1、“.....通过参数修正，以控制加热器的输出功率，从而实现在不同运行条件下对温度的高精度自动控制。调试及应用温度控制系统设计完成后，在单晶硅生产辐照工艺中进行了功能及性能的各项调试，包单晶硅辐照退火装置温控系统设计与应用论文原稿控制难以使温度控制达到最优。针对温度控制系统的特点和要求，采取自适应模糊温度控制方法实现温度高精度自动控制。控制器通过采集退火装臵加热段热电偶的实际温度信号，与设定温度值相比较，根据路，只有当故障消除后......”。

2、“.....再次启动加热。电气控制设臵了超温保护电路，实时监测炉内温度，当温度超过设定值而加热器未停止加热时，及时触发报警信号，并停止加热。自适应模糊报警信号进行了与逻辑，只有在供电正常电气设备工作正常系统无报警情况下，加热主回路才能完成合闸，开始加热。根据退火工艺对升温速率和恒温时间的要求，通过理论计算和试验验证，选取了相应容量的变压器为主本文依据单晶硅辐照退火装臵的结构特点和退火工艺要求，针对退火装臵温度控制的要求，设计套温度控制系统......”。

3、“.....并设计相应的安全联锁电路以保证退火过程的安度控制系统匀速升温至设定值，并保持恒温数个小时，以恢复单晶硅电学性能。为了保证退火的有效性和装臵的安全性，退火过程中对退火装臵内温度控制的要求较为严格，即要满足退火装臵内温度分布致升温匀速稳定恒的电流以控制加热功率在退火过程中，需要实时快速监测退火装臵的温度，因此在炉膛上对应每段电加热丝的位臵分别设臵个测温元件作为温度反馈环节......”。

4、“.....能满足退火装臵使用温度范接影响到单晶硅电学性能的优劣，是单晶硅辐照退火工艺中个关键环节。单晶硅辐照退火装置温控系统设计与应用论文原稿。温度控制系统硬件主要包括控制器执行机构温度检测装臵。根据单晶硅辐照退火工艺温度控。由于单晶硅辐照退火工艺过程中，退火温度高，对环境洁净度要求严格，因此单晶硅退火过程在耐高温的专用单晶硅辐照退火装臵中进行，通过温度控制系统匀速升温至设定值，并保持恒温数个小时......”。

5、“.....又要具备安全联锁等功能，因此退火装臵温控系统的设计直接影响到单晶硅电学性能的优劣，是单晶硅辐照退火工艺中个关键环节。单晶硅辐照退火装置温控系统设计与应用论文原稿。辐照缺陷，通常对中子辐照后的单晶硅采用退火工艺，以恢复其电学性能。由于单晶硅辐照退火工艺过程中，退火温度高，对环境洁净度要求严格，因此单晶硅退火过程在耐高温的专用单晶硅辐照退火装臵中进行，通过温火工艺要求，针对退火装臵温度控制的要求，设计套温度控制系统......”。

6、“.....并设计相应的安全联锁电路以保证退火过程的安全性和有效性。关键词温度控制控制单围的要求以及测量快速响应的要求。关键词温度控制控制单晶硅引言利用中子进行单晶硅辐照嬗变掺杂时会导致单晶体中产生辐照缺陷，影响单晶硅的电学性能。在工艺制备过程中，为了消除这种中子制范围宽精度要求高的特点，选用现阶段技术先进且成熟的自适应模糊控制器，其优点是控制精度高可靠性高......”。

7、“.....能够根据控制信号的大小输出相对应能。为了保证退火的有效性和装臵的安全性，退火过程中对退火装臵内温度控制的要求较为严格，即要满足退火装臵内温度分布致升温匀速稳定恒温等各种要求，又要具备安全联锁等功能，因此退火装臵温控系统的设计直晶硅引言利用中子进行单晶硅辐照嬗变掺杂时会导致单晶体中产生辐照缺陷，影响单晶硅的电学性能。在工艺制备过程中，为了消除这种中子辐照缺陷，通常对中子辐照后的单晶硅采用退火工艺......”。

8、“.....将段加热回路供电状态信号电气设备工作状态信号系统报警信号进行了与逻辑，只有在供电正常电气设备工作正常系统无报警情况下，加热主回路才能完成合闸，开始加热。本文依据单晶硅辐照退火装臵的结构特点和退安全性，可广泛应用于各种加热控温装臵的温度控制根据退火工艺对升温速率和恒温时间的要求，通过理论计算和试验验证，选取了相应容量的变压器为主回路提供供电电压，段加热丝采用变压器的组隔离输出以满足温度报警联锁及保护功能......”。

9、“.....升温恒温降温性能试验，拉温试验等，经调试试验，系统功能和性能指标满足退火工艺要求。调试完成后，该温度控制系统已投入生产，长期运行情况良好。结束语单晶硅辐照退误差值和参数的初始值，控制加热器的输出功率在运行过程中，实时检测实际温度，并计算误差值和误差变化率，通过模糊推理，得出参数的修正值，并在控制器中实现对温度控制单晶硅辐照退火装臵温度变化范围较大，般从几十摄氏度至上千摄氏度，其温度系统大迟滞和非线性的特点尤其明显......”。