1、“.....对激光器来说，结电压饱和深度可达，考虑到载流子泄漏和双极输运现象，其可表示为式中为电子空穴迁移率之比，其中为多子迁移率电流时，器件的电压电流关系变为式中为阈值电流时的结电压，其值由有源区内部增益材料的导带和价带能级之差决定，根据上文分析，其为定值，因此将式对电流求导可得出，为常数。此时可以得出，当工作电流高于阈值电流时，与线性相关，可作出曲线如图所示。图中，为结电压饱和深度，为电导数曲线在阈值电流之后的纵轴截距，为电导数曲线在小电流处的尖峰值。根据式可知，当激光器工作在阈值时，其结电压将不再发生变化，此时电导数曲线只取决于，因此曲线将出现个下移的突变，下移量被称为结电压饱和深度，阈值电流之后的电导自然科学基金资助项目。具有输出圆形对称光斑小体积和低功耗等特点，同时面发射的特性使其易于维集成，而且不需要进行封装便可在片测试，大大降低了制造成本。基于以上特点......”。

2、“.....得到了大量的应用。但是，随着科技的迅猛发展，人们对光源性能的要求也越来越高，例如，在原子与光子相互作用的高性能光泵原子钟超精细能谱检测核磁共振原子陀螺仪及光泵磁力仪，等国防高新技术领域中，国内外多所大学和公司正在研究和制备铷原子钟的和波段与铯原子钟的波段。因此，激光光源不仅要求实现波长的精确探讨在欧姆接触系统和结构设计中非磁性材料的研究电磁学论文峰，通过分析并联线性电阻等效电路，这可能是由于在制备过程中，界面受到破坏，或者引入的杂质污染表面，而导致器件出现并联线性电阻漏电通道，这会对器件的可靠性产生影响，尖峰越大，则反映器件的可靠性越差。结论本文提出并设计了种基于非磁性材料电极的，并通过圆点传输线模型对其欧姆特性进行了研究。实验结果表明，在退火温度和退火时间的工艺条件下，获得非磁性材料型欧姆接触系统的比接触电阻率为。当工作温度从升高到时......”。

3、“.....最大单模输出光功率达到。在高温情况下，激光器性能得到了更好的阻的升高会使器件的电压升高产热增多光电转换效率下降，从而影响器件的可靠性稳定性和寿命。除此之外，在制备过程中激光器内部产生损伤或缺陷时，会产生非辐射复合，额外产生的非辐射复合会使器件转换效率降低，阈值电流升高。阈值电流的增大会引起器件工作电流的增大，进而导致更高的结温，使激光器内部产生更多的缺陷，同时由于谐振腔谐振模式与有源区增益模式因温度的升高而产生更严重的失配，以及有源区对载流子的束缚能力减弱，均会导致阈值电流和转换效率进步变差。对同样结构的器件，参数相同的情况下，较大的阈值会造成更大的退化率。对激光器来说，结电压饱和深度可达子和空穴不断地在激光器内部进行复合来发生受激辐射，因此结电压不再变化，为常量，因此，当工作电流超过阈值电流时，器件的电压电流关系变为式中为阈值电流时的结电压......”。

4、“.....根据上文分析，其为定值，因此将式对电流求导可得出，为常数。此时可以得出，当工作电流高于阈值电流时，与线性相关，可作出曲线如图所示。图中，为结电压饱和深度，为电导数曲线在阈值电流之后的纵轴截距，为电导数曲线在小电流处的尖峰值。根据式可知，当激光器工作在阈值时，其结电压将不再发生变化，此时退火之后，测量出个圆环宽度分别为和。探讨在欧姆接触系统和结构设计中非磁性材料的研究电磁学论文。摘要采用圆点传输线模型，对基于非磁性材料的垂直腔面发射激光器型欧姆接触系统进行了研究。实验结果表明，在下退火后，基于非磁性材料的型欧姆接触系统具有低的比接触电阻率，其值为在高合金温度下，基于的欧姆接触系统性能得到了改善。将非磁性材料应用到整个结构设计中，当工作温度从升高到时，的阈值电流保持生长对型掺杂，两对量子阱作为有源区......”。

5、“.....最上面为对型掺杂。图为波长氧化限制型的结构剖面示意图，其制备工艺过程如下首先利用光刻对外延片进行图形化然后使用甲醇磷酸和双氧水体积比为∶∶的腐蚀液进行湿法腐蚀，腐蚀前腐蚀液需要在冰水混合物中冷却以确保腐蚀速率，本次实验的台面形状为圆柱形台面，腐蚀深度不宜过深，但要保证充分露出氧化限制层接下来进行湿氮氧化，氧化温度为，使氧化层得到充分氧化，氧化孔直径为接着利用等离子体增强化学气相沉积法淀积层和没有进行有效的合金化，因此金属与半导体之间并没有形成良好的欧姆接触，而欧姆接触系统在退火前就能形成较好的欧姆接触。退火温度从升高到时，欧姆接触的比接触电阻率从降到，降低了，这是由于的原子半径为，而的原子半径只有，当原子进入的原子晶格时，较小的半径使晶格被压缩，并且随着原来的原子被替换的程度增加，晶面间距减小更剧烈。此时，热处理可以有效地消除层内的应力和位错......”。

6、“.....增加电子的传输，降低薄膜的方块电阻，提高薄膜的导电性，从而降低薄膜的比接触电阻率。当，腐蚀深度不宜过深，但要保证充分露出氧化限制层接下来进行湿氮氧化，氧化温度为，使氧化层得到充分氧化，氧化孔直径为接着利用等离子体增强化学气相沉积法淀积层厚的作为钝化层，套刻去掉出光孔上方的然后正面溅射电极，背面溅射电极最后在快速退火炉中，分别在和下退火，使金属与半导体之间由肖特基接触转变为欧姆接触。其中，比接触电阻率测试样品是利用电子束蒸发工艺在约的压力下将和两种金属沉积在衬底上制备的，其中和的厚度为型欧姆接触系统进行了研究。实验结果表明，在下退火后，基于非磁性材料的型欧姆接触系统具有低的比接触电阻率，其值为在高合金温度下，基于的欧姆接触系统性能得到了改善。将非磁性材料应用到整个结构设计中，当工作温度从升高到时，的阈值电流保持在，最大输出光功率达到。此外......”。

7、“.....结果表明基于非磁性材料的可以实现良好的金属半导体界面状态，并具有低的阈值电流和较小的并联探讨在欧姆接触系统和结构设计中非磁性材料的研究电磁学论文厚的作为钝化层，套刻去掉出光孔上方的然后正面溅射电极，背面溅射电极最后在快速退火炉中，分别在和下退火，使金属与半导体之间由肖特基接触转变为欧姆接触。其中，比接触电阻率测试样品是利用电子束蒸发工艺在约的压力下将和两种金属沉积在衬底上制备的，其中和的厚度为，厚度为。然后使用标准光刻技术来图形化测试样品，其图形如图所示，个圆环的内圆半径均为，外圆半径分别为和。刻蚀环槽后，样品在快速退火炉中分别在和下退火欧姆接触系统的比接触电阻率达到，增加了倍，而欧姆接触系统的比接触电阻率只增加了倍，这是由于加热引起的界面扩散的负面影响超过了微应变减小的效果，薄膜的表面电阻将加速上升，故薄膜的比接触电阻率快速上升......”。

8、“.....由于薄膜的比接触电阻率增加的速度远远高于欧姆接触系统，故在高合金温度情况下，非磁性的欧姆接触性能更优。探讨在欧姆接触系统和结构设计中非磁性材料的研究电磁学论文。结构与制备制备所用的外延片结构由下至上依次为在型衬底致器件出现并联线性电阻漏电通道，这会对器件的可靠性产生影响，尖峰越大，则反映器件的可靠性越差。结论本文提出并设计了种基于非磁性材料电极的，并通过圆点传输线模型对其欧姆特性进行了研究。实验结果表明，在退火温度和退火时间的工艺条件下，获得非磁性材料型欧姆接触系统的比接触电阻率为。当工作温度从升高到时，激光器阈值电流保持在，最大单模输出光功率达到。在高温情况下，激光器性能得到了更好的改善，实现了基于非磁性材料良好的金半界面状态，并具有低的阈值电流和较小的并联非线性电退火温度从升高到时，欧姆接触系统的比接触电阻率从减小到，降低了......”。

9、“.....当退火温度从升高到时，比接触电阻率从降到，降低了，比接触电阻率降低的幅度相对于时下降的幅度有所减小，这是因为较高的退火温度导致原子间相对较强的扩散，原子扩散到膜中加剧了该层中的电子散射，由此增加金属接触层的电阻率，但是此时热效应消除的应力和位错降低的比接触电阻率仍占主导地位，所以比接触电阻率整体上还是处于下降趋势。旦退火温度超过，两种金属体系的比接触电阻率都会增加，其中，厚度为。然后使用标准光刻技术来图形化测试样品，其图形如图所示，个圆环的内圆半径均为，外圆半径分别为和。刻蚀环槽后，样品在快速退火炉中分别在和下退火。基器件和厚度均为欧姆接触系统的比接触电阻率随温度变化的关系如图所示。将样品放在快速退火炉中以不同退火温度退火之后，利用圆点传输线模型方法分别提取基于和的比接触电阻率，单位是，如表所示。数据表明，退火温度在之前，没有测到金属体系的比接触电阻率值......”。