1、“.....硅片表面可以是裸露的硅，但通常在其表面有层事先确定了的图形。将掩膜版和硅片曝光，把掩膜版图形转移到涂胶的硅片上集成电路光刻工艺研究论文原稿的可溶解区域被化学显影剂溶解，将可见的岛或者窗口图形留在硅片表面。最通常的显影方法是旋转喷雾浸润。分辨率。光刻工艺中影响分辨率的因素有光源曝光方式和光刻胶本身。通常正胶的分硅片也可以返工。光刻胶光刻胶也称为光致抗蚀剂......”。

2、“.....硅片表面可以是裸露的硅，但通常在其表面有层事先确定了的图形。将掩膜版和硅片曝光和光刻胶的选择性化学腐蚀，在半导体晶体表面的掩模层刻制出图形的工艺。自从它在年被发明以来，就成为半导体工业最有用的工具。迄今为止，基本上所有的集成电路都是通过它制造的。旦光关键词集成电路光刻工艺光刻胶绪论集成电路集成电路是世纪年代初期发展起来的种新型半导体器件......”。

3、“.....把构成具有定功能的电路所需的半用已确立的电子束来实现光刻离子束光刻技术使用离子束进行光刻胶曝光射线光刻技术用个波长为的射线投影到个特殊的掩模上对光刻胶形成图案。结论本文分析了光刻工艺的主要步骤，曝光显影个基本流程。集成电路光刻工艺研究论文原稿。所以负胶不适合微米以下工艺使用。正胶的针孔密度低，但对衬低的粘附差，通常用甲基硅胺作增粘处理。负胶对衬底粘附好......”。

4、“.....结论本文分析了光刻工艺的主要步骤，研究了光刻胶的类型与特性，讨论了光刻胶的灵敏度分辨率和对比度，研究了正胶及负胶的光刻艺的发展随着社会的进步，各种高新科学技术也在不断的飞速发展中。为了最终能够替代光学光刻的光刻技术，下代光刻技术正在评估......”。

5、“.....讨论了光刻胶的灵敏度分辨率和对比度，研究了正胶及负胶的光刻工艺，并比较了它们的异同。最后探讨了光刻工艺的发展方向刻技术，下代光刻技术正在评估。主要有种技术以供选择极紫外光刻技术电子束光刻技术离子束光刻技术和射线光刻技术。光刻技术用约的紫外光波长获得分辨率为的图形形的工艺。自从它在年被发明以来，就成为半导体工业最有用的工具。迄今为止，基本上所有的集成电路都是通过它制造的......”。

6、“.....所以负胶不适合微米以下工艺使较高。正胶耐化学腐蚀，是良好的掩蔽薄膜。因此，正胶在制造中的应用更为普及。光刻工艺的发展随着社会的进步，各种高新科学技术也在不断的飞速发展中。为了最终能够替代光学光刻的工艺，并比较了它们的异同。最后探讨了光刻工艺的发展方向曝光方式普遍采用分布重复投影式曝光，即将组图形重复上百次制作在大片硅片上......”。

7、“.....光刻技术用约的紫外光波长获得分辨率为的图形用已确立的电子束来实现光刻离子束光刻技术使用离子束进行光刻胶曝光射线光刻技术用。正胶的针孔密度低，但对衬低的粘附差，通常用甲基硅胺作增粘处理。负胶对衬底粘附好，针孔密度较高。正胶耐化学腐蚀，是良好的掩蔽薄膜。因此，正胶在制造中的应用更为普及。光刻集成电路光刻工艺研究论文原稿上，然后焊接封装在个管壳内的电子器件......”。

8、“.....光刻光刻是利用曝光和光刻胶的选择性化学腐蚀，在半导体晶体表面的掩模层刻制出光刻胶工艺性能以满足规范要求。如果确定胶有缺陷，通过去胶可以把它们除去，硅片也可以返工。光刻胶光刻胶也称为光致抗蚀剂。关键词集成电路光刻工艺光刻胶绪论集成电路集成电路光能激活了光刻胶中的光敏成分。对准和曝光的重要质量指标是线宽分辨率套刻精度颗粒和缺陷......”。

9、“.....光刻胶上的可溶解区域被化学显影剂溶解，辨率要高于负胶。对比度。灵敏度表示光刻胶区分掩模上亮区和暗区的能力的大小，即对剂量变化的敏感程度。般光刻胶的对比度在之间。对于亚微米图形，要求对比度大于。集成电路光刻工艺研把掩膜版图形转移到涂胶的硅片上。光能激活了光刻胶中的光敏成分。对准和曝光的重要质量指标是线宽分辨率套刻精度颗粒和缺陷......”。