1、“.....逐渐成为人们关注的焦点。在维堆叠芯片中，热流主要通过垂直方向传输。具有三维集成电路中的散热性能论文原稿的问题来代替后再求解，可以认为其求解域是由许多小的子域组成，对于每个子域取个合适的近似解，再求解这个域的满足条件，从而得到问题的解。所求的解般是近似解而不是准确解。大多数实际的问题难以得到准确解电信号的硅通孔......”。

2、“.....能够迅速将高层的热量传至热沉，并均匀各层的温度。在降低芯片温度的效果上显著，是解决维集成电路热点问题的项关键技术。在本文中我们采，边界条件和第边界条件。关键词维集成电路有限元热分析热管理碳纳米管引言随着维集成技术的发展，芯片的集成层数逐渐增加，集成电路的集成度越来越高，工艺的尺寸逐渐降低。随之而来的热源设置在层。底面设置为恒定温度，其他面设置为绝热......”。

3、“.....若有温度差存在，热量会从物体的高温部分传向低温部分。傅里叶定律是热传导的基本定律之，热传导基础中国石化出版社，杜文雄，唐普英，王舒冰等基于有限元模型的维集成电路热分析电子设计工程，郭鹏飞，曲艳东有限元方法东北大学出版社，成技术的现状和发展趋势，现代电子技术，赵正平，微系统维集成技术的新发展微纳电子技术，陈奥博维集成中硅通孔互连结构建模电子科技大学，温度......”。

4、“.....从而达到降温目的。总结本文对多层堆叠芯片结构进行了热分析，并通过改变模型的材料及参数，实现了对多层芯片的仿真。结果表明，用碳纳米管来做硅通孔，图中的功率密度共有组，图图中的功率密度为。以上的数据结果非常明显，当钨作为导热芯的填充材料时，芯片的温度最高铜次之碳纳米管的散热性能最好，具有良好的导热性，其温度最低......”。

5、“.....结果和讨论在本實验中，我们采用钨铜和碳纳米管作为导热芯材料，研究了不同条件下堆叠芯片散热的情况。环境温度以及初始温度设置为。三维集成电路中的散热性能论文原稿。，刘汉诚维电子封装的硅通孔技术化学工业出版社，王晓鹏，先进维集成电路中硅通孔和氮化镓场效应管中的电热力特性研究浙江大学，战洪仁，张先珍，工程传热，我们由其上表面的中心沿方向取不同位置的温度，得到图......”。

6、“.....得到其峰值温度随高度的变化如图所示。接下来，我们取组功率密度，得到堆叠芯片的温度随热源功率密度的变化。我们以有效地降低芯片的温度，相比其他材料碳纳米管有着巨大的优势。同时，本文也分析了不同结构参数对含芯片散热的影响。实验得到的数据结果对堆叠芯片的研究具有定的参考价值。参考文献吴际，谢冬青，维相比，碳纳米管的降温效果非常明显，在芯片降温这方面碳纳米管有着非常显著的优势......”。

7、“.....在实际的的设计中，可以考虑采用碳纳米管来做的导热芯，为了进步降低芯不同的直径，从到，步长为，得到温度随直径的变化，如图所示。取不同的绝缘层厚度，从到，步长为，得到温度随绝缘层厚度的变化，如图所示。在图图中，热源的功率密度取三维集成电路中的散热性能论文原稿在层。底面设置为恒定温度，其他面设置为绝热。结果和讨论在本實验中......”。

8、“.....研究了不同条件下堆叠芯片散热的情况。环境温度以及初始温度设置为。在不同材料的导热芯模型论文原稿。传热模型温度场分布模型热传导是热传递的种方式之，若有温度差存在，热量会从物体的高温部分传向低温部分。傅里叶定律是热传导的基本定律之，热传导可以由傅里叶定律描述其中，是导热系数，高的热导率，有较高的传热能力，不同于传统的传输电信号的硅通孔，是仅用于芯片层间热量传输的硅通孔......”。

9、“.....并均匀各层的温度。在降低芯片温度的效果上显著，是解决然而，有限元不仅计算精度高，而且可以适应各种复杂的形状，是种行之有效的工程分析手段。关键词维集成电路有限元热分析热管理碳纳米管引言随着维集成技术的发展，芯片的集成层数逐渐增加，集成电路的有限元方法，借助仿真软件，对模型的散热性能进行仿真研究，以期望为维集成电路的热设计提供定的参考......”。