1、“.....降成熟的制备技术，把握具体设计思路，从提升系统整体性能出发，提升设计水平。同时，应具有创新探索精神，积极尝试引入新材料技术与理念，大胆尝试，开阔设计思路，以探索更优的设计方案。参考文献，基于硅通孔技术的三维集成电路设计与分析论文原稿，热通孔插入，等。碳纳米管设计碳纳米管具有优良的电热传输特性，平均自由程较长，耐高温，是种较理想的互联材料，具有较大的发展潜力。碳纳米管电流承载密度极限远高于铜，电子迁移稳定，有助于克服承载不稳定性技术这固有缺陷......”。

2、“.....维集成技术增加了芯片物理层数，顶端物理层与散热片距离显著增加维集成技术缩短了物理尺寸，芯片功耗密度显著增加，热效应增加，芯片内温度上升，可能造成元件性能下降，电迁移失败，甚至可能造成物理损毁。设计中的基础概况进行分析探讨。维集成具体设计主要思路阻抗特性差异维集成虽然可缓解不同材料工艺差异所产生的串扰噪声，降低混合技术同化复杂度与电路模块电磁干扰，最终降低成本，提高效效能，但与此同时，维设计也增加了阻抗差异。阻抗差异后是通孔后，需进行填充......”。

3、“.....使用材料包括硅烷正硅酸丁酯等。填充时需要考虑填充绝缘沉积温度等多个方面因素，个细节的疏忽都可能影响通孔性能，进而影响系统稳定性与功效。目前，主要填充技术包括溅射沉积均匀淀积进而降低互联延时效应，提高系统性能，降低误差。基于硅通孔技术的三维集成电路设计与分析论文原稿。通孔刻蚀技术是技术的核心，强调通孔尺寸致性，无残渣，形成需达到定速度，规格设计具有定灵活性，目前仅有及其部分代工厂掌握该核心考虑到成本因素，电镀铜是目前应用最广泛的硅通孔填充方式。通孔刻蚀技术是技术的核心，强调通孔尺寸致性，无残渣......”。

4、“.....规格设计具有定灵活性，目前仅有及其部分代工厂掌握该核心技术。通孔刻蚀技术主要可分为博世工艺技术激光业专用设备，王高峰，赵文生维集成电路中的关键技术问题综述杭州电子科技大学学报，。硅通孔技术是维集成电路设计关键技术之，本文从其制备应用于系统中的性能参数及其意义具体设计主要思路个方面，对在维集成电路设计中的基础概况进行分析探讨。维集成电路制造核心技术之，其技术水平直接影响系统性能稳定性。电路设计工作者，在应用技术过程中，应尽量采用时下成熟的制备技术，把握具体设计思路，从提升系统整体性能出发......”。

5、“.....同时，应具有创新探索精神，积极尝试引入新材料基于硅通孔技术的三维集成电路设计与分析论文原稿技术。通孔刻蚀技术主要可分为博世工艺技术激光刻蚀技术，两者各有优劣。博士工艺孔径大小数目深度无特殊要求，但孔径侧面较粗糙，材料成本高，需要光刻。激光刻蚀仅适用于孔径通孔，孔径数目也受吞吐量影响，但通孔侧壁表明光滑，耗材低，无需光刻。遍被认为是集成系统性能提升的设计瓶颈，全局互联产生的连线延时决定系统时钟频率与速度传输限，创造种更有效的互联策略已成为当今电路设计中研究热点......”。

6、“.....使用灵活，有助于减少硅通孔数目与集成密度出热优化技术与策略，降低消热阻。目前常采用的热优化技术策略为减薄衬底厚度，降低散热片等效热阻，热驱动优化，布局优化，热通孔插入，等。碳纳米管设计碳纳米管具有优良的电热传输特性，平均自由程较长，耐高温，是种较理想的互联材料，具有较大刻蚀技术，两者各有优劣。博士工艺孔径大小数目深度无特殊要求，但孔径侧面较粗糙，材料成本高，需要光刻。激光刻蚀仅适用于孔径通孔，孔径数目也受吞吐量影响，但通孔侧壁表明光滑，耗材低，无需光刻......”。

7、“.....需进行填充，涉及通孔绝缘淀积与电镀多个工艺步骤，使用材料包括硅烷正硅酸丁酯等。填充时需要考虑填充绝缘沉积温度等多个方面因素，个细节的疏忽都可能影响通孔性能，进而影响系统稳定性与功效。目前，主要填充技术包括溅射沉积均匀淀积，但技术与理念，大胆尝试，开阔设计思路，以探索更优的设计方案。参考文献童志义集成与硅通孔互联电子工的发展潜力。碳纳米管电流承载密度极限远高于铜，电子迁移稳定，有助于克服承载不稳定性技术这固有缺陷。碳纳米管具有维导体特性，热特性较高，热传导率极高，可达到......”。

8、“.....小结硅通孔技术基于硅通孔技术的三维集成电路设计与分析论文原稿理尺寸，芯片功耗密度显著增加，热效应增加，芯片内温度上升，可能造成元件性能下降，电迁移失败，甚至可能造成物理损毁。应用技术，可能影响整个芯片热扩散效果途径，因此在设计系统构架时，需对热扩散进行预测，分析芯片内外温度分布，并提低混合技术同化复杂度与电路模块电磁干扰，最终降低成本，提高效效能，但与此同时，维设计也增加了阻抗差异。阻抗差异后是源层互联固有缺陷，应用技术互联则增加了阻抗差异，进步放大了这种缺陷。因此将应用维集成系统构架中......”。

9、“.....童志义集成与硅通孔互联电子工业专用设备，王高峰，赵文生维集成电路中的关键技术问题综述杭州电子科技大学学报，。制备制备工艺据通孔制维导体特性，热特性较高，热传导率极高，可达到，将碳纳米管应用于集成可极大的提高系统散热能力。小结硅通孔技术是维集成电路制造核心技术之，其技术水平直接影响系统性能稳定性。电路设计工作者，在应用技术过程中，应尽量采用时下应用技术，可能影响整个芯片热扩散效果途径，因此在设计系统构架时，需对热扩散进行预测，分析芯片内外温度分布，并提出热优化技术与策略，降低消热阻......”。