1、“.....公司技术人员经过反复实验比较不断优化，设计出了合理热场，优化了温度分布，为提高单晶生长成品率实现该工艺产业化创造了又个有利条件。本项目中，单晶生长采用两步法，即先合成多晶然后再次备料生长单晶，备好多晶放入两温区多段加热炉中生长单晶谓之无砷端生长技术。两温区炉高温区温度为。中温区为。这种加热结构既得到所需温度分布，又可抑制生长过程中污染。污染是由于舟石英管都是石英即材料易于使并入熔体和单晶中。抑制污染机理是在合成和晶体生长中，高温区发生熔体中与石英反应分别表示液固气相。反应使进入，反应使部分与反应生成气相逸出，二者差值，造成中并入。高温区气相扩散到中温区发生如下反应反应消耗了，使反应向右继续进行，加剧了向中并入。反应与温度关系密切，如将温度升到以上，反应基本停止，从而可抑制反应向右方进行故将该温区温度维持在以上。我们对多段炉设计，各段炉温单独控制及其协调配合控制也进行了反复实验研究并不断进行了优化，对提高单晶生长成品率发挥了重要作用......”。

2、“.....正常传递密切相关，结晶速度控制不当，会严重干扰内加热炉所形成温度分布，进而影响单晶正常生长，本项目在对热场配置进行优化时，兼顾了采用合适结晶速度这重要参数。固液界面特种加热炉可很好调整固液界面形状，这对生长不同晶向晶体降低位错密度，提高成品率都十分重要。单晶生长过程中固液界面形状控制是提高成品率关键技术。在水平单晶生长过程中，无法完全按器件制造所要求晶向生长，即晶体生长方向与晶片晶向有定夹角，这导致了水平单晶切片，般都要斜切因而切片技术难度较大，为使所切晶片上电学参数尤其是载流子浓度均匀分布，固液界面也必须与生长方向成定角度。因为杂质主要是掺杂剂分凝是以固液界面为界线，如果单晶生长过程中固液界面与生长方向之间角度和所切晶片晶向与单晶生长方向之间角度不致，所切晶片上载流子浓度会形成浓度梯度，即得不到均匀分布，这会对在晶片上生长外延材料及器件成品率和性能造成不良影响......”。

3、“.....使增大，从而降低成品率。国内外在水平单晶研究开发中，多年来都是使用管状加热炉。因此，固液界面只能与生长方向垂直，无法得到所需要偏角。管状加热炉除了无法得到所需偏角以外，还很难调制固液界面本身平坦度，由于砷化镓热导率相对较低，在采用管状加热炉情况下固液界面四周热环境是固定，无法变动，加上热辐射和固液界面结晶潜热难以导出，使熔体边缘温度低于中心处温度，往往使固液界面凹向熔体。这种界面非常容易出孪晶，或使晶体增大，降低成品率。在单晶生长理论中，理想固液界面形状应为平坦或略为凸向熔体，做到这点，加热体设计和制造非常关键。加热体是单晶生长核心，对单晶生长影响非常大，是决定单晶生长成功与否关键因素之。该产品设计和制造是本公司多年科研结晶。本公司在炉体结构设计保温层设置和配置加热区段设置加热区域设置等方面均取得了很大进步。目前制作加热体，截面区固液交界面区有特殊加热结构。高温区各加热段设计合理，中温区有后加热体设置，其余各区设置合适在产品试制过程中表明......”。

4、“.....采用这种加热体，可以很好调节固液界面形状及固液界面与生长方向夹角，使其与所切割晶片方向致，并与单晶生长方向之间夹角致。同时，采用这特种加热炉，通过高温区中温区和固液界面区温度分布控制，很容易调平固液界面。当然，这种加热体如何单独控制又协调配合形成所需温度分布，也要经过反复实验研究不断优化。经过几年开发，本项目单位已在国内独家掌握了该项技术，该项技术达到世界先进水平。关键技术先进性本项目产品年月通过了中国有色金属工业协会组织科技成果鉴定，鉴定结论为该项目利用本单位独创石英舟预处理技术生长系统设计和制造技术，固液界面特种加热炉设计和制造技术，研究开发了本项目产品生长工艺技术和晶片加工工艺技术。通过提高单晶单炉产量和成品率，提高晶片加工成品率，实现了水平砷化镓单晶材料产业化，达到了预期目标。该项目技术达到国际先进水平，产品质量也达到国际先进水平，同类商品国际市场占有率接近。该产品与日本住友电工相比，各项技术指标均达到或高于其产品......”。

5、“.....主要有型掺单晶和型掺单晶两种，主要用于包括红外和高亮度等光电器件衬底，本项目单位国瑞公司生产这两种单晶各项技术指标与国际同类产品致，完全达到了国际同类产品先进水平，本产品与日本住友电工公司各项指标对比如下北京有研总院国瑞公司日本住友电工产品类型技术指标型掺晶片直径，产品类型技术指标型掺晶片直径，项目承担单位在实施本项目中优势研发能力强是本单位固有优势，企业前身是北京有色金属研究总院化合物半导体材料研究室。成立于年，从成立之日起就开始水平单晶研究，年底研制成功国内第根水平单晶，先后承担多项国家科技攻关项目和军工配套项目，取得国家及部级科研成果项，这些成果均达到国际上同类产品技术水平或填补国内空白。年原国家计委选定北京有研总院组建国家半导体材料工程研究中心，作为国家半导体材料工程化研发基地，加快了单晶材料产业化步伐。年在国内首次拉制重，加工直径英寸晶片单晶，年建成了国内第个有台单晶生长系统生产线，年产单晶，使我国单晶年产量首次突破......”。

6、“.....国瑞电子材料有限责任公司年月注册成立，由北京有色金属研究总院和有研半导体材料股份有限公司共同出资组建。注册资金万元，有研总院占股份，对该公司有绝对控股权，原有研总院该项目研发人员全部转入国瑞公司继续水平砷化镓项目研究与开发工作。目前企业拥有单晶生产系统台及相应晶片加工切片机磨片机划园机倒角机抛光机等性能检测设备，因此，承担本项目，国瑞公司具有人员和技术优势。第三章项目成熟程度产品检测鉴定及用户使用情况本项目产品技术成熟，年通过了中科镓英半导体有限公司质量管理部所做测试报告，报告显示国瑞公司向本公司提供型单晶和掺型单晶与国瑞公司所提供产品所有参数完全致。年月产品通过了中国有色金属工业协会组织科技成果鉴定，鉴定结果为该项目利用本单位独创石英舟预处理技术生长系统设计和制造技术，固液界面特种加热炉设计和制造技术，研究开发了本项目产品生长工艺技术和晶片加工工艺技术。通过提高单晶单炉产量和成品率，提高晶片加工成品率，实现了水平砷化镓单晶材料产业化......”。

7、“.....该项目技术达到国际先进水平，产品质量也达到国际先进水平，同类商品国际市场占有率接近。具备进步扩大生产规模技术条件。本项目产品近年来大量用于红外和高亮度，目前产品成功进入世界上最大水平砷化镓单晶应用厂商日本住友电工公司。国外另重要用户韩国认为该项目产品质量等同于日本住友电工公司产品。国内中科镓英公司大量购买本项目产品经加工后亦成功进入国际市场。产品质量价格性能等情况该项目产品质量优良，价格低于国外同类产品，各项性能指标均达到或优于国外同类产品，市场前景广阔。本产品与日本住友电工公司各项指标对比如下北京有研总院国瑞公司日本住友电工产品类型技术指标型掺晶片直径，产品类型技术指标型掺晶片直径，核心技术知识产权情况该项目利用本单位独创石英舟预处理技术生长系统设计和制造技术固液界面特种加热炉设计和制造技术，研究开发了和水平砷化镓单晶生长工艺技术及晶片加工工艺技术。企业对产品生产全部技术拥有知识产权，不存在产权纠纷......”。

8、“.....是目前生产量和需求量最大增长率最快化合物半导体器件之。红外和高亮度是种应用面广，用量大半导体器件，在各个应用领域其用量都在大幅度增长，据统计，年到年整个生产和需求量平均年增长率为以上。今后仍将保持平均年增长率，年为亿美元，年高亮度市场将达到亿美元累计实现净现值万元。项目内部收益率。投资利润率年平均利润项目投资总额。年份总销售收入总成本费用净利润第年第二年第三年第四年第五年投资利税率年平均利税项目投资总额投资回收期累计净现金流量出现正值年份∣上年度累计净现金流量∣当年净现金流量∣∣年含建设期年预计在年月即可收回全部投资。本项目内部收益率接近相关行业基准收益率。该项目投资回收期短，投资收益可观，获利能力很强。不确定性分析盈亏平衡分析盈亏平衡点产量销量总固定成本产品价格单位变动成本吨当产量为吨时，达到盈亏平衡。财务分析结论由以上财务数据可见，本项目投资回收期较短，投资利润率投资利税率内部收益率较高，当产品产量为吨时，即达到盈亏平衡......”。

9、“.....是目前生产量和需求量最大增长率最快化合物半导体器件之。但是由于国内没有生产该产品企业，使国内企业对该产品需求主要依赖进口。本项目实施，可以满足国内企业市场需求，替代进口产品，并可出口创汇。同时，本项目实施，将带动相关产业发展，从而推动我国经济快速发展......”。