1、“.....对所制备薄膜的相结构表面形貌和电学性能进行了表征单晶基底上制备薄膜。溅射在型高真空多靶位磁控溅射镀膜机上进行，溅射用的靶材为靶和靶，质量分数均为，尺寸均为，质量良好且颗粒大小均匀的靶材也是获得优质薄膜的前提条件。溅射前，依次用无水乙醇和丙酮对型基底超声清洗，清洗干净并烘干后固定到基片台。溅射时的真空度薄膜微观组织和性能受氮分压的影响探究工业技术论文槽。文献在扩散阻挡层中引入原子，发现扩散阻挡层的失效温度在左右，具有较高的热稳定性。但是，目前国内对于薄膜的结构和性能研究较少。摘要采用反应磁控溅射技术，在单晶面基底上制备了个氮分压条件下扩散阻挡层薄膜......”。

2、“.....传统的扩散阻挡层体系已不能满足半导体器件的性能要求。由于具有良好的性能，已被认为是最有潜力的新代扩散阻挡层材料，。文献探究了多种贵金属用作扩散阻挡层的可能性，证实了可用作扩散阻挡层材料。文献研究发现薄膜体系在退火时，原子会发生扩散导致扩散阻挡层失效面工作气体中含有的过多也会聚集在靶材周围，使得溅射不均匀，可能出现了靶材中毒效应，氮化物产生小团聚。薄膜微观组织和性能受氮分压的影响探究工业技术论文。关键词工业技术扩散阻挡层方块电阻磁控溅射引言随着集成电路特征尺寸逐渐减小，在只有几平方毫米的芯片上需要集成数百万个器件......”。

3、“.....由图可以看出当∶∶时，薄膜表面光滑平整。从图可知当∶∶时，薄膜表面出现了许多纳米级别的颗粒，这些大小不均的颗粒导致薄膜表面出现了高低起伏，其表面粗糙度增加。从图可以看出当和在附近有个非常弱的散射峰，种样品均没有尖锐的布拉格峰出现，说明本文制备的薄膜很可能均为非晶态薄膜。非晶态薄膜由于近程原子的排列有序，当配位原子密度较高时，配位原子密度会影响其原子间距，在此原子间距所对应的附近会产生非晶散射峰。样品和非晶散射峰对原子有序度较高，相应配位原子密度较高。非晶薄膜具有较高的强度硬度韧性和良好的抗腐蚀性，这为薄膜作为扩散阻挡层在纳米级别器件中的应用奠定了基础......”。

4、“.....由图可知随着氮分压的增加，薄膜中原子的个数论文。结果与讨论氮分压对薄膜物相结构的影响图不同氮分压下薄膜的图谱图为不同氮分压下薄膜的图谱。从图中可以看出样品和在左右存在明显的漫射峰，样品和在附近有个非常弱的散射峰，种样品均没有尖锐的布拉格峰出现图可知当∶∶时，薄膜表面出现了许多纳米级别的颗粒，这些大小不均的颗粒导致薄膜表面出现了高低起伏，其表面粗糙度增加。从图可以看出当∶∶时，上述纳米级别的颗粒体积和数量均有了大幅的减少，薄膜表面致密平整度提高，粗糙度减小，表明该氮分压能够减少薄膜表面的纳米颗粒数量，提高薄膜表面的质量......”。

5、“.....说明近程有序的尺度较大。样品和的散射峰强且半高宽窄，说明近程原子有序度较高，相应配位原子密度较高。非晶薄膜具有较高的强度硬度韧性和良好的抗腐蚀性，这为薄膜作为扩散阻挡层在纳米级别器件中的应用奠定了基础。薄膜微观组织和性能受氮分压的影响探究工业技术论文从∶增加到∶后，薄膜表面氮原子个数百分比变化不大，说明此时薄膜中氮原子已经趋近饱和。结果与讨论氮分压对薄膜物相结构的影响图不同氮分压下薄膜的图谱图为不同氮分压下薄膜的图谱。从图中可以看出样品和在左右存在明显的漫射峰，样为时，失效温度为。文献通入制备了阻挡层，研究发现退火时，在界面处发现了原子向界面扩散并且逸出......”。

6、“.....文献证实了阻挡层比传统基扩散阻挡层具有更好的润湿性和更高的抗电迁移寿命，能够填充线宽为的互连导线槽。文献在百分比逐渐减少，原子与原子的个数比值先增加后降低，这可能是由于靶采用射频电源，即使靶发生轻微的靶中毒并不会有效降低靶的溅射效率而靶旦发生靶中毒，则会在靶表面生成，使靶面向绝态过渡，显著降低了靶的溅射效率，使得薄膜中原子个数百分比降低。随着氮分压逐渐升高，当∶说明本文制备的薄膜很可能均为非晶态薄膜。非晶态薄膜由于近程原子的排列有序，当配位原子密度较高时，配位原子密度会影响其原子间距，在此原子间距所对应的附近会产生非晶散射峰。样品和非晶散射峰对应的较小......”。

7、“.....样品和的散射峰强且半高宽窄，说明近从图可知当∶∶时，薄膜表面又重新出现了少量的颗粒，使得薄膜表面粗糙度增加，这可能是由于氮分压的提高，方面会促进近程原子有序度提高，另方面工作气体中含有的过多也会聚集在靶材周围，使得溅射不均匀，可能出现了靶材中毒效应，氮化物产生小团聚。薄膜微观组织和性能受氮分压的影响探究工业技扩散阻挡层中引入原子，发现扩散阻挡层的失效温度在左右，具有较高的热稳定性。但是，目前国内对于薄膜的结构和性能研究较少。氮分压对薄膜表面及断面形貌的影响图是不同氮分压下薄膜表面及断面形貌的图。由图可以看出当∶∶时，薄膜表面光滑平整。薄膜微观组织和性能受氮分压的影响探究工业技术论文断缩小......”。

8、“.....由于具有良好的性能，已被认为是最有潜力的新代扩散阻挡层材料，。文献探究了多种贵金属用作扩散阻挡层的可能性，证实了可用作扩散阻挡层材料。文献研究发现薄膜体系在退火时，原子会发生扩散导致扩散阻挡层失效，当薄膜厚研究了氮分压对薄膜微观组织和性能的影响。研究结果表明制备的薄膜为非晶态，适量氮气的加入能够提高薄膜表面的平整度，薄膜方阻随着氮分压的增加而逐渐增加。关键词工业技术扩散阻挡层方块电阻磁控溅射引言随着集成电路特征尺寸逐渐减小，在只有几平方毫米的芯片上需要集成数百万个器件，对互连材料性能为，工作气压保持在，靶和靶采用共溅射的方式，靶采用直流电源......”。

9、“.....溅射功率均为，溅射时间均为。工作气体为高纯和的混合气体，气体总流量为，共制备种样品，氮分压∶分别为∶∶∶和∶，通入流量分别为和，分别标透射电子显微镜原子力显微镜以及探针电阻测试仪，对所制备薄膜的相结构表面形貌和电学性能进行了表征，研究了氮分压对薄膜微观组织和性能的影响。研究结果表明制备的薄膜为非晶态，适量氮气的加入能够提高薄膜表面的平整度，薄膜方阻随着氮分压的增加而逐渐增加。试验方法试验采用反应磁控溅射技术，当薄膜厚度为时，失效温度为。文献通入制备了阻挡层，研究发现退火时，在界面处发现了原子向界面扩散并且逸出。上述研究表明单层的或者薄膜的阻挡性能并不理想......”。