1、“.....再利用单晶晶种接触到熔汤表面，在晶种与熔汤的固液界面上因温度差而形成过冷。于是熔汤开始在晶种表面凝固并生长和晶种相同晶体结构的单晶。晶种同时以极缓慢的速度往上拉升，并伴随以定的转速旋转，随着晶种的向上拉升，熔汤逐渐凝固于晶种的液固界面上，进而形成轴对称的单晶晶锭。如图所示为单晶提拉法原理。图泡生法原理示意图图表单晶提拉法原理示意图图表泡生法原理冷心放肩微量提拉法，简称。是在对泡生法和提拉法改进的基础上发展而来用于生长大尺寸蓝宝石晶体的方法，晶体生长系统主要包括控制系统真空系统加热体冷却系统和热蔽装置等，下图是晶体生长系统简图。该方法生长的单晶，外型通常为梨形，晶体直径可以生长到比坩埚内径小的尺寸。籽晶被加工成长方形，利用籽晶夹固定在热交换器底部。热交换器可以完成籽晶的固定晶体的转动和提拉，以及热交换器晶体和熔体之间热量的交换作用。加热体冷却系统和热屏蔽装置协同作用，为晶体生长提供个均匀稳定可控的温场。根据晶体生长所处的引晶放肩等径和退火及冷却阶段的特点，通过调节热交换器中工作流体的温度流量......”。

2、“.....冷心放肩微量提拉法生长蓝宝石晶体时，通常可将整个晶体生长过程分为四个控制阶段，即引晶放肩等径退火及冷却阶段。引晶与放肩阶段主要是利用调节热交换器散热能力，适当配合定的降低加热温度加热系统所能提供的坩埚外壁温度的方式来实现对晶体的缩颈和放肩控制。此时晶体生长界面凸出水冷棒加热器籽晶热分散盖坩埚晶体固液交界面熔融体支撑体隔热层图表冷心放肩微量提拉法晶体生长系统率及温度梯度较大，其有利于采用较大的放肩角，减小放肩距离，防止界面翻转，同时能够将籽晶内的位错等原有缺陷快速从晶体中扩散到晶体表面，有效降低晶体内的缺陷含量。较大的界面温度梯度还能够提高晶体生长驱动力，增加界面稳定性。待晶体直径长到所需尺寸冷心放肩微量提拉法晶体直径可以长到距坩埚内壁后，晶体开始等径生长，进入等径阶段。随着晶体尺寸的长大，热交换器的散热对晶体生长效率迅速减小，故晶体进入等径生长阶段后，主要是通过降低加热温度加热系统所能提供的坩埚外壁温度来实现晶体生长。该方法主要特点通过冷心放肩，保证了大尺寸晶体生长，整个结晶过程晶向遗传特性良好，材料品质优良。通过高精度的能量控制配合微量提拉......”。

3、“.....缺陷萌生的几率较其他方法明显降低。由于只是微量提拉，减少了温场扰动。使温场更均匀，从而保证单晶生长的成功率。在整个晶体生长过程中，晶体不被提出坩埚，仍处于热区。可以精确控制它的冷却速度，减少热应力。适合生长大尺寸晶体，材料综合利用率是泡生法的倍以上。选用水作为热交换器内的工作流体，晶体可以实现原位退火，较其他方法试验周期短成本低。泡生法是利用温度控制来生长晶体，它与单晶提拉法最大的差异是只拉出晶颈，晶身部分是靠着温度变化来生长，并在拉晶颈的同时，调整加热电压，使熔融的原料达到最合适的长晶温度范围，让生长速度达到最理想化，因而长出质量最理想的蓝宝石单晶。而冷心放肩微量提拉法目前只有哈尔滨工大奥瑞德光电技术有限公司使用，拥有自己的发明专利大尺寸蓝宝石单晶的冷心放肩微量提拉制备法，专利号，目前正在实施产业化，产品质量不如国外主要公司，该方法还需进步考察产业化的效果......”。

4、“.....泡生法更有优势，采用泡生法可以生长大尺寸蓝宝石晶体。从工艺角度讲，泡生法在晶体生长过程中，除了晶颈需拉升外，其余只需控制温度的变化，就可使晶体成型，少了拉升及旋转的干扰，比较好控制，因而可得到较佳的质量。国外许多生长蓝宝石的厂商，也是采用此方法以生长蓝宝石单晶。本项目中蓝宝石生长方法拟采用泡生法。蓝宝石衬底外延片厂家使用的蓝宝石衬底分为三种蓝宝石衬底蓝宝石基板是普遍使用的蓝宝石基板，大多数外延片厂家使用该面供生长。主要是因为蓝宝石晶体沿轴生长的工艺成熟成本相对较低物化性能稳定在面进行磊晶的技术成熟稳定。年日本的赤崎勇教授与当时在日亚化学的中村修二博士等人，突破了与蓝宝石基板晶格不匹配缓冲层型材料活化等等问题后，终于在年底日亚化学得以首先开发出蓝光。以后的几年里日亚化学以蓝宝石为基板，使用材料，通过技术并不断加以改进蓝宝石基板与磊晶技术，提高蓝光的发光效率，同时年开发出紫外，年蓝紫色样品开始出货，年开始提供白光。从而奠定了日亚化学在领域的先头地位。台湾紧紧跟随日本的技术，台湾的发展先是从日本购买外延片加工，进而买来机台和蓝宝石基板来进行磊晶......”。

5、“.....通过自主研发，取得专利授权等方式形成蓝宝石晶体基板外延片生产加工等等自主的生产技术能力，步步奠定了台湾在上游业务中的重要地位。目前大部分的蓝光绿光白光产品都是以日本台湾为代表的使用蓝宝石基板进行磊晶生产的产品。使得蓝宝石基板的使用得以普及，以美国公司为代表的以为基板的产品则跟随其后。或蓝宝石基板主要用来生长非极性半极性面外延薄膜，以提高发光效率。通常在蓝宝石基板上制备的外延膜是沿轴生长的，而轴是的极性轴，导致基器件有源层量子阱中出现很强的内建电场，发光效率会因此降低，发展非极性面外延，克服这物理现象，使发光效率提高。通常，面蓝宝石衬底上生长的薄膜是沿着其极性轴即轴方向生长的，薄膜具有自发极化和压电极化效应，导致薄膜内部有源层量子阱产生强大的内建电场,史坦克效应大大地降低了薄膜的发光效率。在些非面蓝宝石衬底如面或面和其他些特殊衬底如铝酸锂，上生长的薄膜是非极性和半极性的，可以改善上述由极化场引起的在发光器件中产生的负面效应。传统第三到第五族氮化物半导体均成长在蓝宝石基板上，若把这类化合物成长于或上，可使产生的内建电场平行于磊晶层......”。

6、“.....也会使还原率降低。是高挥发性和有毒的物质，氨的逃逸会造成新的环境污染。从系统逃逸的氨可能来自两种情况，是由于喷入点烟气温度低影响了氨与的反应另种可能是喷入的还原剂过量或还原剂分布不均匀。还原剂喷入系统必须能将还原剂喷入到炉内最有效的部位，因为的分布在炉膛对流断面上是经常变化的，如果喷入控制点太少或喷到炉内个断面上的氨不均匀，则会出现分布较高的氨逃逸量。在较大的燃煤锅炉中，还原剂的均匀分布则更困难，因为较长的喷入距离需要覆盖相当大的炉内截面。为保证脱硝反应能充分地进行，以最少的喷入量达到最好的还原效果，必须设法使喷入的与烟气良好地混合。若喷入的不充分反应，则逃逸的不仅会使烟气中的飞灰容易沉积在锅炉尾部的受热面上，而且烟气中遇到会产生易造成空气预热器堵塞，并有腐蚀的危险。技术的工业应用是在世纪年代中期日本的些燃油燃气电厂开始的，欧盟国家从年代末些燃煤电厂也开始技术的工业应用，美国也于年代初开始了技术在燃煤电厂的工业应用。联合烟气脱硝技术联合是工艺的还原剂喷入炉膛技术同工艺利用逃逸氨进行催化反应结合起来，进步脱除......”。

7、“.....试验表明该技术的可行性。理论上，工艺在脱除部分的同时也为后面的催化法脱硝提供所需要的氨。体系可向催化剂提供充足的氨，但是控制好氨的分布以适应的分布的改变却是非常困难的。为了克服这难点，混合工艺需要在反应器中安装个辅助氨喷射系统。准确地试验和调节辅助氨喷射可以改善氨在反应器中的分布。烟气脱硝技术比选烟气脱硝技术的综合比较见下表。烟气脱硝技术综合比较第页项目技术技术联合技术反应剂以为主可使用或尿素可使用或尿素反应温度前段，后段催化剂成份主要为,不使用催化剂后段加装少量催化剂成份主要为,脱硝效率可达以上反应剂喷射位置多选择于省煤器与反应器间烟道内通常在炉膛内喷射，但需与锅炉厂家配合锅炉负荷不同喷射位置也不同，通常位于次过热器或二次过热器后端氧化会导致氧化不导致氧化氧化较低逃逸对空气预热器影响与易形成造成堵塞或腐蚀不导致的氧化，造成堵塞或腐蚀的机会为三者最低氧化率较低，造成堵塞或腐蚀的机会较低系统压力损失催化剂会造成压力损失没有压力损失催化剂用量较小，产生的压力损失相对较低燃料的影响高灰分会磨耗催化剂......”。

8、“.....上述的脱硝方式的化学反应机理都是致的，都是还原剂和烟气中的氮氧化物反应后，生成了无害的氮气和水。所不同的是，不使用催化剂，化学反应的温度段只能够在之间，有了催化剂，化学反应更加彻底，相应的反应温度区间也调整到了之间，处理的烟气段的位置也发生了变化。所以从综合比较来看，相形于技术，技术顾名思义就是使用了催化剂后反应温度区间更低脱硝效率更高反应剂的喷射位置由炉膛内喷射调整到了后段的省煤子成熔汤，再利用单晶晶种接触到熔汤表面，在晶种与熔汤的固液界面上因温度差而形成过冷。于是熔汤开始在晶种表面凝固并生长和晶种相同晶体结构的单晶。晶种同时以极缓慢的速度往上拉升，并伴随以定的转速旋转，随着晶种的向上拉升，熔汤逐渐凝固于晶种的液固界面上，进而形成轴对称的单晶晶锭。如图所示为单晶提拉法原理。图泡生法原理示意图图表单晶提拉法原理示意图图表泡生法原理冷心放肩微量提拉法，简称。是在对泡生法和提拉法改进的基础上发展而来用于生长大尺寸蓝宝石晶体的方法......”。

9、“.....下图是晶体生长系统简图。该方法生长的单晶，外型通常为梨形，晶体直径可以生长到比坩埚内径小的尺寸。籽晶被加工成长方形，利用籽晶夹固定在热交换器底部。热交换器可以完成籽晶的固定晶体的转动和提拉，以及热交换器晶体和熔体之间热量的交换作用。加热体冷却系统和热屏蔽装置协同作用，为晶体生长提供个均匀稳定可控的温场。根据晶体生长所处的引晶放肩等径和退火及冷却阶段的特点，通过调节热交换器中工作流体的温度流量，加热温度加热体所能提供的坩埚外壁环境温度可以精确控制晶体和熔体内温度梯度热量传输完成晶体生长。冷心放肩微量提拉法生长蓝宝石晶体时，通常可将整个晶体生长过程分为四个控制阶段，即引晶放肩等径退火及冷却阶段。引晶与放肩阶段主要是利用调节热交换器散热能力，适当配合定的降低加热温度加热系统所能提供的坩埚外壁温度的方式来实现对晶体的缩颈和放肩控制。此时晶体生长界面凸出水冷棒加热器籽晶热分散盖坩埚晶体固液交界面熔融体支撑体隔热层图表冷心放肩微量提拉法晶体生长系统率及温度梯度较大，其有利于采用较大的放肩角，减小放肩距离，防止界面翻转，同时能够将籽晶内的位错等原有缺陷快速从晶体中扩散到晶体表面......”。