1、“.....梁瑞林。半导体器件新工艺。北京科学出版社，。，具有荷质比为的其它离子的偏转量为将前面的的表达式江苏信息职业技术学院毕业设计论文代入，得讨论为屏蔽荷质比为的离子，光阑半径必须满足若固定，则具有下列荷质比的离子可被屏蔽或而满足下列荷质比的离子均可通过光阑以上各式可用于评价分析磁体的分辨本领参考文献。磁质量分析器图磁质量分析器离子注入工艺及设备研究为向心力，使离子作圆周运动，半径为从上式可知，满足荷质比的离子可通过光阑。或者对于给定的具有荷质比为的离子，可通过调节磁场使之满足下式，从而使该种离子通过光阑，其余的离子则不能通过光阑，由此达到分选离子的目的。另外，若固定和，通过连续改变，可使具有不同荷质比的离子依次通过光阑，测量这些不同荷质比的离子束流的强度，可得到入射离子束的质谱分布。加速聚焦器为了保证注入的离子能够进入，并且具有定的射程，离子的能量必须满足定的要求......”。

2、“.....离子还需要进行电场加速。完成加速任务的是由系列被介质隔离的加速电极组成管状加速器。离子束进入加速器后，经过这些电极的连续加速，能量增大很多。与加速器连接的还有聚焦器，聚焦器就是电磁透镜，它的任务是将离子束聚集起来，使得在传输离子时能有较高的效益，聚焦好的离子束才能确保注入剂量的均匀性。扫描系统离子束是条直径约的线状高速离子流，必须通过扫描覆盖整个注入区。扫描方式有固定，移动离子束固定离子束，移动。离子注入机的扫描系统有电子扫描机械扫描混合扫描以及平行扫描系统，目前最常用的是静电扫描系统。静电扫描系统由两组平行的静电偏转板组成，组完成横向偏转，另组完成纵向偏转。在平行电极板上施加电场，正离子就会向电压较低的电极板侧偏转，改变电压大小就可以改变离子束的偏转角度。静电扫描系统使离子流每秒钟江苏信息职业技术学院毕业设计论文横向移动多次，纵向移动移动次。静电扫描过程中，固定不动，大大降低了污染几率，而且由于带负电的电子和中性离子不会发生同样的偏转，这样就可以避免被掺入到当中。终端系统终端系统就是接受离子注入的地方......”。

3、“.....离子轰击导致温度升高，冷却系统要对其进行降温，防止出现由于高温而引起的问题，有气体冷却和橡胶冷却两种技术。冷却系统集成在载具上，载具有多片型和单片型两种。离子注入的是带正电荷的离子，注入时部分正电荷会聚集在表面，对注入离子产生排斥作用，使入对颗粒污染非常敏感，表面的颗粒会阻碍离子束的注入，大电流的注入会产生更多颗粒，过后的清洗虽然可以除掉颗粒但留下的看不见的遮挡是个不易发现的致命的缺陷。所以我们要尽可能地避免这种情况的发生。多数颗粒都是由于不正确的操作圆片不正确的抽真空步骤夹紧步骤充气时使用未过滤的气体以及强束流机的转盘造成的，因此在工艺加工过程中要规范谨慎参考文献。离子注入工艺及设备研究第六章离子注入质量检测颗粒污染测量检测表面的颗粒数，颗粒会造成掺杂的空洞。颗粒的可能来源有电极放电机械移动过程中的外包装注入机未清洁干净温度过高造成光刻胶脱落背面的冷却橡胶处理过程产生的颗粒。剂量控制掺杂剂量不合适导致方块电阻偏高或偏低。掺杂剂量不合适的原因有工艺流程离子束电流检测不够精确离子束中混入电子，造成计数器计算离子数量的，导致掺杂剂量过大退火问题......”。

4、“.....高温会造成杂质再分布，增加结深以及横向掺杂效应沟道效应影响离子的分布。江苏信息职业技术学院毕业设计论文第七章总结离子注入技术是近几十年以来在国际上得到蓬勃发展和广泛应用的种材料表面改性的高新技术。随着工艺技术的不断发展,离子注入机的不断更新,该技术将在半导体工艺中发挥越来越重要的作用。离子注入法掺杂相比扩散法掺杂来说，它的加工温度低容易制作浅结均匀的大面积注入杂质易于自动化等优点。目前，离子注入法已成为超大规模集成电路制造中不可缺少的掺杂工艺。离子注入是作为种半导体材料的掺杂技术发展起来的，它所取得的成功是其优越性的最好例证。低温掺杂精确的剂量控制掩蔽容易均匀性好这些优点，使得经离子注入掺杂所制成的几十种半导体器件和集成电路具有速度快功耗低稳定性好成品率高等特点。对于大规模超大规模集成电路来说，离子注入更是种理想的掺杂工艺。如前所述，离子注入层是极薄的，同时，离子束的直进性保证注入的离子几乎是垂直地向内掺杂，横向扩散极其微小，这样就有可能使电路的线条更加纤细，线条间距进步缩短，从而大大提高集成度。此外,离子注入技术的高精度和高均匀性......”。

5、“.....随着工艺上和理论上的日益完善，离子注入已经成为半导体器件和集成电路生产的关键工艺之。在制造半导体器件和集成电路的生产线上，已经广泛地配备了离子注入机。离子注入工艺及设备研究致谢本论文是在我的导师刘锡锋老师的亲切关怀和悉心指导下完成的。他严肃的科学态度，严谨的治学精神，精益求精的工作作风，深深地感染和激励着我。刘老师不仅在学业上给我以精心指导，同时还在思想生活上给我以无微不至的关怀，在此谨向刘老师致以诚挚的谢意和崇高的敬意。我还要感谢在起愉快的度过毕业论文小组的同学们，正是由于你们的帮助和支持，我才能克服个个的困难和疑惑，直至本文的顺利完成。在论文即将完成之际，我的心情无法平静，从开始进入课题到论文的顺利完成，有多少可敬的师长同学朋友给了我无言的帮助，在这里请接受我诚挚的谢意,最后我还要感谢培养我长大含辛茹苦的父母，谢谢你们,最后，再次对关心帮助我的老师和同学表示衷心地感谢,江苏信息职业技术学院毕业设计论文参考文献张渊主编，半导体制造工艺。北京机械工业出版社，。半导体制造技术。韩子束的入射方向偏转离子束流半径增大，导致掺杂不均匀，难以控制电荷积累还会损害表面氧化层......”。

6、“.....甚防栓，水枪充实水柱为米消防栓口直径为毫米，衬胶水带长度为米，水枪喷嘴口径毫米，消防栓处均设置启动消防水泵的按纽室内消防管道成环，设两条进水管与室外环状管网相连接室外消防栓的布置应满足室外消防栓间距不超过米，消防栓距路边不超过米，距房屋外墙不超过米消防管道阀门均为常开，均采用有明显启动标志的蝶阀。消防水池增压设备消防泵及室内外消防管网与项目主体工程统设计建设。第十三章组织机构人力资源配置及项目实施管理组织机构设置项目组织机构由五部分组成生产活动部门，由直接静态投资涨价预备费建设期贷款利息万元流动资金万元总投资万元资金筹措项目总投资万元，其中建设投资万元，流动资金万元。建设投资资金筹措方案为申请银行贷款万元，项目业主自筹资本金万元，申请上级补助万元。流动资金万元，申请银行贷款解决。第十七章成本测算直接材料直接材料主要有瓷泥陶土石英砂釉料水电煤气等......”。

7、“.....资源税率元吨......”。

8、“.....分配效果国家及地方收益比重即国家及地方收益比重占该项目总收益的。企业收益比重即企业收益比重占该项目总收益的。第二十章研究结论及建议由以上各章节情况分析可知，该项目市场预测前景较好，产品有市场，工艺设备先进合理，注重环境保护，投资结构合理，资金来源有保障，财务收益较好，具有较强的偿债能力和抗风险能力，项目是可行的。从事各项技术生产活动的人员组成生产保障部门，由不直接从力降低。梁瑞林。半导体器件新工艺。北京科学出版社，。，具有荷质比为的其它离子的偏转量为将前面的的表达式江苏信息职业技术学院毕业设计论文代入，得讨论为屏蔽荷质比为的离子，光阑半径必须满足若固定......”。

9、“.....磁质量分析器图磁质量分析器离子注入工艺及设备研究为向心力，使离子作圆周运动，半径为从上式可知，满足荷质比的离子可通过光阑。或者对于给定的具有荷质比为的离子，可通过调节磁场使之满足下式，从而使该种离子通过光阑，其余的离子则不能通过光阑，由此达到分选离子的目的。另外，若固定和，通过连续改变，可使具有不同荷质比的离子依次通过光阑，测量这些不同荷质比的离子束流的强度，可得到入射离子束的质谱分布。加速聚焦器为了保证注入的离子能够进入，并且具有定的射程，离子的能量必须满足定的要求，所以，离子还需要进行电场加速。完成加速任务的是由系列被介质隔离的加速电极组成管状加速器。离子束进入加速器后，经过这些电极的连续加速，能量增大很多。与加速器连接的还有聚焦器，聚焦器就是电磁透镜，它的任务是将离子束聚集起来，使得在传输离子时能有较高的效益，聚焦好的离子束才能确保注入剂量的均匀性。扫描系统离子束是条直径约的线状高速离子流，必须通过扫描覆盖整个注入区。扫描方式有固定，移动离子束固定离子束，移动。离子注入机的扫描系统有电子扫描机械扫描混合扫描以及平行扫描系统，目前最常用的是静电扫描系统......”。