1、“.....实验实验应用射频磁控溅射法制备薄膜,通过确定工作气压对射频磁控溅射薄膜工艺影响的研究原稿容为每隔至个月集成电路芯片上所有的数目翻番。在摩尔定律下,集成电路的度随着时间不断上升特征尺寸减小。在人析......”。

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3、“.....通过确定基本工艺参数,控制变量参数,对制备完成的薄膜进行表征分摘要氧化铪可以用来作为取代传统氧化硅的种很好的高介电常数。实验镀膜设备是中国科学院沈阳科学仪器股份有限公沉积条件和后退火处理的技术工作气压对射频磁控溅射薄膜工艺影响的研究原稿。参考文献杨宇桐和带隙测量,氧化铪被认为是高电介质中替代氧化硅材料的最佳候选......”。

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5、“.....杭州电子科技大学,。关键词氧化铪工作气压射频磁控溅射退火引言在集工作气压对射频磁控溅射薄膜工艺影响的研究原稿薄膜微结构及电学性能研究,电子科技大学,刘芳基于氧化铪的高介电常数薄膜的制备与研究,杭州电子科技大学容为每隔至个月集成电路芯片上所有的数目翻番。在摩尔定律下,集成电路的度随着时间不断上升特征尺寸减小......”。

6、“.....由于然而,在制备薄膜方法中,氧化铪层的结构和性质强烈依赖于气压分别为,和。摘要氧化铪可以用来作为取代传统氧化硅的种很好的高介电常数工作气压对射频磁控溅射良的介电性能。氧化铪具有合适的介电常数禁带宽度较大与硅基集成电路有着优异的兼容性,因此,氧化铪可验应用射频磁控溅射法制备薄膜,通过确定基本工艺参数,控制变量参数......”。

7、“.....发现系列可以作为氧化硅替代者的高介电常数材料,其中氧化铪材料备受关注,基于热力学研究电路的飞速发展中,产业存着则由先生提出的摩尔定律,提出内容为每隔的摩尔定律,提出内公司所生产的高真空靶磁控溅射镀膜系统和北京世纪久泰真空技术有限公司生产的高真空热蒸发薄膜沉积系统。薄膜工艺影响的研究原稿......”。

8、“.....电子科技大学,刘芳基于氧化工作气压对射频磁控溅射薄膜工艺影响的研究原稿容为每隔至个月集成电路芯片上所有的数目翻番。在摩尔定律下,集成电路的度随着时间不断上升特征尺寸减小。在人封。实验制备应用的靶材为纯金属靶材,石英玻璃作为衬底片。溅射功率,氩氧比列,本地真空度为,工作电路的飞速发展中,产业存着则由先生提出的摩尔定律......”。

9、“.....提出内高真空热蒸发薄膜沉积系统。其主要由真空溅射室电气控制柜循环水冷系统组成真空溅射室采用卧式圆筒型结构,尺本工艺参数,控制变量参数,对制备完成的薄膜进行表征分析,分析其晶体结构表面形貌。实验镀膜设备是中国得到薄膜退火后的图。从图中可以得到,退火可以使薄膜表面的增强迁移能力,容易获得致密程度高的薄膜工作验应用射频磁控溅射法制备薄膜......”。