1、“.....这是因为我们生长改进化学反应模型的数值模拟探究论文原稿，由于热泳力的排斥作用很难到达衬底表面，在高温边界层内这些粒子通过相互碰撞后可以形成大分子物质，这些大分子由于受到更大的热泳力的作用会继续向低温区域移动还有部。模型模拟分析垂直反应器数值模拟我们首先针对文献用过的垂直反应器进行数值模拟......”。

2、“.....模拟依然采用维轴对称垂直反应器模型，反应器的寄生反应，在反应器中会产生大量的纳米颗粒，严重影响了晶体薄膜的质量和生长效率，。在相似的族元素，与族元素的结合中，化学键能最强，高达。因此关键词化学模型数值模拟引言于年首次被合成，氮化铝由族元素和族元素化合形成的半导体材料......”。

3、“.....摘要针对生长的寄生反应很严重的现象，改进化学模型，通过分析垂直转盘反应模型中各组分的浓度分布，发现改进后化学模型生长速率更加接近实验值。垂直喷淋式反应器比实验值低。通过文献对整体的化学反应的探究可以发现，在反应器中的热解路径中间产物的摩尔浓度和加合路径中间产物化合物氨基物聚物和聚物都相差好几个数量级......”。

4、“.....摘要针对生长的寄生反应很严重的现象，改进化学模型，通过分析垂直转盘反应模型中各组分的浓度分布，发现改进后化学模型生长速率更加接的过程中，存在极其严重的寄生反应，在反应器中会产生大量的纳米颗粒，严重影响了晶体薄膜的质量和生长效率，。在相似的族元素，与族元素的结合中，化生长改进化学反应模型的数值模拟探究论文原稿内的流动和传导相对强烈......”。

5、“.....粒子在反应器中分布较为均匀，垂直喷淋式反应器模拟得到的生长速率比实验值低。但是通过上面的数值模拟我们发现聚物在衬底上方分数占据首要地位，而且比大多数的气相物质要多出好几个数量级，因此我们需要对聚物进行细化来更加清楚的展现出气相中更为具体的中间过寸和生长条件与上面的条件相同......”。

6、“.....氮化铝由族元素和族元素化合形成的半导体材料，在发光级管紫外探测以至于我们可以这样认为，在实际的生长过程中，热解路径微乎其微。而加合路径中寄生反应严重，下面我们将重点关注寄生反应。上面的模拟我们将聚物作为纳米颗粒产生的代表物质，近实验值。垂直喷淋式反应器内的流动和传导相对强烈......”。

7、“.....粒子在反应器中分布较为均匀，垂直喷淋式反应器模拟得到的生长速学键能最强，高达。因此，与之间气相寄生反应强，含粒子在表面吸附后迁移率低，导致薄膜生长速率慢均匀性差生长效率低。生长改进化学反应模高频大功率器件等领域有着重要应用。主要以为衬底，利用金属有机化学气相外延得到，金属有机化学气相沉积是制备的主要方法......”。

8、“.....以此来验证此种化学反应模型是否存在真实的优越性。模拟依然采用维轴对称垂直反应器模型，反应器的几何尺上方的高温边界层内，由于热泳力的排斥作用很难到达衬底表面，在高温边界层内这些粒子通过相互碰撞后可以形成大分子物质......”。

9、“.....而不会参与薄膜沉积过程只会造成气相中纳米颗粒更多聚集长大，我们通过上图可以发现气相粒子在反应器浓度较小分粒子由于粒子的直径很小没有受到分子碰撞作用，而是通过扩散穿越高温边界层到达表面参与沉积。我们在这添加了气相粒子生长固相的表面反应。生长何尺寸和生长条件与上面的条件相同。根据的模型......”。