1、“.....但在等高端机台使用时出现的溅射速率不均匀是不能接受的。对于这种高性能靶材，有研究用大规格钽锭先经过快锻机旋转式锻压，然后两次热锻，每道工序之间都要进行中间热处理，最后可获得组织接近均匀的坯料金属，尚再艳，江轩，李勇军等集成电路制造用溅射靶材稀有金属，潘伦桃，李彬，郑愛国等钽在集成电路中的应用稀有金属，殷为宏，汤慧萍难熔金属材料与工程应用冶金工业出版社，宜楠，权振兴，赵鸿磊等集成电路用钽溅射靶材制备工艺研究材料开发与应用，仙田真郎，福岛笃志钽溅射靶及其制造方法中国，张志清，张静，刘施峰组织均匀钽溅射靶材的制备现状论文原稿了较小晶粒尺寸，且致密性和织构分布均匀性较高的靶材。结论与展望本文主要对粉末冶金法和熔炼铸锭法制备钽靶进行讨论......”。

2、“.....具有潜在优势。但目前仍未被广泛使用于市场，或许还存在些技术瓶颈，如钽粉原料气体杂质含量控制，如半导体用溅射靶材，其中氧含量需要低替铝成为硅片上金属化布线材料，与之匹配的溅射阻挡层的高纯钽靶材应用愈来愈广泛，主要是因为金属钽具有高导电性高热稳定性和对外来原子的阻挡作用。现有技术中钽靶材主要是采用热轧或冷锻工艺获得，所得靶材厚度方向的织构组分不均匀，主要表现在靶材的厚度方向，上下两个层面织构占优，中间以织构占优，这类靶材在使用要求低的机台件致，故组织均匀，远优于熔炼组织。后期压力加工，目的仅是为了成型，只有轧制个压力加工工序，对织构影响不大，因此，可制得种织构组分均匀致，不出现织构占强的钽靶材。然而，目前的气体杂质含量控制还是难点。组织均匀钽溅射靶材的制备现状论文原稿......”。

3、“.....利用液体介质不可压缩的性质和均匀传递压力的性质从各个方向对试样均匀加压，使得钽粉在各个方向的受力均匀，从而保证得到钽坯内部组织织构的致性。然后将坯料进行真空烧结，通过对真空度温度与时间的限定，使得钽坯中的杂质得以最大量的挥发，原始气孔消失，得到更致密纯度更高的坯料，相对密文原稿。原料选取方面，由于般钽粉氧含量较高，超过，真空烧结去氧的能力又有限，所以这种方法的关键在于选择高纯超细粉末作为原料和能够快速致密化的成型烧结技术，以保证靶材的低孔隙率，并且制备过程严格控制杂质元素的引入。有研究提出，通过将金属粉末表面氮化的方法，可以获得氧含量在以下，氮含量在以下的后装入模具，再经冷压成型和热等静压成型或其它烧结等方法，可获得纯度为以上平均晶粒尺寸小于，甚至......”。

4、“.....例如文献指出粉冶法制备的钽靶，其晶粒尺寸小于且组织致密的，其中织构为，织构为，织构为，种织构组分较致，不出现织构占强的现象，满足溅射要求。般来说，熔炼锭晶粒粗大很小，使得坯料的晶粒尺寸远小于熔炼铸锭晶粒尺寸，可保证晶粒尺寸小于。同时，粉冶法制备的坯料，因坯料各位臵处的成型条件致，故组织均匀，远优于熔炼组织。后期压力加工，目的仅是为了成型，只有轧制个压力加工工序，对织构影响不大，因此，可制得种织构组分均匀致，不出现织构占强的钽靶材。然而，目前的气体杂质含量控制还是布线材料，与之匹配的溅射阻挡层的高纯钽靶材应用愈来愈广泛，主要是因为金属钽具有高导电性高热稳定性和对外来原子的阻挡作用。等静压成型是将待压试样臵于高压容器中......”。

5、“.....使得钽粉在各个方向的受力均匀，从而保证得到钽坯内部组织织构的致性。然后将坯料进行组织均匀钽溅射靶材的制备现状论文原稿粉，然后装入模具，再经冷压成型和热等静压成型或其它烧结等方法，可获得纯度为以上平均晶粒尺寸小于，甚至，织构随机靶材表面和厚度方向织构均匀的钽靶。例如文献指出粉冶法制备的钽靶，其晶粒尺寸小于且组织致密的，其中织构为，织构为，织构为，种织构组分较致，不出现织构占强的现象，满足溅射要求。带状织构。这是因为电子束熔炼铸锭具有很多超大晶粒，这些超大晶粒需要大规模且昂贵的形变热处理。形变热处理在减小晶体尺寸产生的晶体学无序性以及生成显微组织的均匀性方面有限。通常，内部组织的遗传性，使得钽靶材存在着织构占强的内部组织，并且在厚度方向存在不均匀分布，影响靶材的溅射性能，......”。

6、“.....仙田真郎，福岛笃志钽溅射靶及其制造方法中国，张志清，张静，刘施峰等种高纯钽溅射靶材的加工工艺中国，杰普森，乌伦胡特，库马尔组织均匀的高熔点金属板及其制造方法中国，。关键词钽溅射靶材熔炼铸锭法粉末冶金法组织引言溅射是制备薄膜材料的主要方式，其原理是离经过热锻和再结晶退火后，可以得到以下的晶粒。如文献提到，将纯度为以上高为直径为晶粒尺寸为左右的电子束熔炼锭坯料，经反复锻造轧制再结晶退火等，可获得平均晶粒尺寸在以下晶粒直径偏差为以下且组织均匀镀膜均匀性较好的钽溅射靶。但是仍存在靶材晶粒尺寸和晶粒织构取向均匀性较难控制的缺点，易产生点。原料选取方面，由于般钽粉氧含量较高，超过，真空烧结去氧的能力又有限，所以这种方法的关键在于选择高纯超细粉末作为原料和能够快速致密化的成型烧结技术，以保证靶材的低孔隙率......”。

7、“.....有研究提出，通过将金属粉末表面氮化的方法，可以获得氧含量在以下，氮含量在以下的钽粉，空烧结，通过对真空度温度与时间的限定，使得钽坯中的杂质得以最大量的挥发，原始气孔消失，得到更致密纯度更高的坯料，相对密度可达。粉末冶金法这种独有的特点，将粉末通过机械外力压制成块，然后通过烧结，使压制粉末颗粒间的机械结合变成金属键结合，变成块金属原料，在此过程中，因原粉末颗粒粒径很小以及烧结过程中晶粒长大程度子源产生的离子，在真空中经过加速聚集，形成具有高能的离子束流，轰击到固体表面，离子和固体表面原子发生动能交换，使固体表面的原子被轰击，从而离开固体并沉积在基底表面，被轰击的固体是用溅射法沉积薄膜的原材料，称为溅射靶材。随着集成电路的高度规模化且集成化程度越来越高，在深亚微米工艺中......”。

8、“.....但仍有很大的改进空间。参考文献郑金凤，扈百直，杨国启等高纯钽溅射靶材制备工艺进展湖南有色金属，尚再艳，江轩，李勇军等集成电路制造用溅射靶材稀有金属，潘伦桃，李彬，郑愛国等钽在集成电路中的应用稀有金属，殷为宏，汤慧萍难熔金属材料与工程应用冶金工业出版社，宜楠，权振兴，赵鸿磊等集成电路。轧制可采用交叉轧制，每次轧制方向顺时针旋转，交叉轧制保证了材料各个方向具有均匀的结构性能和微观组织，进而得到了较小晶粒尺寸，且致密性和织构分布均匀性较高的靶材。结论与展望本文主要对粉末冶金法和熔炼铸锭法制备钽靶进行讨论，可以看出粉末冶金法虽然可获得晶粒更细晶体学取向更均匀无带状组织的靶材，具有潜在优势。但种高纯钽溅射靶材的加工工艺中国，杰普森，乌伦胡特......”。

9、“.....。高纯钽溅射靶材的制备工艺目前，溅射钽靶的制备方法主要有两种，分别为粉末冶金加工法和熔炼铸锭加工法。组织均匀钽溅射靶材的制备现状论文原稿。现有技术中钽靶材主要是采用热轧或冷锻工艺获得，所得靶材厚度方，因此，烧结工艺仍是未来研究的热点。熔炼铸锭法可获得高纯度的钽靶，但是易织构占优的组织。锻造及轧制压力加工工序采取定的措施可获得均匀的织构分布，如采用旋转式锻造压扁多次镦拔式开坯交叉轧制等，可使得织构接近随机分布，但仍有很大的改进空间。参考文献郑金凤，扈百直，杨国启等高纯钽溅射靶材制备工艺进展湖南有色以使用，但在等高端机台使用时出现的溅射速率不均匀是不能接受的。对于这种高性能靶材，有研究用大规格钽锭先经过快锻机旋转式锻压，然后两次热锻，每道工序之间都要进行中间热处理......”。