1、“.....钢筋混凝土屋顶，层高米建筑火灾危险类别为戊类主要包括变电站冷冻机空压机等纯水站厂房及仓库为单层钢结构厂房，层高米建筑火灾危险类别为戊类，建筑面积为主生产区放置开方切片清洗等生产设备。除生产区外，还布置有生产管理更衣，以及生产配套的空调机房车间变配电等。另外为单晶炉上半部分操作区。除生产区外，还布置有生产管理更衣，以及生产配套的空调机房车间变配电等。另外，车间还考虑有般物品库，包括暂存间物料入口等，以利于物料的传输暂存。切片厂房及仓库栋切片栋单晶厂房均为二层钢筋砼框架结构，钢筋混凝土屋顶，层层高米，二层米建筑火灾危险类别为丁类层主要为单晶炉下半部分以及变压器泵等......”。

2、“.....二楼区位于期用地西北侧的二期用地内，离主要废水排放点洗料厂房和切片厂房较近，便于废水就近排放和综合治理。土建建筑洗晶车间栋洗晶车间为单层钢筋混凝土框架结构建筑，层高米。长，宽。单晶厂房市政供电线路和厂区负荷中心较近三个单晶厂房位于用地东北角，与洗料厂房相临，有利于物料传输切片厂房及仓库位于用地西南角，使用物料运输综合楼等相关生活设施位于用地西南角，与生产设施相对隔离废水处理置个出入口，分别位于用地的东侧淮南北路和西侧规划道路上，东侧入口为人员入口，西侧入口为货物入口，与二期用地衔接。在厂房的四周设计的环形道路，供消防和物流使用。变电站及动力设施位于期用地西北角......”。

3、“.....分期实施的原则建设。本次期工程用地亩，位于规划用地的东侧，总建筑面积平方米......”。

4、“.....分期实施的原则建设。本次期工程用地亩，位于规划用地的东侧，总建筑面积平方米。在期工程用地内设置个出入口，分别位于用地的东侧淮南北路和西侧规划道路上，东侧入口为人员入口，西侧入口为货物入口，与二期用地衔接。在厂房的四周设计的环形道路，供消防和物流使用。变电站及动力设施位于期用地西北角，与市政供电线路和厂区负荷中心较近三个单晶厂房位于用地东北角，与洗料厂房相临，有利于物料传输切片厂房及仓库位于用地西南角，使用物料运输综合楼等相关生活设施位于用地西南角，与生产设施相对隔离废水处理区位于期用地西北侧的二期用地内......”。

5、“.....便于废水就近排放和综合治理。土建建筑洗晶车间栋洗晶车间为单层钢筋混凝土框东侧，总建筑面积平方米。在期工程用地内设置个出入口，分别位于用地的东侧淮南北路和西侧规划道路上，东侧入口为人员入口，西侧入口为货物入口，与二期用地衔接。在厂房的四周设计的环形道路，供消防和物流使用。变电站及动力设施位于期用地西北角，与市政供电线路和厂区负荷中心较近三个单晶厂房位于用地东北角，与洗料厂房相临，有利于物料传输切片厂房及仓库位于用地西南角，使用物料运输综合楼等相关生活设施位于用地西南角，与生产设施相对隔离废水处理区位于期用地西北侧的二期用地内，离主要废水排放点洗料厂房和切片厂房较近......”。

6、“.....土建建筑洗晶车间栋洗晶车间为单层钢筋混凝土框架结构建筑，层高米。长，宽。单晶厂房栋单晶厂房均为二层钢筋砼框架结构，钢筋混凝土屋顶，层层高米，二层米建筑火灾危险类别为丁类层主要为单晶炉下半部分以及变压器泵等，建筑面积为主生产区层为单晶炉炉体放置区，二楼为单晶炉上半部分操作区。除生产区外，还布置有生产管理更衣，以及生产配套的空调机房车间变配电等。另外，车间还考虑有般物品库，包括暂存间物料入口等，以利于物料的传输暂存。切片厂房及仓库栋切片厂房及仓库为单层钢结构厂房，层高米建筑火灾危险类别为戊类，建筑面积为主生产区放置开方切片清洗等生产设备。除生产区外，还布置有生产管理更衣......”。

7、“.....另外，车间还考虑有般物品库，包括暂存间物料入口等，以利于物料的传输暂存。动力厂房动力厂房为单层钢筋砼框架结构，钢筋混凝土屋顶，层高米建筑火灾危险类别为戊类主要包括变电站冷冻机空压机等纯水站控制室和值班室等，建筑面积为。资申请银行贷款万元，银行贷款利率按计算。根据方法与参数从建设起点算起借款当年按半年计息，建设期利息共计万元。流动资金估算流动资金详细法计算，根据本项目情况及规模，铺底流动资金按达产年平均流动资金的计，为万元。总投资估算结果本项目总投资为万元，详见总投资估算表......”。

8、“.....其中公司现金出资万元含流动资金出资部分，公司现金出资万元，承建公司贷款万元，贷款利率为，其余资金由公司自筹。流动资金筹措本项目流动资金万元其中铺底流动资金万元，流动资金贷款，贷款利率为，其余由公司自筹。产品及技术方案本项目主要考虑高性能的单晶硅生产工艺，最终产品为单晶硅。单晶硅用于制造太阳电池片生产用的硅片。技术来源本项目生产技术为公司自有技术......”。

9、“.....清洗用氢氟酸硝酸或中性清洗液等除去原料表面的杂质。配料根据拉单晶的电阻率要求，按重量比例配置原料。装炉将配好的原料装入炉内抽真空和充氩气。拉晶加温将原料溶化，按控制程序拉制单晶。单晶生长当硅熔体的温度稳定之后，将籽晶慢慢浸入硅熔体中，然后将籽晶快速向上提升，使长成的籽晶的直径缩小到定的大小，产生零位错的晶体，这样，长完细颈之后，降低温度与拉速，使得晶体的直径渐渐增长到所要大小。长完细颈和肩部之后，借着拉速与温度的不断调整，可使晶棒直径误差维持在正负之间，这段直径固定的部分称为等径部分，单晶硅片取自于等径部分。等径结束后......”。