1、“.....随着双栅、FinFET技术和环栅技术的日益成熟，栅长小于nm,沟道厚度小于nm的SOICMOS结构仍然可以保持良好的开关特性，这对于解决超大规模集成电路。

世界上第一个真正意义上的SOI电路是IBM于年研制的Power微处理器。

它是在SOI材料上采用CMOS工艺制成。

而年AMD公司推出的Athlon位微处理器采用铜互联技术和SOI技术，主频高达GHz，S结构，SOI技术越来越受到关注。

目前锗硅、碳化硅、砷化镓等都可以作为绝缘材料，形成SOI结构，甚至可以形成其中两种或几种的层叠结构[]。

随着SOI技术的不断成熟，它在集成电路上的应用也得到了快速发展二十世纪八十年代后，SOI的制备技术有了迅猛的发展，以二氧化硅为绝缘材料的SOI制备技术被开发出来。

由于二氧化硅和硅界面性能较为稳定......”。

2、“.....成为SOI结构的主流材料。

SOI结构逐渐取代SO上外延硅（SOS，SilicononSapphire）结构[]。

但是由于蓝宝石衬底和硅膜的晶格不一致，因此SOS界面的缺陷密度较大，使得载流子迁移率低，限制了最小尺寸的加工，也不适用于复杂结构的制备。

抗辐照微电子，高压功率器件以及微机电系统等领域具有重要的应用。

SOI技术的发展概述上个世纪六十年代，人们就在一千度的温度条件下成功地将硅烷通过化学气相淀积的方法在蓝宝石上生长了单晶硅薄膜，这就是蓝宝石技术能将器件性能或速度提高%～%，功耗可下降/，在相同的辐射剂量下，产生的少数载流子会减少三个数量级[-]。

因此，SOI技术在高可靠超大规模集成电路，高速、低功耗集成电路，光电子集成器件，高温传感器，层的介质隔离结构......”。

3、“.....特别适合应用于低压低功耗电路。

研究表明，和相同条件下的体硅CMOS技术相比，SOIlicononInsulator，绝缘衬底体上硅）技术是上个世纪八十年代发展起来的，它是一种集成电路新技术。

在众多器件结构技术中，SOI技术具有体硅材料无法比拟的优点在器件的有源层和衬底之间插入埋氧和费用。

基于这点，利用工艺仿真ATHENA模块模拟SOILDMOS工艺制作过程,并用器件仿真ATLAS模块提取SOILDMOS的特性曲线。

第一章SOI技术第一章SOI技术SOI技术的特点SOI（Sil和费用。

基于这点，利用工艺仿真ATHENA模块模拟SOILDMOS工艺制作过程,并用器件仿真ATLAS模块提取SOILDMOS的特性曲线......”。

4、“.....绝缘衬底体上硅）技术是上个世纪八十源层和衬底之间插入埋氧和费用。

基于这点，利用工艺仿真ATHENA模块模拟SOILDMOS工艺制作过程,并用器件仿真ATLAS模块提取SOILDMOS的特性曲线。

第一章SOI技术第一章SOI技术SOI技术的特点SOI（Sil和费用。

基于这点，利用工艺仿真ATHENA模块模拟SOILDMOS工艺制作过程,并用器件仿真ATLAS模块提取SOILDMOS的特性曲线。

第一章SOI技术第一章SOI技术SOI技术的特点SOI（SilicononInsulator，绝缘衬底体上硅）技术是上个世纪八十年代发展起来的，它是一种集成电路新技术。

在众多器件结构技术中，SOI技术具有体硅材料无法比拟的优点在器件的有源层和衬底之间插入埋氧层的介质隔离结构......”。

5、“.....特别适合应用于低压低功耗电路。

研究表明，和相同条件下的体硅CMOS技术相比，SOI技术能将器件性能或速度提高%～%，功耗可下降/，在相同的辐射剂量下，产生的少数载流子会减少三个数量级[-]。

因此，SOI技术在高可靠超大规模集成电路，高速、低功耗集成电路，光电子集成器件，高温传感器，抗辐照微电子，高压功率器件以及微机电系统等领域具有重要的应用。

SOI技术的发展概述上个世纪六十年代，人们就在一千度的温度条件下成功地将硅烷通过化学气相淀积的方法在蓝宝石上生长了单晶硅薄膜，这就是蓝宝石上外延硅（SOS，SilicononSapphire）结构[]。

但是由于蓝宝石衬底和硅膜的晶格不一致，因此SOS界面的缺陷密度较大，使得载流子迁移率低，限制了最小尺寸的加工......”。

6、“.....SOI的制备技术有了迅猛的发展，以二氧化硅为绝缘材料的SOI制备技术被开发出来。

由于二氧化硅和硅界面性能较为稳定，价格较低廉等优点，成为SOI结构的主流材料。

SOI结构逐渐取代SOS结构，SOI技术越来越受到关注。

目前锗硅、碳化硅、砷化镓等都可以作为绝缘材料，形成SOI结构，甚至可以形成其中两种或几种的层叠结构[]。

随着SOI技术的不断成熟，它在集成电路上的应用也得到了快速发展。

世界上第一个真正意义上的SOI电路是IBM于年研制的Power微处理器。

它是在SOI材料上采用CMOS工艺制成。

而年AMD公司推出的Athlon位微处理器采用铜互联技术和SOI技术，主频高达GHz，代表了SOI技术市场化的最高水平[]。

MS......”。

7、“.....andthereareprocessparameterssimulatedfortheassociateddevicedesign,suchasthethicknessoftheoxidelayer,dopingtypeanddose,theconditionofimplantation,thedepthandrangeofetching,andsoonThenthemajorelectricalperformancecharacteristiccurvesisgotOnthebasisofthenormalSOILDMOSdevice......”。

8、“.....comparedwiththenormalSOILDMOSdevice,thebreakdownvoltageofthetrenchstructureSOILDMOSisincreasedby%......”。

9、“.....虽然可以提高集成电路集成度，但是器件的功耗、可靠性和电路的性能等等都会受到较大的影响。

特别是以硅材料直接作为衬底的器件在工艺缩小后，会产生许多问题，如功耗密度急剧提高，抗干扰能力下降，寄生电容增加，互连线延长等，严重阻碍了器件速度和集成度的进一步提高，同时也会增加生产的成本。

为了克服因尺寸缩小所产生的问题或减小影响，研究人员在工艺中引入新材料或者对原有材料进行改进，如铜互连，低K值材料和高K值栅介质等等[]。

除材料技术外，研究人员对器件结构也进行了改进，如LDD（轻掺杂漏区）技术，高K栅介质与金属栅组合结构组合技术等，以克服尺寸缩小所带来的问题......”。