1、“.....随着侧保温层厚度的增加晶体生长的加热功率降低，而对晶体生长的籽晶径向温度分布和生长的轴向温度分布影响较小，因此侧保温层厚度在晶体生长中主要影响到加热功率变化，对温度分布的影响较小。关键词英寸型法微管密度数值模拟晶体品质晶体晶体生长工艺获得晶型单结晶质量较高的英寸型单晶。参考文献陈治明半导体概论北京电子工业出版社，封先锋，陈治明，蒲红斌晶体的生长系统及测温盲孔对热场的影响人工晶体学报，王丽，胡小波，董捷，等光谱鉴定碳化硅单晶的多型结构功能材料，增刊刘兵，蒲红斌，赵然，赵子强，鲍慧强，李龙远，李晋，刘素娟高品质英探究高品质英寸晶体生长温场分布晶体学论文的光谱图，根据文献报道判定晶圆的晶型为晶型其微管密度小于，微管主要集中于晶圆的边缘位置，其微管分布图如图所示晶圆的电阻率范围为，测试结果如图所示......”。

2、“.....测试结果如图所示，的值为，表明该晶圆结晶质量较高。图晶锭生长表面的光学显微形貌图图晶圆温度梯度也会增加，籽晶表面的径向温度梯度会降低。因此，相对较低线圈位置有利于提升晶体的生长速率和籽晶表面的温度均匀性，但是线圈位置过低，粉料内部的轴向温度梯度增大，引起粉料表面的颗粒度增大，降低粉料的利用率，所以在晶体生长过程中，选择合适的线圈位置尤为重要。图不同线圈位置的坩埚温度分布英寸型晶体生长图英寸型晶锭根据上述孔的直径影响晶体生长形貌和生长速率。坩埚结构对英寸晶体生长温场的影响图分别为不同厚度坩埚盖的籽晶表面和生长腔的温度分布。随着坩埚盖的厚度增加，籽晶边缘的温度在逐渐减小，当坩埚盖厚度增加到定数量时，籽晶表面的高温位置向粒晶中心移动，该现象使得晶体生长的形貌出现型......”。

3、“.....在软件中建立英寸单晶生长模型，选择模块类型和设定参数，确定边界条件以及计算网格的划分，加热频率选择为，计算晶体生长温度分布。图晶体磁矢势的分布图图晶体热产生率的分布图图坩埚底部热产生率的变化曲线图坩埚件，进行了英寸型晶体生长实验验证。结果与讨论英寸晶体生长系统中的磁场热产生率以及温场分布根据法生长晶体的原理，生长系统的磁场分布是影响晶体生长的重要因素。图是英寸晶体生长系统的磁矢势的分布图，通过磁矢势的分布可以体现出系统的磁场分布，系统的磁场最大值位于线圈的中间部位，从线圈的中间向周边逐渐减弱，坩埚内部坩埚盖厚度和线圈位置是影响晶体生长的籽晶表面径向温度梯度和生长腔轴向温度梯度的主要因素。通过选择合适的热场结构......”。

4、“.....参考文献陈治明半导体概论北京电子工业出版社，封先锋，陈治明，蒲红斌晶体的生长系统及测温盲孔对热场的影响人工晶体学报，王丽，胡小波，董捷，等微管较少，边缘存在少许的微管分布区。将晶锭加工成厚的标准晶圆，对其进行相应的表征。图为晶圆的中心和周围个点的光谱图，根据文献报道判定晶圆的晶型为晶型其微管密度小于，微管主要集中于晶圆的边缘位置，其微管分布图如图所示晶圆的电阻率范围为，测试结果如图所示。采用测试半峰宽来表征英寸究对象。随着线圈位置的下降，坩埚中的高温区下降，坩埚的最高温度也会增加，粉料中心的轴向温度梯度变大，晶体生长腔的轴向温度梯度也会增加，籽晶表面的径向温度梯度会降低。因此，相对较低线圈位置有利于提升晶体的生长速率和籽晶表面的温度均匀性，但是线圈位置过低，粉料内部的轴向温度梯度增大......”。

5、“.....降低粉料的利用率，所以在晶体生长过探究高品质英寸晶体生长温场分布晶体学论文磁矢势接近于，其主要原因是由于趋肤效应和感应加热的穿透深度而引起。探究高品质英寸晶体生长温场分布晶体学论文。本文采用晶体生长专业模拟软件，分析了英寸晶体生长的保温层结构测温孔径线圈位置坩埚结构对晶体生长温场的影响，得出适合于英寸晶体生长的温场分布，优化晶体生长工艺条件，进行了英寸型晶体生长实验验如图所示，在软件中建立英寸单晶生长模型，选择模块类型和设定参数，确定边界条件以及计算网格的划分，加热频率选择为，计算晶体生长温度分布。本文采用晶体生长专业模拟软件，分析了英寸晶体生长的保温层结构测温孔径线圈位置坩埚结构对晶体生长温场的影响，得出适合于英寸晶体生长的温场分布，优化晶体生长工艺高度差随着籽晶表面的径向温度梯度的增加而变大......”。

6、“.....会引起晶体的生长速率会增加，因此测温孔的直径影响晶体生长形貌和生长速率。坩埚结构对英寸晶体生长温场的影响图分别为不同厚度坩埚盖的籽晶表面和生长腔的温度分布。随着坩埚盖的厚度增加，籽晶边缘的温度在逐渐减小，当坩埚盖厚度增加到定数量时，籽晶表面的高温位置光谱鉴定碳化硅单晶的多型结构功能材料，增刊刘兵，蒲红斌，赵然，赵子强，鲍慧强，李龙远，李晋，刘素娟高品质英寸型单晶生长研究人工晶体学报，基金陕西省重点研发计划项目。探究高品质英寸晶体生长温场分布晶体学论文。模型建立和实验图法生长晶体系统结构示意图法生长晶体的系统结构示意图晶圆的结晶质量，测试结果如图所示，的值为，表明该晶圆结晶质量较高......”。

7、“.....分析了保温层结构坩埚盖和线圈位置对晶体生长温场的影响。保温层厚度主要影响晶体生长的功耗，顶部保温层测温孔中，选择合适的线圈位置尤为重要。图不同线圈位置的坩埚温度分布英寸型晶体生长图英寸型晶锭根据上述分析，生长英寸型晶体时，侧保温层厚度测温孔直径分别为籽晶直径的和，坩埚盖厚度取，线圈位于位，优化晶体生长工艺条件，获得无裂纹的英寸型晶体，图是晶锭的外形照片。图为晶锭的生长表面缺陷分布情况，晶锭中心部位粒晶中心移动，该现象使得晶体生长的形貌出现型，这对晶体结晶质量产生负面作用同时晶体生长腔中心的轴向温度梯度也是随着坩埚盖厚度的增加而减小，坩埚盖的厚度选择，适合晶体生长需求。图不同厚度坩埚盖的温度分布线圈位置对英寸晶体生长温场的影响图为不同线圈位置的温度分布......”。

8、“.....对温度分布的影响较小。图晶体磁矢势的分布图图晶体热产生率的分布图图坩埚底部热产生率的变化曲线图坩埚的温度分布图图不同厚度侧保温层的功率和温度分布图图不同测温孔直径的温度梯度分布图随着测温孔的直径取籽晶直径的变大，籽晶表面边缘至中心的径向温度梯度变大，生长腔中心的轴向温度梯度也在增加。在晶体生长过程中晶体边缘与中心温场分布作为第代宽禁带半导体材料，碳化硅由于其自身优异的性能直是人们研究的热点。具有优越的物理化学性质，是制作大功率高温高频抗辐照等器件的理想衬底材料，在电力电子交通运输清洁能源国防军事等领域具有广阔的应用前景。保温层对英寸晶体生长温场的影响法生长晶体是将石墨坩埚置于石墨碳毡保温层中，因此石墨碳毡的结构尺寸是型单晶生长研究人工晶体学报，基金陕西省重点研发计划项目......”。

9、“.....保温层对英寸晶体生长温场的影响法生长晶体是将石墨坩埚置于石墨碳毡保温层中，因此石墨碳毡的结构尺寸是影响晶体生长腔内温度分布的重要参数。图分别为不同厚度取坩埚直径的侧保温层的加热功率籽的拉曼光谱图图晶圆的微管分布图图晶圆的电阻率分布图图晶圆的摇摆曲线图结论采用数值模拟研究了英寸单晶生长温场的分布，分析了保温层结构坩埚盖和线圈位置对晶体生长温场的影响。保温层厚度主要影响晶体生长的功耗，顶部保温层测温孔径坩埚盖厚度和线圈位置是影响晶体生长的籽晶表面径向温度梯度和生长腔轴向温度梯度的主要因素。通过选择合适的热场结构，优析，生长英寸型晶体时，侧保温层厚度测温孔直径分别为籽晶直径的和，坩埚盖厚度取，线圈位于位，优化晶体生长工艺条件，获得无裂纹的英寸型晶体，图是晶锭的外形照片。图为晶锭的生长表面缺陷分布情况，晶锭中心部位的微管较少......”。