1、“.....假如结的位置比较浅，光子可以到达结区，在结的两侧和附近分别产生电子空穴对非平衡载流子。电子空穴对如果距离结比较近，有可能在复合以前通过扩散运动到达结的强电场区域，在内为存在数量较多的界面态。电流输运机制既可以存在同质结那样的扩散电流，也可能存在像肖特基势垒中的热发射电流，还可以产生和界面态相联系的产生复合电流和隧穿电流。图异质结平衡时的能带图电流电压图异质结不同温度的曲线第章掺杂纳米碳化硅的光学和电学特性为了了解异质结的电流输运机制，我们测量了低温下的特性，图给了半对数坐标下的电流电压在低温下的关系曲线，从图中可见，异质结二极管在低温下也表现出了比较明显的整流特性，漏电流表现出比较明显的温度依赖关系。并且正向的漏电流在不同的偏压区显示出不同的斜率，这显示了不同偏压下具有不同的电流传输机制。较低的正偏压下显示有较大的斜率，而较高的正偏压下此斜率减小。结合前面室温二极管特性的讨论和拟合得到的低偏压下的理想因子为。我们可以这样理解，较低的正偏压下的漏电流，主要是界面缺陷的复合电流，此时的电流传导机制主要是越过势垒的电子和空穴到达了界面，同时到达界面的缺陷态电子和空穴发生了复合......”。

2、“.....并且主要在小偏压下起主导作用。较高的偏压下我们发现的斜率随温度变化有比较明显的依赖关系，随着温度的变化此斜率减小，结合扩散和发射电流的特征，我们发现此时的电流特征非常符合此模型，此时扩散和发射电流分别在不同的偏压下起主导作用，当区的导带底低于区的尖峰时扩散电流起主导作用，随着外加偏压的增大，区的导带底低于区的尖峰定值时发射电流将起主导作用。同时我们还发现，在较高的偏压区对于相同的偏压下的漏电流随温度的增加而增大，表明异质结二极管上的电压降随温度的增加而减小，可见此时异质结二极管的内建电场随温度的增加而减小。而较小的正偏压下发现这种规律发生了相反的变化。同样的电流下，较高的温度下对应二极管上对应较高电压降，这种现象被称为，形成反型点的电压降为，这种反型现象在硅和碳化硅的同质结二极管中都曾经被观察到,并且电子空穴的散射模型来解释这种现象。这种模型提出对于定的电流，通过异质结的结构的所有电压降可以用下面的公式来表示其中和分别为玻耳兹曼常数和绝对温度，为正比于异质结的饱和电流的常数。式中的第项表示异质结上的电压降......”。

3、“.....在定的温度范围内表现出了这种反型效应，主要是因为此温度范围内掺杂剂处于完全离子化状态。因此，此时声子和杂质的散射起主导作用，并河北大学工学硕士学位论文且其电阻随温度的增加而增大，因此会导致异质结上的电压降增大，所以会产生反型现象。但是这种效应往往会在更高的温度依赖电压电流图室温下异质结曲线与低温下的对比反向电流温度图不同偏压下反向电流的温度依赖关系第章掺杂纳米碳化硅的光学和电学特性关系，图给出了不同偏压下反向电流的温度依赖关系。可见在半对数坐标下，不同偏压下均表现为和温度的指数依赖关系。其中的和均为常数。因此表明此时的传导机制主要是通过界面的缺陷态的多步隧穿过程。此时主要是中的电子通过界面的缺陷的多步隧穿然后和型硅中的空穴复合的复合电流起主导作用。本章小结我们通过改变掺杂剂气体和源气体的比例得到了不同的掺杂和结构的纳米碳化硅薄膜。通过分析红外和吸收谱，我们认为主要的掺杂机理是替位掺杂，即原子对和的替换作用，较低的掺杂情况下主要是替换其中的，而随着掺杂比例提高会替换其中的原子......”。

4、“.....界面势垒的高度和宽度降低，表现为薄膜的光致发光强度随掺杂比例增加而提高个数量级。掺杂的纳米薄膜的电导率在掺杂比例为时，得到最大值接近，纳米碳化硅的电导率随温度变化关系表明，纳米碳化硅主要存在两种导电机制较高温度下电子可以激发到导带，所以主要是扩展态电导较低温度下则主要是费米能级附近，缺陷局域态间的近程跳跃电导。通过对电导率的拟合我们得到了不同导电率的薄膜存在不同的激活能，较高的电导率的薄膜对应具有较小的激活能。对不同电导率的纳米碳化硅薄膜和硅形成的异质结就有不同的整流特性，较高电导率的纳米碳化硅薄膜和硅衬底形成了较高的接触电势差，具有较好的整流特性，最大整流比为。通过对整流曲线的拟合得到的二极管的理想因子为，同时也表明对于形成的异质结小的正偏压下的传输电流主要是通过界面态的复合电流。低温下的特性分析表明，较大正偏压下则主要是扩散和发射电流起作用，不同温度的特性分析也表明，较低温度下串连阻抗对正向电流有较大的影响，而较高温度下这影响减弱。对异质结的反向的电流的温度依赖关系的分析表明反向传输电流主要是通过界面缺陷的多步隧穿过程......”。

5、“.....是非常理想的异质结窗口材料。尤其是在太阳能电池和光探测器件中，利用同质结制作的太阳能电池和光探测器，入射光大部分在表面层被吸收，由于表面缺陷引起的表面复合以及高掺杂层中寿命低等因素，使得些电子空穴对不能扩散到强电场区域，从而降低了太阳能光能转化为电能的效率和光探测器的灵敏度。如果利用异质结的窗口效应，入射光子可以穿过表面层在底层被吸收，从而可以减小表面复合等影响，所以利用可以用作为非常理想的太阳能电池的窗口材料来提高太阳能电池的效率。上章我们研究了异质结的单向导电性和电流输运机制，这些都主要反映了异质结中平衡载流子的行为，然而结许多重要的性能都和其中的非平衡载流子的产生扩散和复合有关系。当光垂直照射到结表面的温度消失，因为较高的温度下本征激发的载流子浓度明显增加，可以和其中的受主浓度相比，此时本征激发的载流子起主导作用，电阻率随温度的增加会降低。图给出了较高温度下的曲线和低温下对比，我们确实发现反型现象没有发生。当结处于反向偏压时，在区区分别处于形成耗尽的状态，此时上的电压降很大，但是导通电流却很小......”。

6、“.....编写的驱动程序，使其能产生方波三角波正弦波等多种波形。在以上程序基础上，对应编写其驱动程序，使产生的波的频率和波形等信息显示在液晶屏上。将程序中加入按键部分，有个按键进行复位，个按键能够进行波形的切换，再有个按键能够改变产生波的频率。三研究步骤方法及措施了解的国内外形势，以及相关资料，对本课题有初步的了解。燕山大学本科生毕业设计论文通过上网和图书馆借阅些相关专业的书籍，熟悉的开发流程。将光盘中给出的程序下载到板上实现，并熟悉芯片的功能。通过已有的视频软件及配套的例程，进步清楚开发板的开发流程，及各模块之间的联系。学习语言，并能编写简单的程序。通过已有的课本学习语言的知识，并且能够写些小程序并实现功能仿真。利用语言编写波形发生程序，实现波形发生器的基本功能学习相关知识，显示产生波的频率。完成本课题的基本要求，下载到开发板进行调试，完成其功能。思考其可实现的拓展功能，并着手准备，完成拓展功能的实现，下载调试完成其功能。四研究工作进度第阶段周收集资料，熟悉课题内容，查找参考书，确定设计思路，并能编写简单的程序。第二阶段周深化学习编程语言，实现的控制，进行基本的显示......”。

7、“.....简单的产生单波形并将波形频率在上显示。第四阶段周完成本课题的基本要求，下载到开发板进行调试，完成其功能。第五阶段周撰写论文，准备答辩。附录附录燕山大学本科毕业设计论文文献综述课题名称基于的波形发生器设计学院系里仁学院电子工程系年级专业级通信工程班学生姓名张云龙指导教师闫盛楠完成日期燕山大学本科生毕业设计论文课题国内外现状随着技术的发展，使用硬件语言设计成为种趋势。目前最主要的硬件描述语言是和及。大多数工具几乎都支持，具有强大的系统硬件描述能力，独立于器件的设计与工艺无关，具有很强的移植能力，易于共享和复用。由于其功能强大，优点众多，在很多公司中有很广泛的应用。在现在的波形发生器中，采用传统的模拟振荡电路构成的波形发生器产生的信号频率精度低，不仅成本高，外围电路复杂，易受外界干扰，而且调试困难，不便于调控，实现的性能指标也不理想。对此采用具有良好性能的专用集成芯片就能达到要求。但采用该方法所需的外围电路模块多且较为复杂，不利于控制和问题的检查。而纯单片机的方法虽便于控制但又难以达到较高的要求。随着技术的发展，现在的信号发生器般都是采用合成技术的任意波形发生器......”。

8、“.....再通过产生模拟信华大学出版社，李洋技术实用教程北京机械工业出版社，刘廷飞，郭锁利，王晓戎基于电子系统设计及工程实践北京人民邮电出版社,,,黄正瑾系统编程技术及其应用南京东南大学出版社，致谢致谢在毕业设计过程中，我得到了很多人的热心帮助和支持，在此对他们表示衷心的感谢。首先要感谢我的导师闫盛楠，在毕业设计期间，闫老师给了我深刻的教诲和莫大的鼓励。从课题的理论研究到程序的编写，以及论文的撰写闫老师都耐心指导，给了我很大的帮助。闫老师平易近人和蔼可亲，他严谨的治学态度和实事求是的科研作风烈时，假如结的位置比较浅，光子可以到达结区，在结的两侧和附近分别产生电子空穴对非平衡载流子。电子空穴对如果距离结比较近，有可能在复合以前通过扩散运动到达结的强电场区域，在内为存在数量较多的界面态。电流输运机制既可以存在同质结那样的扩散电流，也可能存在像肖特基势垒中的热发射电流，还可以产生和界面态相联系的产生复合电流和隧穿电流。图异质结平衡时的能带图电流电压图异质结不同温度的曲线第章掺杂纳米碳化硅的光学和电学特性为了了解异质结的电流输运机制，我们测量了低温下的特性......”。

9、“.....从图中可见，异质结二极管在低温下也表现出了比较明显的整流特性，漏电流表现出比较明显的温度依赖关系。并且正向的漏电流在不同的偏压区显示出不同的斜率，这显示了不同偏压下具有不同的电流传输机制。较低的正偏压下显示有较大的斜率，而较高的正偏压下此斜率减小。结合前面室温二极管特性的讨论和拟合得到的低偏压下的理想因子为。我们可以这样理解，较低的正偏压下的漏电流，主要是界面缺陷的复合电流，此时的电流传导机制主要是越过势垒的电子和空穴到达了界面，同时到达界面的缺陷态电子和空穴发生了复合，这种电流和电压有指数的依赖关系，并且主要在小偏压下起主导作用。较高的偏压下我们发现的斜率随温度变化有比较明显的依赖关系，随着温度的变化此斜率减小，结合扩散和发射电流的特征，我们发现此时的电流特征非常符合此模型，此时扩散和发射电流分别在不同的偏压下起主导作用，当区的导带底低于区的尖峰时扩散电流起主导作用，随着外加偏压的增大，区的导带底低于区的尖峰定值时发射电流将起主导作用。同时我们还发现，在较高的偏压区对于相同的偏压下的漏电流随温度的增加而增大，表明异质结二极管上的电压降随温度的增加而减小......”。