1、“.....半高宽分别为，。与样品相比，样品的发射峰半高宽有所展宽。比较样品，随着电解液中浓度的增加，发射峰半高宽逐渐窄化。这与样品的发射峰的半高宽变化趋势是致的。样品的发射峰强度与发射峰强度之比为。样品的峰位于，半高宽为。样品的峰位于，半高宽为。随着电解液中浓度的增加，样品的半高宽逐渐减小。纳米柱阵列的制备方法主要可分为真空与非真空两类。真空方法包括气相输运热蒸发等方法非真空方法通常主要采用的是溶液路线，相对于真空沉积方法生长温度均较低，包括溶胶凝胶法水热法电化学沉积方法等，。其中电沉积方法由于加入了电压电流控制参数，可采用恒电位恒电流脉冲电流等模式或以上两种控制模式的阶段组合模式对纳米柱的生长过程进行控制，从而裁剪纳米柱阵列的几何形貌与光电解液中的增加，纳米柱的斯托克斯位移由减小至，表明纳米柱中的非辐射复合可以得到定程度的抑制。随着电解液中浓度的增加，将会在晶格中引入更多的间隙，而的引入能够抑制晶格中间隙的产生。通过控制与两种盐类在主电解液中的浓度，可对纳米柱的近带边发射与非辐射复合进行操控与裁剪......”。

2、“.....将有望在包括下代纳米结构化太阳能电池在内的新型光电器件中获得应用。参考文献郑高峰，何广将会在晶格中引入更多的间隙。表样品中纳米柱的近带边发射峰位与斯托克斯位移，样品的近带发射峰位为拟合峰已知样品的近带边发射与光学带隙，可以计算样品中纳米柱阵列的斯托克斯位移。样品的斯托克斯位移为。样品的斯托克斯位移为，这说明的引入增加了纳米柱中的非辐射复合。样品的斯托克斯位移分别为表明随着浓度的增加，纳米柱中的非辐射复合可以得到定程度的抑制。结论本文采用电化学沉积方法在玻璃基底上生长了光致发光光谱图样品的室温光致发光光谱在范围的高斯拟合结果样品的峰分别位于和，半高宽分别为，。与样品相比，样品的发射峰半高宽有所展宽。比较样品，随着电解液中浓度的增加，发射峰半高宽逐渐窄化。这与样品的发射峰的半高宽变化趋势是致的。样品的发射峰强度与发射峰强度之比为。样品的发射峰强度与发射峰强度之比为，表明的引入能够抑制发射。样品的发射峰强度与发射峰强度之比分别为与......”。

3、“.....。电沉积纳米柱通常采用水溶液，其中的电解质锌源般选用或。使用作为锌源盐类与共同作用，可制备高质量的纳米柱，具有高生长速率高光学质量高迁移率等优势，。样品的发射峰位于，半高宽为。与样品比较，样品的蓝移了。样品的峰位于，半高宽为。样品的与样品相近，表明的引入抑制了近带边发射的蓝移。样品的峰位于，半高宽为。样品的峰位于，半高宽为。随着电解液中浓度的增加，样品的半高宽逐渐减成及其性能材料研究学报，汤洋，陈颉电沉积掺铝氧化锌纳米柱的光学带隙蓝移与斯托克斯位移发光学报，汤洋，郭逦测试波段范围。结果与讨论纳米柱的形貌图为样品的扫描电电解液中引入了。由表可知，纳米柱具有的平均直径，比样品减小，具有的标准差，比样品降低。对透射光谱的吸收边以ν线性拟合ν计算光学带隙，其中为吸收率，为普朗克常量，ν为频率。对于直接带隙半导体，吸收率∝，其中为透射率。拟合结果示于图中，掺铝氧化锌薄膜的光学带隙为。由图可见，所有样品均具有陡峭的吸收边。样品的光学带隙为。样品的带隙为，相比样品蓝移。样品中的纳米柱带隙蓝移可能来自于引入导致的晶格内的密度分别为与......”。

4、“.....均低于样品的阵列密度。样品中纳米柱间距分别为与。样品的阵列密度为，相比样品有所增大，但仍小于样品。由于样品的纳米柱直径减小至，因此尽管阵列密度有所增加，纳米柱间距仍增大至。基于硝酸铟诱导探讨有关电沉积氧化锌纳米柱光电物理性质进行裁剪的分析光学论文。纳米柱阵列的表征测试对纳米柱阵列的几何形貌采用场发射扫描电子显微镜进行测试表征，测试电压为。采用分光光度计测量样品的透射与反射光学性质，测量波段范围设臵为，使用基于硝酸铟诱导探讨有关电沉积氧化锌纳米柱光电物理性质进行裁剪的分析光学论文的硅谐振式加速度计光学精密工程，赵海霞，方铉，王颜彬，等核壳纳米线界面缺陷的形成及发光特性研究中国光学，汤洋，赵颖，张增光，等氧化锌纳米柱阵列的水热合成及其性能材料研究学报，汤洋，陈颉电沉积掺铝氧化锌纳米柱的光学带隙蓝移与斯托克斯位移发光学报，汤洋，郭逦达，张增光，等硝酸铵诱导电沉积氧化锌纳米柱的铝掺杂及光学性质操控光学精密工程，汤洋硝酸铟诱导的电沉积氧化锌纳米柱光学性质裁剪发光学报，基金国家自然科学基金北京市优秀人才培养拔尖自然科学资助项目......”。

5、“.....提升的费米能级位臵导致纳米柱的光学带隙由蓝移至。新的电解液组成也对纳米柱在光致发光光谱中的近带边发射产生影响，进而导至斯托克斯位移增加。随着电解液中的增加，纳米柱的斯托克斯位移由减小至，表明纳米柱中的非辐射复合可以得到定程度的抑制。随着电解液中浓度的增加，将会在晶格中引入更多的间隙，而的引入能够抑制晶格中间隙的产生。通过控制与两种盐类在主电解液中的浓度，可对纳米柱的近带边发射与发射峰强度之比为，表明的引入能够抑制晶格中间隙的产生。样品的发射峰强度与发射峰强度之比分别为，表明随着电解液中浓度的增加，将会在晶格中引入更多的间隙。表样品中纳米柱的近带边发射峰位与斯托克斯位移，样品的近带发射峰位为拟合峰已知样品的近带边发射与光学带隙，可以计算样品中纳米柱阵列的斯托克斯位移。样品的斯托克斯位移为。样品的斯托克斯位移为，这说明的引入增加了纳米柱中的非辐射复样品的峰位于，半高宽为。与样品相比，样品的发射峰半高宽有所展宽。比较样品，随着电解液中浓度的增加，发射峰半高宽逐渐窄化......”。

6、“.....张增光，等硝酸铵诱导电沉积氧化锌纳米柱的铝掺杂及光学性质操控光学精密工程，汤洋硝酸铟诱导的电沉积氧化锌纳米柱光学性质裁剪发光学报，基金国家自然科学基金北京市优秀人才培养拔尖自然科学资助项目。样品的发射峰位于，半高宽为。与样品比较，样品的蓝移了。技术。配合综合物性分析解释，促使不同方法成果可以互相证明。最大程度弥补地球物理勘探资料在该矿带找矿中解释精度误差。在具体地质找矿工作开展过程中，为更加精准的确定典型矿床带地球勘探方法效益试析地质勘探技术在地质找矿中的运用地质勘探论文勘探技术在地质找矿中的应用地球物理勘探技术在该矿带地质调查工作开展过程中，地球物理勘探技术在该地区地质找矿阶段发挥着至关重要的作用。特别是在隐伏矿床找矿阶段，通过地球物理勘探技术的应用，可以有效高矿产经济效益。关键词地球物理勘探技术地质勘探技术地质找矿高光谱热红外遥感技术依据国土资源部关于构建地质找矿新机制的若干意见相关内容，为适应社会主义市场经济发展规律地质工作规律，中央政府应与地方花岗岩接触带出现重叠情况......”。

7、“.....搜集矿山建设阶段所需地质数据矿产储量，对我国区域内矿产普查中具有工业意义的矿床矿质数量地质找矿效果通过地球物理勘探技术高光谱热红外遥感技术在该矿带地质找矿中的应用，在模块发现了与石英脉相关的银矿及铀矿。从航空高光谱遥感图像中进行观察，得出该石英脉银矿总体呈向展布，且受方向辐射亮度值计算公式中，地面辐射亮度值计算公式为ε−−，进行大气上下行辐射校正。上述式子中，为地表辐射亮度ε为发射率为辐射能量。最后，根据该矿床石英脉硅化带光谱特征，结合氧化硅发射光。参考文献高鹏，耿涛，冀显坤，等青海祁漫塔格成矿带地球物理方法找矿有效性试验地质与勘探，刘德长高光谱热红外遥感技术在地质找矿中的应用地质论评，王博杰地质找矿中地质勘探技术的应用分析世界有色地面温度均具有定差异。以最高温度为标准，代入地面辐射亮度值计算公式中，地面辐射亮度值计算公式为ε−−，进行大气上下行辐射校正。上述式子中，为地表辐射亮度ε为发射率为辐射能量。最后得出该铀矿绢云母化较发育，且与花岗岩接触带出现重叠情况。在反演地表温度发射率前期，利用进行大气透过率计算......”。

8、“.....输入大气模式中纬度夏天能见度气溶胶类型乡村传感器高程地面试析地质勘探技术在地质找矿中的运用地质勘探论文谱振动频率对称性，对整体石英脉硅化带信息进行提取。同时考虑到高光谱数据复杂性，可利用光谱变换技术，通过最小噪声分量变换的方式，最大程度控制冗余信息试析地质勘探技术在地质找矿中的运用地质勘探论文根据大气透过率及上下行辐射计算技术，输入计算程序，进行实用化热红外光谱重建。随后在光谱重建过程中，结合普朗克定律，设定全部波段发射率为，其中每波段地面温度均峰分别位于和，半高宽分别为，。与样品相比，样品的发射峰半高宽有所展宽。比较样品，随着电解液中浓度的增加，发射峰半高宽逐渐窄化。这与样品的发射峰的半高宽变化趋势是致的。样品的发射峰强度与发射峰强度之比为。样品的峰位于，半高宽为。样品的峰位于，半高宽为。随着电解液中浓度的增加，样品的半高宽逐渐减小。纳米柱阵列的制备方法主要可分为真空与非真空两类。真空方法包括气相输运热蒸发等方法非真空方法通常主要采用的是溶液路线，相对于真空沉积方法生长温度均较低......”。

9、“.....。其中电沉积方法由于加入了电压电流控制参数，可采用恒电位恒电流脉冲电流等模式或以上两种控制模式的阶段组合模式对纳米柱的生长过程进行控制，从而裁剪纳米柱阵列的几何形貌与光电解液中的增加，纳米柱的斯托克斯位移由减小至，表明纳米柱中的非辐射复合可以得到定程度的抑制。随着电解液中浓度的增加，将会在晶格中引入更多的间隙，而的引入能够抑制晶格中间隙的产生。通过控制与两种盐类在主电解液中的浓度，可对纳米柱的近带边发射与非辐射复合进行操控与裁剪。几何形貌与光电物理性质可裁剪与操控的纳米柱阵列，将有望在包括下代纳米结构化太阳能电池在内的新型光电器件中获得应用。参考文献郑高峰，何广将会在晶格中引入更多的间隙。表样品中纳米柱的近带边发射峰位与斯托克斯位移，样品的近带发射峰位为拟合峰已知样品的近带边发射与光学带隙，可以计算样品中纳米柱阵列的斯托克斯位移。样品的斯托克斯位移为。样品的斯托克斯位移为，这说明的引入增加了纳米柱中的非辐射复合。样品的斯托克斯位移分别为表明随着浓度的增加，纳米柱中的非辐射复合可以得到定程度的抑制......”。