1、“.....晶体硅的禁带宽度逐渐减小至零。晶体硅的禁带宽度在无压缩应变时最大,随压缩应变的增加,晶体硅的禁带宽度逐渐减小至零。对理想状态下的原进行不同程度的拉伸和压缩操作,首先由原子原胞扩展为原子的硅晶胞,方向坐标设臵为,方向坐标设臵为,方向坐标设臵为,由这个新的坐标轴组成新的空间坐标系,使方向的拉伸和压缩操作沿着坐标轴和方向,大大方便了理想状态下原子硅晶胞结构的模拟仿真计算。由于方向恰好在硅的原子原胞的坐标轴方向上,没有必要再将硅的原子原胞扩展为原子硅晶胞,无端增加模拟仿禁带宽度,价带中的价电子吸收能量自价带跃迁至导带,成为导电电子。参与导电的载流子数目和禁带宽度还有迁移率这些都影响着个半导体的性能。而缺陷影响着其载流子数目禁带宽度迁移率等参数。因此对于半导体的性能有严重的影响。硅晶体结构是金刚石结构,硅晶体中每个原子周围都有个最邻近原子并形成共价键,当硅晶体中出现空位......”。

2、“.....每个原子都会有个未迅速下降。这种现象说明,在硅的原子原胞方向的应变超过以后,其原子结构就会遭到破坏,相应内应力就会迅速减小。所以对于硅的原子原胞在方向拉伸操作的极限应变点为。从图中可以看出,拉伸极限应变点的原胞结构有了些许变化,但是仍然保持定的理想原胞结构,方向的晶格常数缩短为,个坐标轴之间的夹角为度。当在硅的原子原胞方向压缩的应变达到时,其应力达到极大应力与本征缺陷影响硅晶体电学性质机理第性原理研究原稿,其中计算出来的禁带宽度为,此时半导体转变为金属。图含个原子晶体硅晶向在和应变下的能带图晶体硅在外加拉伸应力压缩应力作用下,会产生相应的应变。根据软件仿真的上述结果,晶体硅晶向晶向应力禁带宽度随应变的曲线如图所示图晶体硅晶向在拉伸压缩时的应力禁带宽度随应变变化曲线晶体硅在外加拉伸应力压缩应力作用下,禁带宽度会发生生相应的变化。参考,因此影响着硅的电学特性......”。

3、“.....首先由原子原胞扩展为原子的硅晶胞,方向坐标设臵为,方向坐标设臵为,方向坐标设臵为,由这个新的坐标轴组成新的空间坐标系,使方向的拉伸和压缩操作沿着坐标轴和方向,大大方便了理想状态下原子硅晶胞结构的模拟仿真计算。由于方体禁带宽度变化的规律是晶体硅的禁带宽度在无外加压缩应力时最大,随压缩应力的增加,晶体硅的禁带宽度逐渐减小至零。晶体硅的禁带宽度在无压缩应变时最大,随压缩应变的增加,晶体硅的禁带宽度逐渐减小至零。图含个原子晶体硅晶向在和应变下的能带图当晶向应变为和时,含个原子的硅晶体经过优化弛豫过程以后,软件计算出来的能带如图所示,相应的拉伸应力分别为和,个坐标轴之间的夹角分别变为和度,硅晶胞原子近似规则分布。半导体在导带和价带之间存在着禁带宽度,价带中的价电子吸收能量自价带跃迁至导带,成为导电电子......”。

4、“.....而缺陷影响着其载流子数目禁带宽度迁移率等参数。因此对于半导体的性能有严重的影响。硅晶体结构是金刚石结构,硅晶体中每个原子周大,相应的内应力迅速下降。这种现象说明,当原子硅晶胞方向的应变超过以后,硅晶胞原子结构就会遭到破坏,相应内应力会迅速减小。所以,对于原子硅晶胞原子结构在方向的拉伸操作的极限应变点为。从图可以看出,拉伸极限应变点的晶胞结构有了些许的改变,但是仍然保持定的理想晶胞结构,轴分别缩短为和,个坐标轴之间的夹角分别变为和度,硅原子近似规则分布。当在都有个最邻近原子并形成共价键,当硅晶体中出现空位,则空位和个邻近原子共价,每个原子都会有个未共价的电子,形成了不饱和的共价键,这些共价键容易接受电子,所以这些空位体现为受主作用。而晶体中的间隙原子拥有个可以失去的电子或个可填充的空轨道,依据在实际应用时外界环境不同,可能表现为施主或受主型作用......”。

5、“.....来影响载流子的数根据软件仿真的结果,禁带宽度随应力的曲线如图所示图晶体硅晶向禁带宽度随拉伸应力压缩应力的变化曲线可以看出晶体硅晶向压缩导致硅晶体禁带宽度变化的规律是晶体硅的禁带宽度在无外加压缩应力时最大,随压缩应力的增加,晶体硅的禁带宽度逐渐减小至零。晶体硅的禁带宽度在无压缩应变时最大,随压缩应变的增加,晶体硅的禁带宽度逐渐减小至零。对理想状态下的原院学报,李青坤年男辽宁省博士副教授主要研究第性原理计算通讯作者李青坤年男辽宁省博士副教授主要研究第性原理计算图含个原子晶体硅晶向在和应变下的能带图当晶向应变为和时,含个原子的硅晶体经过优化弛豫过程以后,软件计算出来的能带如图所示,相应的拉伸应力分别为和,其中计算出来的禁带宽度为,此时半导体转变为金,温殿忠,赵晓峰,张振辉传感器原理及应用哈尔滨黑龙江大学出版社,熊志华,孙振辉......”。

6、“.....向恰好在硅的原子原胞的坐标轴方向上,没有必要再将硅的原子原胞扩展为原子硅晶胞,无端增加模拟仿真的计算步骤。所以对于晶体硅方向的拉伸和压缩操作只需要应用硅的原子原胞。应力与本征缺陷影响硅晶体电学性质机理第性原理研究原稿。图方向拉伸压缩极限应变点晶胞结构当在硅的原子原胞方向拉伸的应变达到时,其应力达到极大值,此后随着应变的继续增大,相应的内应都有个最邻近原子并形成共价键,当硅晶体中出现空位,则空位和个邻近原子共价,每个原子都会有个未共价的电子,形成了不饱和的共价键,这些共价键容易接受电子,所以这些空位体现为受主作用。而晶体中的间隙原子拥有个可以失去的电子或个可填充的空轨道,依据在实际应用时外界环境不同,可能表现为施主或受主型作用。因此这些缺陷会在禁带中产生相应的能级,来影响载流子的数,其中计算出来的禁带宽度为,此时半导体转变为金属......”。

7、“.....会产生相应的应变。根据软件仿真的上述结果,晶体硅晶向晶向应力禁带宽度随应变的曲线如图所示图晶体硅晶向在拉伸压缩时的应力禁带宽度随应变变化曲线晶体硅在外加拉伸应力压缩应力作用下,禁带宽度会发生生相应的变化。参考硅晶体原子结构在方向的压缩操作的极限应变点为。从图可以看出,压缩极限应变点的晶胞结构有了些许的改变,但是仍然保持定的理想晶胞结构,轴分别伸长为和,个坐标轴之间的夹角分别变为和度,硅晶胞原子近似规则分布。根据软件仿真的结果,禁带宽度随应力的曲线如图所示图晶体硅晶向禁带宽度随拉伸应力压缩应力的变化曲线可以看出晶体硅晶向压缩导致硅应力与本征缺陷影响硅晶体电学性质机理第性原理研究原稿。图含个原子晶体硅晶向在和应变下的能带图晶体硅在外加拉伸应力压缩应力作用下,会产生相应的应变。根据软件仿真的上述结果......”。

8、“.....禁带宽度会发生生相应的变化。应力与本征缺陷影响硅晶体电学性质机理第性原理研究原稿,其中计算出来的禁带宽度为,此时半导体转变为金属。图含个原子晶体硅晶向在和应变下的能带图晶体硅在外加拉伸应力压缩应力作用下,会产生相应的应变。根据软件仿真的上述结果,晶体硅晶向晶向应力禁带宽度随应变的曲线如图所示图晶体硅晶向在拉伸压缩时的应力禁带宽度随应变变化曲线晶体硅在外加拉伸应力压缩应力作用下,禁带宽度会发生生相应的变化。参考,马建立单轴应变硅能带结构及载流子迁移率研究西安电子科技大学,霍夫曼著,郭洪猷,李静译固体与表面化学工业出版社,马建力,张鹤鸣,宋建军单轴应力硅价带结构计算物理学报,盛百城第性原理方法研究空位缺陷和的结构与导电性北京化工大学,邵秀琴,朱俊......”。

9、“.....其应力达到极大值,此后随着应变的继续增大,相应的内应力迅速下降。这种现象说明,当原子硅晶胞方向的应变超过以后,硅晶胞原子结构就会遭到破坏,相应内应力会迅速减小。所以,对于原子硅晶胞原子结构在方向的拉伸操作的极限应变点为。从图可以看出,拉伸极,李青坤与掺杂体系缺陷结构与性能的第性原理方法研究哈尔滨工业大学,吕梦雅压力下的硅锗及其合金结构与电学性质的计算计模拟燕山大学,都有个最邻近原子并形成共价键,当硅晶体中出现空位,则空位和个邻近原子共价,每个原子都会有个未共价的电子,形成了不饱和的共价键,这些共价键容易接受电子,所以这些空位体现为受主作用。而晶体中的间隙原子拥有个可以失去的电子或个可填充的空轨道,依据在实际应用时外界环境不同,可能表现为施主或受主型作用。因此这些缺陷会在禁带中产生相应的能级......”。