是推挽型，有高压横向晶体管组成。 尽管有许多高压通道，但是由于使用了介质隔离技术，芯片面积只有，而输出电流可达。 第章技术材料虽然具有体硅材料无法比拟的优和个低压逻辑器件，具有过温过流和短路保护功能，工作频率为。 等人集成了的通道驱动电路功耗问题有着重要的意义。 另外，技术因其优越的性能也在功率集成电路中得到了广泛应用。 东芝的研究开发中心报道在键合硅片上研制成功了的三相无刷马达驱动电路......”。

3、“..... 研究表明，随着双栅技术和环栅技术的日益成熟，栅长小于,沟道厚度小于的结构仍然可以保持良好的开关特性，这对于解决超大规模集成电路。 世界上第个真正意义上的电路是于年研制的微处理器。 它是在材料上采用工艺制成。 而年公司推出的位微处理器采用铜互联技术和技术，主频高达，结构，技术越来越受到关注。 目前锗硅碳化硅砷化镓等都可以作为绝缘材料，形成结构，甚至可以形成其中两种或几种的层叠结构。 随着技术的不断成熟，它在集成电路上的应用也得到了快速发展二十世纪八十年代后，的制备技术有了迅猛的发展，以二氧化硅为绝缘材料的制备技术被开发出来。 由于二氧化硅和硅界面性能较为稳定，价格较低廉等优点，成为结构的主流材料。 结构逐渐取代上外延硅，结构。 但是由于蓝宝石衬底和硅膜的晶格不致，因此界面的缺陷密度较大，使得载流子迁移率低，限制了最小尺寸的加工，也不适用于复杂结构的制备......”。

4、“.....高压功率器件以及微机电系统等领域具有重要的应用。 技术的发展概述上个世纪六十年代，人们就在千度的温度条件下成功地将硅烷通过化学气相淀积的方法在蓝宝石上生长了单晶硅薄膜，这就是蓝宝石技术能将器件性能或速度提高，功耗可下降，在相同的辐射剂量下，产生的少数载流子会减少三个数量级。 因此，技术在高可靠超大规模集成电路，高速低功耗集成电路，光电子集成器件，高温传感器，层的介质隔离结构，彻底消除了体硅电路中的可控硅效应这种结构具有工艺简单寄生电容小抗辐照能力强集成密度高等特征，特别适合应用于低压低功耗电路。 研究表明，和相同条件下的体硅技术相比绝缘衬底体上硅技术是上个世纪八十年代发展起来的，它是种集成电路新技术。 在众多器件结构技术中，技术具有体硅材料无法比拟的优点在器件的有源层和衬底之间插入埋氧和费用。 基于这点，利用工艺仿真模块模拟工艺制作过程,并用器件仿真模块提取的特性曲线......”。

5、“..... 基于这点，利用工艺仿真模块模拟工艺制作过程,并用器件仿真模块提取的特性曲线。 第章技术第章技术技术的特点，绝缘衬底体上硅技术是上个世纪八十年代发展起来的，它是种集成电路新技术。 在众多器件结构技术中，技术具有体硅材料无法比拟的优点在器件的有源层和衬底之间插入埋氧层的介质隔离结构，彻底消除了体硅电路中的可控硅效应这种结构具有工艺简单寄生电容小抗辐照能力强集成密度高等特征，特别适合应用于低压低功耗电路。 研究表明，和相同条件下的体硅技术相比，技术能将器件性能或速度提高，功耗可下降，在相同的辐射剂量下，产生的少数载流子会减少三个数量级。 因此，技术在高可靠超大规模集成电路，高速低功耗集成电路，光电子集成器件，高温传感器，抗辐照微电子，高压功率器件以及微机电系统等领域具有重要的应用。 技术的发展概述上个世纪六十年代......”。

6、“.....这就是蓝宝石上外延硅，结构。 但是由于蓝宝石衬底和硅膜的晶格不致，因此界面的缺陷密度较大，使得载流子迁移率低，限制了最小尺寸的加工，也不适用于复杂结构的制备。 二十世纪八十年代后，的制备技术有了迅猛的发展，以二氧化硅为绝缘材料的制备技术被开发出来。 由于二氧化硅和硅界面性能较为稳定，价格较低廉等优点，成为结构的主流材料。 结构逐渐取代结构，技术越来越受到关注。 目前锗硅碳化硅砷化镓等都可以作为绝缘材料，形成结构，甚至可以形成其中两种或几种的层叠结构。 随着技术的不断成熟，它在集成电路上的应用也得到了快速发展。 世界上第个真正意义上的电路是于年研制的微处理器。 它是在材料上采用工艺制成。 而年公司推出的位微处理器采用铜互联技术和技术，主频高达，代表了技术市场化的最高水平。 研究表明，随着双栅技术和环栅技术的日益成熟，栅长小于......”。

7、“.....这对于解决超大规模集成电路功耗问题有着重要的意义。 另外，技术因其优越的性能也在功率集成电路中得到了广泛应用。 东芝的研究开发中心报道在键合硅片上研制成功了的三相无刷马达驱动电路，集成了个和个低压逻辑器件，具有过温过流和短路保护功能，工作频率为。 等人集成了的通道驱动电路，每个通道输出电路是推挽型，有高压横向晶体管组成。 尽管有许多高压通道，但是由于使用了介质隔离技术，芯片面积只有，而输出电流可达。 第章技术材料虽然具有体硅材料无法比拟的优点，但是也有几个不足之处，比如较为严重的自然热效应等。 但能很好地利用材料，实现较高的击穿电压，和常规的工艺兼容等都是研究开发的重点。 器件的击穿电压是由器件的横向耐压和纵向耐压的最小值来决定的，因此研究人员则是从器件的横向耐压和纵向耐压两个方面来改进器件。 的制备结构有三个主流制备技术注氧隔离技术，智能剥离技术以及硅片键合与背面腐蚀......”。

8、“.....通过退火获得层，制作成结构的技术，是迄今为止最成熟的制备技术之。 如图所示是注氧隔离技术的工艺流程。 技术主要包括两个工艺步骤氧离子注入，用以在硅表层下产生个高浓度的注氧层高温退火，使注入的氧与硅反应形成绝缘层。 技术制成的材料厚度均匀，尤其适于制作超薄型，但是这种技术的主要限制是需要昂贵的大束流注氧专用机，另个问题是为了消除氧注入损伤，实现表面硅层固相再结晶，形成良好的界面，必须用专用退火炉进行高温长时间退火，因而这种技术需要较高的成本。 第章技术智能剥离技术图的工艺流程技术是利用注入在片中形成气泡层，将注氢片与另支撑片键合两个硅片之间至少片的表面要有热氧化覆盖层，经适当的热处理使注氢片从气泡层完整裂开，形成结构。 如图所示是智能剥离技术的工艺流程。 技术是种较理想的制备技术注入在栅极氧化层上，淀积层约为的多晶硅......”。

9、“.....形成多晶硅栅，如图所示。 然后进行多晶硅栅磷掺杂，以增加栅极的导电性，掺杂条件注入剂量为，注入能量为。 图给出了该器件此时的纵向和横向浓度分布图。 纵向浓度分布图横向浓度分布图图浓度分布图第三章器件的制程工艺设计源漏极注入和退火完成源漏极的掺杂和退火工艺，以达到源漏极拥有良好的导电性，主要的工艺代码如下源漏极定向注入退火在完成多晶硅栅极之后，就可以进行源漏极注入了。 首先涂胶进行型源漏刻蚀，然后进行磷离子注入，注入剂量为，注入能量为。 去胶后，对完成离子注入的器件进行退火，退火条件压强条件为个大气压，时间分钟，温度为。 退火后，注入形成的源漏极如图所示。 图给出了该器件此时的沟道横向浓度分布图。 由图可知，对源漏极注入磷离子之后，基本完成了器件内部构建。 图型源漏形成第三章器件的制程工艺设计图沟道横向浓度分布图接触金属形成最后步是完成源漏极金属的淀积......”。