1、“.....利用光刻机发出的光通过具有图形的光罩对涂有光刻胶的薄片曝光，光刻胶见光后会发生性质变化，从而使光罩上得图形复印到薄片上，从而使薄片具有电子线路图的作用。这就是光刻的作用，类似照相机照相。照相机拍摄的照片是印在底片上，而光刻刻的不是照片，而是电路图和其他电子元件。第二章，光刻的历史光科技束的诞生年，贝尔实验室发明第只点接触晶体管。从此光刻技术开始了发展当时的人们已经开始了计算机的发展，人们大量利用计算机，芯片的需求量大增，许多科学家都在研究证明发展计算机，于是光刻技术迅速被人们重视，并飞速发展，不过比较遗憾的是当时我国仍处于战乱之中，制版光刻还是个空白，半导体技术和科研号处在起步阶段。光科技束的发展初级阶段在五十年代，结晶晶体管在国外诞生奥尔发明离子注入工艺，弗雷提出扩散节工艺......”。

2、“.....光刻技术是百花齐放。在年制造出来世界上第架晶体管计算机，提出光刻工艺，仙童半导体研制世界第个适用单结构硅晶片。新中国成立后，也很重视光刻技术的发展。有周总理亲自挂帅主持制定十年科学发展技术远景规划纲要光科技束半导体技术等列为国家重点研究科目。北大复旦南大厦大和东北人大等高校抽调精兵强将成立联合半导体专门化，中国科学院物理研究所成立半导体研究室。黄昆，谢希德，林兰英，王守武等前辈开始研究光刻技术。年我国研制出来了第根锗合金晶体管。年我国建立第条半导体试验线研制成功锗合金三极管。年建立了厂，这是微电子所的前身，研制的锗合金三极管和磁膜储存器应用于丙计算机如果说在五十年代对于光刻技术是以研究为主的话，那么在六十年代就是以生产为主了。经过了十年发展，光刻技术已经基本成型。在六十年代，光科技束已经从实验室走向了生产线。鲁尔发明外延生长工艺仙童提出互补氧化物半导体场效应晶体制造工艺......”。

3、“.....在提出摩尔定律，研制出个元件的小鬼吗集成电路和个元件的中闺蜜集成电路。成功研制门系列，并且建立了世界上第台英寸集成电路生二〇四年四月二十四日星期四产线，公司开发出光学图形发生器和分布重复精缩机。在世界技术发展的同时，我国的仍以三极管为主的制版光科技束萌芽年代，沿用古老传统的照相术级显微镜缩小曝光，人工光刻，坐标值加喷黑漆铜版纸加手术刀，精度和特征尺寸为几十微米，在年，我国成立中国半导体研究所和河北半导体研究所，并且研制成功第只硅平面晶体管。并且在年成功研制第个硅平面数字集成电路，并且成功研制第台第三代计算机，在此后不久我国研制了集成电路和集成电路，开发并制造第批接触式曝光小掩模板。经过六十年代的小规模制造和技术研究，到了七十年代，微光刻技术已经基本成熟，在七十年代，大规模集成电路制造设备已经蓬勃的发展起来。斯皮勒等发明光刻工艺研制出来了位进入时代......”。

4、“.....并且在这个时代研制出来了第块微处理器，建立了世界上第条英寸集成电路生产线在年半导体设备和材料国际组织举行了第次国际标准化会议，并且退出了第块微处理器外国科学家提出比例缩小定律。随后国外相机开发出地字数曝光机，投影光刻机等关键工艺设备技术，并且在年建立世界上第条英寸集成电路生产线，在年推出世界第台机在六七十年代，我国正在经受着文革的阵痛和西方的封锁，在这场浩劫下，我们的光刻水平缺依然向前发展。我国在年成功研制出了为，在年，北京大学研制成功我国第台万次计算机。在年，中科院研制成功我国第台玩次计算机，并且在年我国建立了第条英寸集成电路生产线光刻发展历史的快速阶段八十年代，是伟光刻集成电路进行自动化大生产的十年，在年，世界上第条寸集成电路生产线建立，并研制出了位，进入时代，工艺万个晶体管，进入市场。集成电路和光科技束已经百花齐放的时代。而在此时......”。

5、“.....汲取着来自世界的只是。在年我国第条英寸集成电路生产线建立。这标志着我国在国科技术的进步，而且国家重视技术，无锡八五战略研讨加快基地建设。我国的掩模制造业形成规模，分辨路犹豫微米以制版为主。参考集成电路制造工艺光刻技术的历史演化经过三十年的发展，在九十年代，为光科技束特征尺寸想沈微米推进。在年研制出了,在年研制为你工艺，年研制出了位微处理器，在年，研制出来了位微处理器和微处理器在年，研制出,世界上进入集成度打到亿个单元的巨大规模集成电二〇。运用这些技术，可在目前的技术水平上获得更高分辨率的光刻图形。如年初公司推出的扫描步进机，该机的光源为纳米，通过采用波前技术，可在毫米硅片上实现微米光刻线宽。光刻技术是包含光刻机掩模光刻材料等系列技术，涉及光机电物理化学材料等多个研究方向。目前科学家正在探索更短波长的激光波二〇四年四月二十四日星期四长为纳米光刻技术。由于大量的光吸收......”。

6、“.....光科技束是很多学科的综合，任何门学科的突破就能对光刻技术的发展做出巨大贡献。图为光学光刻原理图，电子束光刻电子束光刻技术是微型技术加工发展的关键技术,他在纳米制造领域中起着不可替代的作用。电子束光刻主要是刻画微小的电路图，电路通常是以纳米微单位的随着中国纳米技术和纳米电子学的蓬勃发展,纳米加工技术的研究越来越重要,而电子束光刻技术将是纳米结构图形加工中非常重要的手段。电子束光刻技术要应用于纳米尺度微小结构的加工和集成电路的光刻,必须解决几个关键的技术问题电子束高精度扫描成像曝光效率低电子在抗蚀剂和基片中的散射和背散射现象造成的邻近效应在实现纳米尺度加工中电子抗蚀剂和电子束曝光及显影刻蚀等工艺技术问题。实践证明,电子束邻近效应校正技术电子束曝光与光学曝光系统的匹配和混合光刻技术及抗蚀剂曝光工艺优化技术的应用......”。

7、“.....电子束光刻最主要的就是金属化剥离，第步是在光刻胶表面扫描到自己需要的图形。第二部是将曝光的图形进行显影，去除未曝光的部分，第三部在形成的图形上沉淀金属，第四部将光刻胶去除，在金属剥离的过程中，关键在于光刻工艺的胶型控制。最好使用厚胶，这样有利于胶剂的渗透，形成清晰的形貌。聚焦粒子束光刻聚焦离子束,的系统是利用电透镜将离子束聚焦成非常小尺寸的显微切割仪器，她的原理与电子束光刻相近，不过是有电子变成离子。目前商业用途系统的离子束为液态金属离子源，金属材质为镓，因为镓元素二〇四年四月二十四日星期四具有熔点低低蒸气压及良好的抗氧化力典型的离子束显微镜包括液相金属离子源电透镜扫描电极二次粒子侦测器轴向移动的试片基座真空系统抗振动和磁场的装置电子控制面板和计算机等硬设备，外加电场于液相金属离子源可使液态镓形成细小尖端，再加上负电场牵引尖端的镓，而导出镓离子束，在般工作电压下......”。

8、“.....以电透镜聚焦，经过连串变化孔径,可决定离子束的大小，再经过二次聚焦至试片表面，利用物理碰撞来达到切割之目的。在成像方面，聚焦离子束显微镜和扫描电子显微镜的原理比较相近，其中离子束显微镜的试片表面受镓离子扫描撞击而激发出的二次电子和二次离子是影像的来源，影像的分辨率决定于离子束的大小带电离子的加速电压二次离子讯号的强度试片接地的状况与仪器抗振动和磁场的状况，目前商用机型的影像分辨率最高已达，虽然其分辨率不及扫描式电子显微镜和穿透式电子显微镜，但是对于定点结构的分析，它没有试片制备的问题，在工作时间上较为经济。聚焦离子束投影曝光除了前面已经提到的曝光灵敏度极高和没有邻近效应之外还包括焦深大于曝光深度可以控制。离子源发射的离子束具有非常好的平行性，离子束投影透镜的数值孔径只有，其焦深可达，也就是说，硅片表面任何起伏在之内，离子束的分辨力基本不变。而光学曝光的焦深只有为......”。

9、“.....和生产线制成异常分析或者进行光阻切割。移相掩模光刻分辨率取决于照明系统的部分相干性掩模图形空间频率和衬比及成象系统的数值孔径等。相移掩模技术的应用有可能用传统的光刻技术和线光刻机在最佳照明下刻划出尺寸为传统方法之半的图形，而且具有更大的焦深和曝光量范围。例如使用，在分辨率可达实际分辨率可达。相移掩模方法有可能克服线间隔图形传统光刻方法的局限性。随着移相掩模技术的发展,涌现出众多的种类,大体上可分为交替式移相掩膜技术衰减式移相掩模技术边缘增强型相移掩模,包括亚分辨率相移掩模和自对准相移掩模无铬全透明移相掩模及复合移相方式交替移相全透明移相衰减移相二元铬掩模几类。尤其以交替型和全透明移相掩模对分辨率改善最显著,为实现亚波长光刻创造了有利条件。全透明移相掩模的特点是利用大于宽度的透明移相器图形边缘光相位突然发生度变化......”。