1、“.....相移掩模技术，光学邻近效应修正技术，和光源掩模协同优化技术，是其中的代表。相移掩集成电路中掩模分辨率增强技术介绍光学论文图相移掩模主要制造流程图光学邻近效应影响为了避免这种在曝光过程中的失真，必须对设计的图形进行预先的修正，使得修改量正好可以补偿晶圆曝光系统造成的光学邻近效应，使用技术处理过的图形，在晶圆上就能得到最初想要的设计，避免失真。仍以上面的测试图形为例，整个过程如图所示。光移掩模技术，光学邻近效应修正技术，和光源掩模协同优化技术，是其中的代表......”。

2、“.....产业界目前主要采用衰减式相移掩模技术用于中高端芯片制造，般会在技术节点开始切入使用相光源掩模协同优化技术随着半导体制造工艺节点的不断推进，目前国际主流先进晶圆制造工艺节点已经达到，更高的工艺已经在研究开发中。伴随着工艺技术的更高节点要求，节距越来越小，对分辨率的要求越来越高，已经逼近了浸没式光刻技术所能达到的极限，常规照明方式下源掩模协同优化原理与应用半导体技术，华卫群，周家万......”。

3、“.....。基于模型的流程更加复杂，对计算资源的需求呈指数级增长。业界还使用些专用的测试图形曝光，收集晶圆上的测试数据，用来修正软件库中的模型，使计算出的结果和实际情况尽量吻合。状和掩模形状作为变量，并将进制掩模转化为进行位臵选择和插入完成光源掩模和的初步优化后，后续逐步对光源和掩模进行细化并将理想化的光源条件拟合到可实现的形式光源条件确定后软件会生成模型，其中包括光学模型光刻胶模型掩模维效应模型等，模根据掩模规则检查，修正掩模，最终将光源和掩模协同优化得出最终结果。业界通常做法是在开始引入技术......”。

4、“.....掩模技术结合后，可以满足技术节点晶圆重复优化流程来进步提升工艺窗口。不同于交替优化法采用焦深和掩模误差增强因子，等指标作为评价函数，协同优化法采用边缘放臵误差，作为评价函数来寻找最优解。在优化的最初阶段，协同优化集成电路中掩模分辨率增强技术介绍光学论文然实验数据越多，模型拟合越精确。但是太多的测试图形会使得数据的收集量太大。图基于散射模型的主要流程光学邻近效应校正技术是提高光学光刻分辨率延长光学光刻设备生命周期的重要方法。业界从节点开始引入，在节点开始大量运用。集成电路中掩模分辨率增强技术介绍光学论文部件而存在......”。

5、“.....晶圆厂电子束曝光等设备厂商以及厂商都必须携起手来共谋发展。参考文献彭力，陈友篷，尤春，等先进相移掩模工艺技术电子与封装，韦亚超大规模集成电路先进光刻理论与应用北京科学出版社，陈文辉，何建芳，董立松，等况尽量吻合。显然实验数据越多，模型拟合越精确。但是太多的测试图形会使得数据的收集量太大。图基于散射模型的主要流程光学邻近效应校正技术是提高光学光刻分辨率延长光学光刻设备生命周期的重要方法。业界从节点开始引入，在节点开始大量运用。交替优化法更适用于对现有工艺型确定后进行掩模的优化和设计准则检查......”。

6、“.....直至完成整个的优化过程。结论随着大规模集成电路技术的发展，对光刻分辨率的要求也越来越高。分辨率增强技术随之变得愈发重要。在分辨率增强技术发展过程中，掩模和光学系统结合得越来越紧密，高端掩模已作为光刻工艺不可缺少造所需掩模制作的需要。以公司的软件为例，基本流程如下输入光刻的各项条件，包括光刻机型号光源数值孔径大小偏振方向光刻胶膜层结构等输入根据规则制定的测试图形实际芯片图形和工艺监控图形输入条件确定后，软件会生成个初步模型，其中光源法采用的是无限制光源和连续传输掩模，来寻找最优解......”。

7、“.....并能够较为轻松地得到符合衍射光学器件，限制条件的光源形状。所获得的光源可以较为容易地在库中寻找到对应的光源并安装配臵到机台上。然而交替优化法得到的结果很有可能是个局部最优结果而非全局最优的，所以常常需要多集成电路中掩模分辨率增强技术介绍光学论文图形光刻的计算光刻技术，对光刻工艺中的光源和掩模进行协同优化，来改善在超小尺寸节点中的光刻工艺窗口，增强光学表现。基于模型的流程更加复杂，对计算资源的需求呈指数级增长。业界还使用些专用的测试图形曝光，收集晶圆上的测试数据......”。

8、“.....使计算出的结果和实际及复合相移掩模交替相移全透明相移衰减相移元铬掩模几类。产业界目前主要采用衰减式相移掩模技术用于中高端芯片制造，般会在技术节点开始切入使用相移技术。套制程芯片所需成套掩模中通常会有层是采用相移掩模技术的。光源掩模协同优化技术随着半导体制造工艺节点的不断推进，目前国际主流模技术相移掩模技术是掩模分辨率增强技术中的关键技术之。其基本原理是使透过掩模图形表面相邻透光区光束之间产生的相位差，通过控制光学曝光过程中的光位相参数，产生光的干涉效应，部分抵消衍射扩展效应，改变了掩模图形的空间频谱分布......”。

9、“.....改善了边缘邻近效应修正可大体分为两类，类是基于设计规则的图形拐角点和线条宽度实施几何修正和亚分辨率散射条技术，如图所示。光刻分辨率是指通过光刻机在晶圆表面能曝光的最小特征尺寸，是光刻技术中重要的性能指标之。半导体业界为了追求更高的光刻分辨率先后研发出了许多分辨率增强技术和方法。其基本原理是使透过掩模图形表面相邻透光区光束之间产生的相位差，通过控制光学曝光过程中的光位相参数，产生光的干涉效应，部分抵消衍射扩展效应，改变了掩模图形的空间频谱分布，提高光学曝光系统实用分辨率，改善了边缘陡峭度......”。