1、“.....工业使用成本非常高。无法通过人工合成的方式获得英寸级尺寸的单晶金刚石严重制约了金刚石在微电子光电子等诸多领域的发展与应用。为了突破大尺寸金刚石合成的技术瓶颈，荷兰奈梅亨大学的等人开发出电极的生长具有重要指导意义。图，生长后，沟槽区域的共聚焦图显微镜图以及深度示意图，沟槽中心和沟槽边缘处的拉曼光谱图图不同宽度与深度的金刚石沟槽在生长前及生长后，的共聚焦显微镜图图金刚石沟槽在生长前后的宽度与深度统计参考文献舒国阳，等大尺寸单晶金刚石横向生长方式实现外延拼接晶体学论文，其缝隙的痕迹仅与缝隙的宽度有关缝隙越窄，生长之后的金刚石膜越平坦，痕迹越不明显反之越大。结论本文通过法外延生长带有沟槽的金刚石籽晶，研究了金刚石上沟槽内部在不同生长时间下形貌的变化，以及沟槽的深度宽度生长前后之间的关系......”。

2、“.....金刚石的生长为台阶式生长当生长时间达到后，金刚石上的沟槽两载流子迁移率电子，空穴以及高击穿电压等优异性能，因此也被誉为终极半导体材料。由于这些优异的物理化学性能，金刚石在精密加工辐射探测航空航天等诸多尖端科技领域已逐渐成为不可替代的材料，。金刚石在电子领域的应用可以追溯到上世纪中叶，几乎与硅材料同时期。金刚石沟槽在生长前后宽度与深度的统计图如图所示方法，研究了金刚石表面沟槽的横向拼接生长。研究结果表明，金刚石表面沟槽可以通过金刚石横向生长方式实现外延拼接，使沟槽填满达到平整外延生长金刚石膜上的拼接缝痕迹与沟槽宽度呈现正相关关系，与沟槽深度关联较小。这种金刚石上沟槽的横向拼接生长方式对英寸级单晶金刚石的合成具有重要意义，同时还可用于金刚石的埋层式电极的生长......”。

3、“.....其中，为碳源气体，流量为可以有效刻蚀金刚石沉积过程中产生的石墨非晶碳等非金刚石相，流量为。生长温度控制在，生长腔室内的压力控制在左右，实验中金刚石样品分别在该条件下生长了和。分析检测方法本实验中，采用扫描电镜观察金刚石经激光加工及由于激光刻划金刚石表面形成沟槽的同时，还提高了沟槽区域的形核点密度。因此，在金刚石膜外延生长过程中，沟槽内部和边缘的生长速度相对较高，从而对沟槽进行了填充。此外，在沟槽边缘处，金刚石膜除了垂直外延生长外，还进行了横向外延生长。但是由于沟槽两侧横向生长速度不匹配，导致沟槽在填满后中心处仍存在缝隙，宽度在纳米级别。金刚石领域已逐渐成为不可替代的材料，。金刚石在电子领域的应用可以追溯到上世纪中叶，几乎与硅材料同时期......”。

4、“.....其中，为碳源气体，流量为可以有效刻蚀金刚石沉积过程中产生的石墨非晶碳等非金刚石相，流量为。生长温度控制在，生长腔室内的压力控制在左右，实验中金相关关系，与沟槽深度关联较小。这种金刚石上沟槽的横向拼接生长方式对英寸级单晶金刚石的合成具有重要意义，同时还可用于金刚石的埋层式电极的生长。关键词拼接缝晶体学横向拼接生长沟槽金刚石超宽禁带半导体般指禁带宽度大于的半导体材料，如金刚石，氮化硼，氧化镓，等。近些年来，随着第代宽禁带半导体碳化硅文献舒国阳，等大尺寸单晶金刚石同质连接技术自然杂志，阳硕，满卫东，赵彦君，等法合成单晶金刚石的研究及应用进展真空与低温，胡付生，杨明阳，袁其龙，林正得，江南金刚石表面沟槽的横向拼接生长研究硬质合金......”。

5、“.....金刚石表面沟槽通过脉冲激光加工，采用的激光波长为，激光能量为，脉冲频率为，激光扫描速度为。经过激光加工后的金刚石在酒精中超声清洗，以去除残留在金刚石表面的微颗粒。金刚石的生长采用微波等离子体化学气相沉积法在激光加工处理后的单晶金刚石衬底上进行外延生，激光能量为，脉冲频率为，激光扫描速度为。经过激光加工后的金刚石在酒精中超声清洗，以去除残留在金刚石表面的微颗粒。金刚石的生长采用微波等离子体化学气相沉积法在激光加工处理后的单晶金刚石衬底上进行外延生长。当生长时间延长至后，图图显示金刚石表面的沟槽已被基本填满，看不到明显的沟槽痕迹。这内部，金刚石的生长为台阶式生长当生长时间达到后，金刚石上的沟槽两侧拼接起来......”。

6、“.....生长后，沟槽内外高度达到致，表明金刚石的横向生长过程可以将金刚石之间进行有效的连接。此外，实验结果进步表明，金刚石沟槽生长后的拼接痕迹与深度几乎无关，而与沟槽的宽度呈现正相关关系沟槽越窄，生长之后的拼接痕迹越不明显。本石样品分别在该条件下生长了和。分析检测方法本实验中，采用扫描电镜观察金刚石经激光加工及生长后的沟槽表面形貌。采用拉曼光谱仪对生长的金刚石质量进行表征，补充激光波长。此外，金刚石表面沟槽在生长前后的深度及宽度变化通过激光共聚焦显微镜进行表征分析。金刚石表面沟槽通过脉冲激光加工，采用的激光波长为，氮化镓，等材料表现出的显著性能优势和巨大的产业带动作用，超宽禁带半导体也得到了广泛的关注，。相比于和，金刚石具有宽带隙高载流子迁移率电子，空穴以及高击穿电压等优异性能......”。

7、“.....由于这些优异的物理化学性能，金刚石在精密加工辐射探测航空航天等诸多尖端科技的均匀型核辐射探测器的构建及探测机理研究。摘要本文以高温高压合成的金刚石为籽晶，通过微波等离子体化学气相沉积外延生长金刚石方法，研究了金刚石表面沟槽的横向拼接生长。研究结果表明，金刚石表面沟槽可以通过金刚石横向生长方式实现外延拼接，使沟槽填满达到平整外延生长金刚石膜上的拼接缝痕迹与沟槽宽度呈现正关于金刚石沟槽横向拼接生长过程的研究，对英寸级金刚石的合成以及埋层式电极的生长具有重要指导意义。图，生长后，沟槽区域的共聚焦图显微镜图以及深度示意图，沟槽中心和沟槽边缘处的拉曼光谱图图不同宽度与深度的金刚石沟槽在生长前及生长后......”。

8、“.....因此，可以推断出金刚石膜在横向拼接生长过程中，其缝隙的痕迹仅与缝隙的宽度有关缝隙越窄，生长之后的金刚石膜越平坦，痕迹越不明显反之越大。结论本文通过法外延生长带有沟槽的金刚石籽晶，研究了金刚石上沟槽内部在不同生长时间下形貌的变化，以及沟槽的深度宽度生长前后之间的关系。实验结果表明沟槽拼接法，通过同质外延的生长方式，将紧密排列的金刚石籽晶生长连接并结合为体。通过拼接法，可以制备出英寸级尺寸的单晶金刚石。但是，这种技术对籽晶要求很高，相邻籽晶之间的方位差高度差或者形貌差等都有可能在拼接缝处产生应力和孪晶，最终导致生长后的外延金刚石存在拼接缝，甚至晶体开裂。金刚石横向生长方式实现外刚石同质连接技术自然杂志，阳硕，满卫东，赵彦君......”。

9、“.....胡付生，杨明阳，袁其龙，林正得，江南金刚石表面沟槽的横向拼接生长研究硬质合金，基金浙江两化融合联合基金资助基于石墨烯金刚石异质结结构的均匀型核辐射探测器的构建及探测机理研究。无论是采用哪种方式合成的拼接起来，其拼接缝肉眼不可见。生长后，沟槽内外高度达到致，表明金刚石的横向生长过程可以将金刚石之间进行有效的连接。此外，实验结果进步表明，金刚石沟槽生长后的拼接痕迹与深度几乎无关，而与沟槽的宽度呈现正相关关系沟槽越窄，生长之后的拼接痕迹越不明显。本文关于金刚石沟槽横向拼接生长过程的研究，对英寸级金刚石的合成以及埋层式从图中可以看出，经过的生长之后，沟槽和的宽度均比生长前变窄，且生长前的沟槽宽度越窄，生长之后的沟槽宽度也越窄。图表明生长之后的沟槽深度均降低至左右......”。