1、“.....其中，图中的为基率都是递增的，但其中正方形基元形状拥有最高的带隙宽度和中心频率，且圆形基元形状的最低。填充比固定时，在同晶格中基元形状的面积越大，则该光子晶体的光子带隙越宽并且中心频率也越高。当填充比例不断增大且变化为时，维角晶格正方形基元结硅光子晶体结构参数对本身带隙宽度影响分析光学论文的为基元半径，为晶格常数，柱型为白色区域表示，硅基介质为黑色区域。在进步控制变量定量分析过程中，分别改变柱型直径基元形状以及基元旋转角度等结构参数，探讨这些参数对于光子带隙宽度的影响......”。

2、“.....邱伟彬，林志立利用仿真进行维光子晶体的教学高教学刊，王婷婷，杨运兴，李支新，孙晶硅光子晶体结构参数对其带隙宽度影响分析科技创新与应用，。考虑距离原点最接近的变大的过程中，基元的取向固定的条件下，基元形状为边形的维角晶格硅光子晶体带隙表现更加优秀。因此，在实验研究过程中，建立在结构上，可通过充分的填充来更好地实现对光子的控制，对今后的研究应用有指导意义。参考文献陈义万，杜海霞，陈昭结论在微电子领域面临提高集成度运行效率......”。

3、“.....硅光子晶体得到大量且广泛的研究，使得相关技术的突破成为可能。而光子带隙作为光子晶体中尤为重要的大特性，对实现硅光子器件的优化升级有极其重要的作用。本文通过计算软件以及时带隙宽度随着填充比的关系。计算结果如图所示，可看出，边形基元的带隙宽度随旋转角度变化既满足旋转对称性以及周期性又同时有各向异性。旋转角，任何填充比对应的光子带隙宽度都为最大值，可认为旋转对于光子晶体掌控光的能力起决定性作用，它的宽度越宽，表明光子晶体掌控光的频域范围越大。针对此，结构参数是的个重大影响因素......”。

4、“.....得到更为理想的，从而达到满足高集成小尺性又同时有各向异性。旋转角，任何填充比对应的光子带隙宽度都为最大值，可认为旋转角为时，是角形基元对于维角晶格的最优取向。图图是边形基元在不同旋转角度时，带隙中心随着填充比的变化关系。从图中可看出，在中计算维光子晶体的带隙结构科技创新与应用，邱伟彬，林志立利用仿真进行维光子晶体的教学高教学刊，王婷婷，杨运兴，李支新，孙晶硅光子晶体结构参数对其带隙宽度影响分析科技创新与应用，。规定水平方向......”。

5、“.....是角形基元对于维角晶格的最优取向。图图是边形基元在不同旋转角度时，带隙中心随着填充比的变化关系。从图中可看出，在基元面积不变的情况下，带隙中心频率基本相同，基元旋转角度的改变对该结构中光子的束缚能力没有变基元形状以及旋转角度等结构参数因素对其带宽的影响最后总结了模拟计算得出的结果分析并对今后实验研究提供定的参考依据。规定水平方向，取向角度为，具体取向方向可参照图。研究在旋转角度分别为变大的过程中，基元的取向固定的条件下......”。

6、“.....因此，在实验研究过程中，建立在结构上，可通过充分的填充来更好地实现对光子的控制，对今后的研究应用有指导意义。参考文献陈义万，杜海霞，陈昭的工艺目标。但面对硅光子晶体器件结构的设计和应用以及实现部分功能的问题上，由于缺乏相关结构参数的理论研究分析，研究过程显得尤为缓慢，。本文首先通过光子晶体的理论基础和平面波展开法，建立了维角晶格硅光子晶体模型定量分析了角晶格元面积不变的情况下，带隙中心频率基本相同，基元旋转角度的改变对该结构中光子的束缚能力没有变化。光子晶体内部光子受到周期性的约束和影响......”。

7、“.....中是禁止任何光入射并传播的，度为，具体取向方向可参照图。研究在旋转角度分别为以及时带隙宽度随着填充比的关系。计算结果如图所示，可看出，边形基元的带隙宽度随旋转角度变化既满足旋转对称性以及周，等维光子晶体带隙与结构的关系湖北大学学报自科版，方云团光子晶体计算方法和传输特性安庆师范大学学报自然科学版，蔡青，黄昌清，梁培，等基于平面波展开法的维光子晶体表面模式研究光子学报，黄晓泽，周琦......”。

8、“.....对基元形状做出调整，分析了边正方以及圆形形状对于光子带隙宽度及带隙中心频率的影响在种固定晶格的光子晶体中，其他条件为定量时，基元形状所占的空间比例越大，光子带隙显现出的结构越好。在填充比半径，为晶格常数，柱型为白色区域表示，硅基介质为黑色区域。在进步控制变量定量分析过程中，分别改变柱型直径基元形状以及基元旋转角度等结构参数，探讨这些参数对于光子带隙宽度的影响。硅光子晶体结构参数对本身带隙宽度影响分析光学论构逐渐变化成硅柱形。硅光子晶体结构参数对本身带隙宽度影响分析光学论文。此外......”。

9、“.....其中是由定义的倒格子向量。由于这种性质，在倒格子中计算軋的本征解即可。考虑距离原点最接近的组不等价波光学论文。此外，本征解也是的周期函数在处的解与在处的解相同，其中是由定义的倒格子向量。由于这种性质，在倒格子中计算軋的本征解即可。从图可看出当小于约时，边正方以及圆形所对应的维角晶格硅光子晶体光子带隙宽度以及带隙中心的不等价波矢，这个范围称为第布里渊区。例如，在维系统中，对于个周期，第布里渊区是的区域所有其他波矢量都相当于该区域中点的倍数......”。