1、“.....所以误差的自由度。为均方，其中。表方差分析来源总因素影响次序由此可知，金刚石粒径对材料的去除率影响最大，其次是金刚石含量，然后是值，分散剂和硅溶胶粒径对材料去除率的影响非常接近，氧化剂对材料去除率影响最小。确定金刚石粒径和含量是影响材料去除率的主要因素见表，下面通过计算找出金刚石粒径和含量的最优组合。表与的相互作用表其中的数据表示因素与因素在相同水平时对材料去除率的平均值，所以所得的数值应该是越大越好，表中最大的数是......”。

2、“.....与上面极差分析法所得结论是致的，故最优组合为单因素试验综合以上试验分析结果得出最优组合，由于正交试验的试验次数是有限的，没有覆盖各种因素的所有组合，所以在经过分析得出的最优组合时，也只是个估计组合，它是否是整个试验组合的最优组合，还有待进步验证，所以还要利用单因素试验验证结论或是寻找更优组合。根据试验得到的最优抛光液的成分含量分散剂，氧化剂，值为，硅溶胶粒径为，硅溶胶含量为，金刚石粒径为，金刚石含量为......”。

3、“.....其他因素保持不变，研究分散剂含量氧化剂含量抛光液值硅溶胶粒径硅溶胶含量金刚石粒径金刚石含量只加磨料抛光不加磨料抛光和材料去除率之间的关系。抛光参数抛光压力，下盘转速，载物盘转速，抛光液流量，抛光液流出位置抛光垫中心，摆动周期，抛光时间，抛光垫修整时间。每次试验配置抛光液，抛光液温度，环境温度......”。

4、“.....材料去除率随之降低。但不加分散剂时，材料去除率也低。为了更直观的表示出来，用图表示如下，由图可知，当分散剂含量增加时，去除率随之降低，其原因可能是因为分散剂丙三醇比较粘稠，附着在晶片表面，导致在抛光过程中阻碍晶片表面与抛光垫的接触，而使材料去除率降低。但降低的趋势比较平缓，说明分散剂对材料去除率影响不大......”。

5、“.....材料去除率几乎不变，在之后，随着氧化剂含量的增加，去除率随之增加，这是因为氧化剂含量增加，化学反应作用增强，材料去除率增大。用图表示如下分散剂抛光前质量抛光后质量去除率氧化剂抛光前质量抛光后质量去除率去除率氧化剂去除率图氧化剂含量对去除率的影响值与去除率的关系表值对去除率的试验结果由上表可以看出值与去除率的关系不是规律的，随着值的增大......”。

6、“.....但在时，去除率是最大的，在时，去除率是最小的。用图表示如下值抛光前质量抛光后质量去除率去除率值去除率图值对去除率的影响硅溶胶粒径与去除率的关系表硅溶胶粒径对去除率的试验结果由上表可以得出硅溶胶粒径与去除率的关系是随着粒径的增大，去除率增大，用图表示如下，由图可知，材料的去除量与磨料的粒径有关，磨料的粒度越大，材料去除量也越大。磨料粒径增大，磨料与晶片表面接触面间的机械作用环境温度。抛光液成分为分散剂，氧化剂，值为......”。

7、“.....硅溶胶含量为，金刚石粒径为，金刚石含量为时的抛光效果相对较好。致谢本论文是在导师苏教授和两位师哥师姐的悉心指导下完成的。导师严谨的治学态度，精益求精的工作态度，无论是现在还是将来都是我学习的典范。在师哥师姐的指导和帮助下，我顺利完成了本次试验，并从中学到很多以前不曾涉及的知识。在论文完成之际，特向导师以及师哥师姐表示衷心的感谢，并致以崇高的敬意。最后，感谢参与论文评审和答辩的各位老师，能在百忙之中对我的论文进行评阅和审议......”。

8、“.....,,王世忠等单晶的性质生长及应用无机材料学报,,，雷天民新型电力电子材料晶体薄膜材料的制备及性能分析西安西安理工大学，,，，，郝寅雷，赵文兴，翁志成新型反射镜碳化硅宇航材料工艺周松青，肖汉宁碳化硅陶瓷摩擦化学磨损机理及磨损图的研究硅酸盐学报狄卫国，杨明，刘玉岭超大规模集成电路制备中硅衬底抛光液研究石家庄铁道学院学报，年第期，第卷李娟，陈秀芳，马德营等，单晶片的超精密加工，功能材料，年，第期卷杜家熙，苏建修，万秀颖，宁欣......”。

9、“.....北京科技大学学报，收录肖强，李言，李淑娟单晶片加工技术的发展，技术新工艺热加工工艺技术与材料研究，年，第期肖强，李言，李淑娟单晶片超精密加工技术现状与趋势，宇航材料工艺，年，第期郭东明，康仁科，苏建修，金洙吉超大规模集成电路制造中硅片平坦化技术的未来发展机械工程学报收录胡伟，向北平，谢小柱，抛光半导体晶片中抛光液的研究金刚石与磨料磨具工程，年，总第期第期廉进卫，张大全，高立新......”。