1、以下这些语句存在若干问题，包括语法错误、标点使用不当、语句不通畅及信息不完整——“.....使切。经过加工，制作模式是有选择性化学蚀刻，光阻已被删除的地区。三维结构，以及各种线条图案，可以制作成功由过程。制作模式的尺寸取决于探头尖大小，厚度的抵制，抵制加工过程中的应用负载。例如，利用原子力显微镜在几十纳米尺度的加工能力，同时提供几十微米或更大的模式可以使用轴精密驱动器的个尖锐的触笔结合的工具类型捏造。虽然几十微米和数百个纳米的沟槽图案宽度可以达到使用过程，在毫米范围内的模式不能制造足够的可靠性。应用于硅工件制作的微米大小的图案当过程，小丘往往形成，而不是沟槽。遇到这种现象时，光阻层是薄和正常负载是比较高的，因为刀尖可以很容易地穿透抵抗层之间的锐利尖端和硅衬底，但不那么容易在溶液中，硅反之亦然。此外，的是耐和氢氧化钾腐蚀剂控制蚀刻条件下几分钟。图显示了利用作为次要抵制层的的修改过程制备硅格局。图所示硅工件表面涂上后，机械加工和化学蚀刻前与的和。可以看出，的表面加工线深度小于。因此，它是最有可能的尖端没有穿透的光阻层。然而，即使在尖端穿透抵抗层的情况下，尖端和硅衬底之间的机械相互作用弱，不会造成岗形成。图。和，很显然，氢氧化钾蚀刻后......”。

2、以下这些语句存在多处问题，具体涉及到语法误用、标点符号运用不当、句子表达不流畅以及信息表述不全面——“.....表显示了从两个不同的应用的正常负载获得的沟槽图案的宽度和深度。小丘的形成是可以预防的工具和硅衬底之间的直接接触，因为可以在机械加工过程中避免。也就是说，磨料互动仅限于二氧化矽的主抵抗为目的层内。当蚀刻被用来去除二氧化硅抵制层暴露在硅衬底，层担任作为抵制对蚀刻层和周边地区成功地保护了被腐蚀。此外，当溶液被用来格局的硅衬底，连同二氧化硅抵制保护其余地区领先的硅槽模式的成功制造。在加工应用中使用修改的进程为了证明修改过程的优点，号码不同的线宽毫米和毫米，是制造硅工件如图图案数字可以通过编程工具的路径。此外，通过控制施加的机械加工过程中的正常负荷，图案的宽度可以在所需的位置变化。应用的正常建,刘明灯五轴联动数控机床的结构和应用机械制造与自动化,丛凤廷等组合机床设计北京机械工业出版社刘潭玉，黄素华，熊逸珍画法几何及机械制图长沙湖南大学出版社戴曙金属切削机床北京机械工业出版社温松明主编互换性与测量技术基础长沙湖南大学出版社使用和二氧化硅涂料预防小丘形成二氧化硅和薄膜硅片的加工特性采用双涂层系统的可行性进行了研究，目的是消除不良的山丘。最外层的涂层被用来作为牺牲层膜......”。

3、以下这些语句在语言表达上出现了多方面的问题，包括语法错误、标点符号使用不规范、句子结构不够流畅，以及内容阐述不够详尽和全面——“.....选择性地去除微加工涂层，和化学蚀刻工艺去除层建立在硅衬底上的模式。这个过程中，可以成功地制备槽的宽度约的模式，在硅片上，没有形成不良的山丘。介绍已制定相关的微机电系统温度的各种技术，在硅基材料制作的微型模式和结构。然而，这些技术，需要大量的设备和成本高，在参与设立制造工厂。此外，它通常是必要的面具，使各种沟槽宽度约毫米的模式。图结论当正常的百万或更高负荷传统过程中用来制造硅工件的范围在毫米宽的沟模式，容易形成不良山丘。岗形成的机制是由于工具和硅衬底导致接触区域被转化为溶液，具有很高的耐硅相之间负载和由此产生的图案宽度之间的关系是建立在套独立的实验。这种关系是相当非线性是很难预测理论。然而，相当贯宽度可以得到下个给定的应用负载。宽度为毫米的正常负荷万被应用于如前。宽度为毫米的正常负荷万应用。在图像显示，交界处的数字和应用负载改变工具的方向增加至百万到制作较厚的线宽是相当完整。这表明的修改过程的能力，通过刀具路径编程和正常负荷控制的硅表面上制作实际出发，多动点手去做，把前人的只是经验变成自己的力量。摸着石头过河是我们初学者必须要的精神，只有自己动手了，的会改正，正确的继续发扬......”。

4、以下这些语句该文档存在较明显的语言表达瑕疵，包括语法错误、标点符号使用不规范，句子结构不够顺畅，以及信息传达不充分，需要综合性的修订与完善——“.....老师是我们做毕业设计的最好导航，无论在做设计数据筛选，加工工艺遇上的种种问题我们自己不能解决都需要老师的帮助。老师具备专业的知识和过硬的事迹操作经验，是我们在机械制造业中航行的指明灯，老师不会什么都亲手的帮我们做好，他主要的工作是指引我们，启发我们。授之以鱼不入授之以渔，以老师的话来说亲手帮你做好了次，下次遇到同样的问题，你们还是不会解决，那不是等于没有教，出去外面没有人帮你的忙岂不是不会做了，你们要学会独立思考，提高自己的学习能力。毕业设计毕竟是个较为漫长的过程，其中有苦有乐，每当我们灰心意志消沉时得到老师的鼓励，我们都会信心大增，每当做出的成绩能换来老师个微笑，我们都会感到心满意足，彼此的交流让我们师生的感情更融洽。人们说美好景色在顶峰，人克服困难换来成功的喜悦才是最幸福的事。毕业设计做完了，画上个完美的句号，也尝到成功的味道，但漫漫的人生路还需要继续努力。面对日趋激烈的就业形势，我们相信只要学好知识技术，以种刻苦勤劳的精神对待工作，我们定会活出不平凡的人生。致谢首先，我要特别感谢我的指导老师，他对我毕业设计给予了很多的指导，花费了很多的心血......”。

5、以下这些语句存在多种问题，包括语法错误、不规范的标点符号使用、句子结构不够清晰流畅，以及信息传达不够完整详尽——“.....在张老师的悉心教导下的这段时间里，他严谨的治学态度，渊博的知识，正直的人格，给我留下了极深的印象，为我今后的工作生活树立了良好的榜样。其次，我还要感谢我的同学，在毕业设计过程给予我很大的帮助，在我不懂的时候，他们总是耐心的给我讲解，同样使我受益匪浅。最后，我要感谢所有帮助过我的人，在这里真诚的说声谢谢参考文献濮良贵,纪名刚机械设计北京高等教育出版社，成大先机械设计手册版卷北京化学工业出版社雷天觉新编液压工程手册北京北京理工大学出版社孙桓，陈作模，葛文杰机械原理北京高等教育出版社第七版明仁雄液压传动与气压传动北京国防工业出版社杜玉湘,陆启每个光的过程，增加了全过程的成本和时间。虽然技术，具有批量生产强的优点，它是不适合微型模具和微型系统原型制造所需要的柔性加工。为了实现无成本效益和灵活的加工，使用口罩，许多技术已经开发出来。在化工机械扫描探针光刻的过程以前开发的，薄薄的光阻层选择性去除探针尖端的原子力显微镜的化学蚀刻硅或金属表面上制作微沟槽模式。作为抵抗层，已利用的材料，如二氧化硅和自组装膜为抵御化学腐蚀的能力。光阻去除尖端的切削作用下不断施加负荷......”。

6、以下这些语句存在多方面的问题亟需改进，具体而言：标点符号运用不当，句子结构条理性不足导致流畅度欠佳，存在语法误用情况，且在内容表述上缺乏完整性。——“.....系统自动实施自减至运行个周期为止。假如在运行中需要停止，可按下暂停按键实现停止。待需要再次继续运行的时候可按下开始按键。复位按键主要是方便在操作过程中重新开始运行。本次毕业设计的重点是对程序的设计，尽管本次的设计任务适量，但还是遇到了很多的问题。刚选定毕业设计题目的时候，自己对整个毕业设计有模糊的思路，盲目的查了不少资料，可以说是找到了很多没有多大帮助的资料。在导师的指导和自己的努力下，短短的个月多时间里我完成了基于单片机控制的倒计时系统。通过对元器件的选择电路原理图的设计板图的设计程序的设计，知道了自己知识的欠缺，也同时让我学会了反向思维的方法，应该先做哪步，后做哪步，应该如何查找自己所需的资料。并且最终实现了毕业设计的功能。但是由于自己的知识水平还很有限，设计中难免会出现和不足之处，欢迎老师及同学们帮我指出，自己定会认真改正。致谢感谢申红军老师的指导和同学们的帮助我们组完成了这次电子电路制作实训，在此过程中，首先感谢申红军老师在知识给予我们的引导与支持，从开始的入门到最后的基本融会贯通都离不开申红军老师的点滴指导，最后到设计中遇到的难点凝点得到了申红军老师......”。

7、以下这些语句存在标点错误、句法不清、语法失误和内容缺失等问题，需改进——“.....最后向申红军老师说声感谢，感谢您的无私指导,同时向我们小组同学说声谢单片机等。这种应用的最大特点是针对性强而且数量巨大，为此厂家常与芯片制造商合作，设计和生产专用的单片机芯片。由于专用单片机芯片是针对种产品或种控制应用而专门设计的，设计时已经对系统结构的最简化，软硬件资源利用的最优化。单片机与单片机系统单片机通常是指芯片本身，它是有芯片制造商生产的，在它上面集成的是些做为基本组成部分的运算器电路，控制器电路，存储器，中断系统，定时器计数器以及输入输出口电路等。但个单片机芯片并不能把计算机的全部电路都集成到其中，例如组成谐振电路和复位电路的石英晶体，电阻，电容等，这些元件在单片机系统中只能以散件的形式出现。从中可以看到单片机和单片机系统的差别，即单片机只是块芯片，而单片机系统则是在单片机芯片的基础上扩展其它电路或芯片结构的具有定应用功能的计算机系统。通常所说的单片机系统都是为实现控制应用需要由用户设计的，是个围绕单片机芯片而建的计算机应用系统。在单片机系统中，单片机处于核心地位，是构成单片机系统的硬件和软件基础......”。

8、以下文段存在较多缺陷，具体而言：语法误用情况较多，标点符号使用不规范，影响文本断句理解；句子结构与表达缺乏流畅性，阅读体验受影响——“.....晶体管，集成电路到大超大规模集成电路共四个阶段，即通常所说的第代，第二代，第三代和第四代计算机。现在广泛使用的微型计算机是大规模集成电路技术发展的产物，因此它属于第四代计算机，而单片机则是微型计算机的个分支。从年微型计算机问世以来，由于实际应用的需要，微型计算机向着两个不同的方向发展个是向高速度，大容量，高性能的高档微机方向发展而另个则是向稳定可靠体积小和价格廉价的单片机方向发展。但是两者在原理和技术上是紧密联系的。单片机的发展继年微处理器的，使切。经过加工，制作模式是有选择性化学蚀刻，光阻已被删除的地区。三维结构，以及各种线条图案，可以制作成功由过程。制作模式的尺寸取决于探头尖大小，厚度的抵制，抵制加工过程中的应用负载。例如，利用原子力显微镜在几十纳米尺度的加工能力，同时提供几十微米或更大的模式可以使用轴精密驱动器的个尖锐的触笔结合的工具类型捏造。虽然几十微米和数百个纳米的沟槽图案宽度可以达到使用过程，在毫米范围内的模式不能制造足够的可靠性。应用于硅工件制作的微米大小的图案当过程，小丘往往形成，而不是沟槽。遇到这种现象时......”。

9、以下这些语句存在多方面瑕疵，具体表现在：语法结构错误频现，标点符号运用失当，句子表达欠流畅，以及信息阐述不够周全，影响了整体的可读性和准确性——“.....因为刀尖可以很容易地穿透抵抗层之间的锐利尖端和硅衬底，但不那么容易在溶液中，硅反之亦然。此外，的是耐和氢氧化钾腐蚀剂控制蚀刻条件下几分钟。图显示了利用作为次要抵制层的的修改过程制备硅格局。图所示硅工件表面涂上后，机械加工和化学蚀刻前与的和。可以看出，的表面加工线深度小于。因此，它是最有可能的尖端没有穿透的光阻层。然而，即使在尖端穿透抵抗层的情况下，尖端和硅衬底之间的机械相互作用弱，不会造成岗形成。图。和，很显然，氢氧化钾蚀刻后，在毫米范围内槽的宽度模式可以成功制作没有任何小丘形成。表显示了从两个不同的应用的正常负载获得的沟槽图案的宽度和深度。小丘的形成是可以预防的工具和硅衬底之间的直接接触，因为可以在机械加工过程中避免。也就是说，磨料互动仅限于二氧化矽的主抵抗为目的层内。当蚀刻被用来去除二氧化硅抵制层暴露在硅衬底，层担任作为抵制对蚀刻层和周边地区成功地保护了被腐蚀。此外，当溶液被用来格局的硅衬底，连同二氧化硅抵制保护其余地区领先的硅槽模式的成功制造。在加工应用中使用修改的进程为了证明修改过程的优点，号码不同的线宽毫米和毫米......”。